资讯
讲透三极管(2024-06-13)
暗电流)，此时相当于光敏二极管截止；
当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
。
2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用
3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。
JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。
MOSFET......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
，因为当器件导通时，额外的电荷载流子会填充 P 区。当打开开关以关闭设备时，这些电荷载流子无处可去，设备保持部分导电状态，这需要很长时间才能关闭。为了加快关断过程，在制造过程中故意引入了缺陷，但这......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，
输出随频率连续变化的稳态响应
。
14、本征半导体的载流子......
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展(2021-05-21)
Letters》上。
近年来对自旋轨道耦合的研究一直是半导体量子计算和拓扑量子计算研究的热点。半导体材料中的自旋轨道相互作用能够使粒子的自旋与轨道这两个自由度耦合在一起，该机......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
解释为什么二极管会单向导通。
二极管的单向导电性
二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。
研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu
表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......
自动驾驶定位技术-粒子滤波实践案例解析(2023-05-18)
聚集在后验概率比较高的区域。 为了进行重采样，采用了重采样轮技术.
原理：每个粒子被选中的概率都和这个粒子轮所占的周长成正比，权重大的粒子有更多的机会被选中。 初始index为6，假设随机的beta......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
光电流谱IMPS、瞬态光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程，为广大科研工作者和研发机构提供了有效的测试工具。
太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏极之间没有导电......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
IGBT 内部结构和等效电路
PNP 和 NPN 型的双极性晶体管在导通时，少数载流子和多数载流子参与导电。在同等电压和电流条件下，双极性晶体管的导通压降要低于 MOSFET 的导通压降，后者只有多数载流子参与导电......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
）材料？
对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且可在这两种......
温差发电器工作原理(2023-02-02)
时时因碰撞而改变。故物体内分子运动很快达到同一运动速度“状态”。
再说温度传递。两片具有温差的物体接近时，有两种方式可以形成“热”传递。或者说形成分子运动速度传递。第一是分子碰撞，温度低的速度慢，能量低。温度......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
应管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-12-01)
检测的理想解决方案。
这些光电二极管具有坚固的芯片设计，采用华夫盘装或麦拉膜（首选）包装，有两种不同规格的标准芯片，分别具有5x5mm （VTH2110）和10x10mm（VTH2120）较大的较大有效面积，光谱响应在400......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-12-02)
光电二极管具有坚固的芯片设计，采用华夫盘装或麦拉膜（首选）包装，有两种不同规格的标准芯片，分别具有5x5mm （VTH2110）和10x10mm（VTH2120）较大的较大有效面积，光谱响应在400......
宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估(2022-12-01)
的能量。
一般来说，这些二级粒子有足够的能量在随后的碰撞中产生更多的粒子，发生雪崩倍增。但同时，由于大气层的吸收会让粒子密度降低。如下图所示：
图三 二级粒子的产生
宇宙辐射对功率半导体......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-11-11)
关辐射具有很高的响应性，这使得新的光电二极管成为氡气检测和α粒子检测的理想解决方案。这些光电二极管具有坚固的芯片设计，采用华夫盘装或麦拉膜（首选）包装，有两种不同规格的标准芯片，分别具有5x5mm （VTH2110）和......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍;
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET
中，源极......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种电压控制器件。MOSFET有两种类型，“p沟道”和“n沟道”，这两种类型都可以处于增强或耗尽模式，因此共有四种不同类型的MOSFET......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
应管
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108......
金属魔法：用半导体量子点打造梦想材料(2023-05-31)
用于太阳能电池，提高能量转换的效率；在生物成像中，它们可用作荧光探针、电子显示器；科学家甚至可以将它们捕获和操纵单个电子的能力用于量子计算。
然而，让半导体量子点高效导电一直是一个重大挑战，阻碍......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
，三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5. 场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
埃赛力达科技推出用于氡气检测的VTH21系列光电二极管(2022-11-11)
保在现场长期运行
-优化的芯片设计对α粒子有更大的吸收力，因此系统具有更高的性能
-大面积的芯片提高了低信号环境下的检测率，提高了系统性能
-与导电......
2023 年十大半导体故事(2024-01-15)
师们一直在想出实用的方法，将由化合物半导体制成的激光器集成到硅晶圆上，并以可制造且相对便宜的方式实现。
8. 芯片上的粒子加速器变小
很少有技术能够同时拥有城市大小和小硬币大小的版本。但现在粒子......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。
背照......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
SMT新工艺: 使用导电胶黏结工艺代替焊锡焊接工艺，实现低温高精度焊接！(2024-10-30 06:45:37)
的无机盐有硅酸盐和磷酸盐等。
2）导电填料
导电填料也称导电粒子。导电胶用的导电粒子有金粉、银粉、镍粉、羰基镍、钯粉、钼粉、钴粉、镀银金属粉、镀银二氧化硅粉、镀银......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
二极管、BJT 均为双极型载流子器件，其电导调制效应起主导作用，因此电流越大，阻性越低；温度越高，（电导调制效应越强，载流子浓度越高）阻性越小。
微观世界的神秘风采
好奇......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
以色列研究：芯片中的硅或可被新材料取代(2023-07-10)
这些发生在千分之一纳米范围内的微小变化，研究人员正在开发新的方法来控制材料在导电和绝缘状态之间变化，使其具有半导体的特性。研究人员还用瑞士日内瓦的粒子加速器观察这些微小变化如何影响新材料中电子的排列，以进一步推进未来晶体管的研发。
......
NTC 热敏电阻阻值和温度的换算(2024-11-12 17:37:00)
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
【STM32】光敏传感器示例(2022-12-09)
将这些非电量转换为光信号的变化即可。
探索者 STM32F4 开发板板载了一个光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及......
【测试案例分享】 如何评估热载流子引导的MOSFET衰退(2024-09-19)
-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
图1. 漏极雪崩热载体效应
MOSFET热载流子效应及器件性能监测
今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
探秘1956年出版的半导体科普书(2023-01-03)
，约飞就表现出非凡的科学成就，涉及核物理，聚合物物理和半导体物理。30年代初，他指出半导体材料是电子技术的新材料，他和Я.И.夫伦克耳在半导体的导电性的研究中提出阻挡层的概念，他的有关半导体中的两种载流子......
日本这项黑科技将带来电池革命(2017-06-03)
表面，挤满间隙。通电实验的结果表明，与未覆盖的粒子相比，短路之前的电流密度可以提高至3倍。
山田准教授表示，「将力争作为可通过太阳能、风力和震动充电的......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
。碳化硅MOSFET属于这一类。与Si IGBT相比，SiC MOSFET中的多数载流子导通机制可显著降低开关损耗。碳化硅MOSFET在结构上可分为两种类型：规划器和沟槽。双植......
纤毫毕现，ACF导电粒子在线检测微分干涉光学系统(2024-04-29)
纤毫毕现，ACF导电粒子在线检测微分干涉光学系统;微分干涉相衬观察法（Differential Interference Contrast，DIC）是基于干涉原理，通过......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体
1. SiC材料的物性和特征
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且......
用数字万用表判断三极管的引脚(2023-06-26)
BJT(bipolar junction transistor)是一种电流控制电流器件。按结构来分，它有两种类型:NPN型和PNP型。
基区很薄而且参杂浓度很低，发射区参杂浓度很高，集电......
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法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此
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特别推荐的银包铜粉系列，采用先进的化学镀技术，在超细铜粉表面形成极薄的银镀层，再经过一定的成型和处理工艺，所得到的粒径均一、抗氧化性能优异的超细片状粉体，可以制成导电涂料、油墨或掺加如：橡胶、塑料、织物中，形成导电