资讯
国产刻蚀设备凭什么后发赶超？（附厂商盘点）(2020-08-18)
平台型企业。
北方华创微电子主要产品包括刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散、清洗、气体质量流量计等高端半导体工艺装备及核心零部件。其中，应用于集成电路领域较先进的硅刻蚀机已突破14nm技术，进入......
为刻蚀终点探测进行原位测量 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测(2024-01-18)
十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-22)
为刻蚀终点探测进行原位测量;
介绍
行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-18)
为刻蚀终点探测进行原位测量;介绍 本文引用地址：半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺......
中科院微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展(2024-11-08 14:06:34)
中科院微电子所在先进工艺......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-01)
幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。
相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。
3D DRAM 市场......
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代(2024-04-02 09:16)
垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠 DRAM（Stacked DRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求......
刻蚀设备收入增长58.49% 中微公司2020年营收22.73亿元(2021-03-31)
全年其研发投入总额为6.40亿元，其中包含股份支付费用0.49亿元。若剔除股份支付费用则全年研发投入为5.91亿元，较2019年增长39.16%，主要由于新工艺的研发，包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-29)
2c&f）。这与等离子体入射角度分布增加对刻蚀的影响是一致的。等离子体入射角度分布增加会使刻蚀反应物更等向性地轰击基板（图3a）。这意味着相比等离子体入射角度分布值低的时候，晶圆倾角不再影响刻蚀......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-28)
较宽/等向性的角分散）的时候，晶圆倾角对电容和空气间隙体积完全没有影响（图2c&f）。这与等离子体入射角度分布增加对刻蚀的影响是一致的。等离子体入射角度分布增加会使刻蚀......
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术(2024-08-15)
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术;摘要：使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低
封面图：
正文：
作者：泛林集团 Semiverse......
CIPA 2024成功召开，揭秘IC先进封装机遇与挑战(2024-07-17)
材料行业协会推算，2021年会达到61.7亿，同比增幅18%，预计2025年将会进一步增加到75.5亿美元。
湿电子化学品又称工艺化学品，是微电子、光电子湿法工艺用的，包括湿法刻蚀、去胶、清洗......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
假设。
流程模拟
使用SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全自对准通孔图形化、完全自对准通孔/M2金属化、以及......
复享光学发布匹配半导体行业标准的ZURO系列光谱仪(2022-09-06)
复享光学发布匹配半导体行业标准的ZURO系列光谱仪;9月5日，上海复享光学股份有限公司（以下简称“复享光学”）宣布，2022年9月，公司通过与头部客户完成了针对刻蚀应用场景的光谱仪—ZURO系列......
使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展(2023-04-19)
是探索巨大潜在解空间、加速工艺发展的同时减少硅实验成本的重要工具。本文将说明我们在高深宽比通孔钨填充工艺中，利用虚拟DOE实现了对空隙的有效控制和消除。示例中，我们使用原位沉积-刻蚀-沉积 (DED) 法进行钨填充工艺......
Syndion® GP：赋能先进功率器件的未来(2021-12-27)
功率器件需要在不牺牲外形因素的情况下提高功率容量并改进开关性能，这可以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至......
大基金2021年下半年投资转变，有的放矢，逐渐进入全面投资阶段(2021-10-21)
公司本次发行所募集资金净额将用于中微产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目、科技储备资金。
据悉，中微公司是刻蚀+MOCVD龙头，技术驱动行业领先，成立于2004年，主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备，主要产品包括刻蚀设备和MOCVD。公司......
未来的特种技术需要怎样的芯片制造工艺？(2021-12-20)
以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蚀......
国内半导体正在破局—专利项(2024-07-30)
过程中能够表现出很好的阻挡性和稳定性，从而保证字线栅层的高度，提升字线栅层的高度均匀性，并且增加了字线区刻蚀的窗口，可以降低编程串扰失效，具有较广泛的使用范围。
北方华创：两项
近日，北京北方华创微电子......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
。
本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺，使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时，所形......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
于凹槽尺寸差异很大，横向刻蚀非常困难。
l 在堆栈刻蚀和填充工艺中需要使用不同的材料，这给制造带来了困难。
l 连接不同3D组件时存在集成难题。
l
最后，为了让这一方案更具竞争力，需要......
使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究(2024-01-29)
实现侧壁剖面控制，因为刻蚀工艺中深宽比较高，且存储单元孔需要极大的深度。因此，刻蚀工艺中可能会出现弯折、扭曲等偏差。从堆叠层顶部到底部，存储单元孔直径和孔间隔可存在最高25%的偏差。
在存......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
驱动芯片完成开发和认证。该新型嵌入式RRAM显示驱动芯片由存储器设计公司睿科微电子[1]提供技术支持，由北方华创提供刻蚀和薄膜设备及工艺解决方案。[1]合肥睿科微电子有限公司，专注......
经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产(2022-12-15)
其大规模生产线。2019 年 7
月，日本方面宣布限制向韩国出口包括含氟聚酰亚胺、光刻胶以及高纯度氟化氢在内的三项重要半导体及 OLED
面板原材料，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。
三星电子被发现在他们的一条半导体工艺......
IPC标准解读：IPC-4553A印制板(PCB)浸银规范(2024-11-24 07:13:10)
和储存
由于银是一种活性金属，容易与空气中的氧气和硫化物反应而失去光泽或变色，因此IPC-4553A标准中对浸银处理后的印制板的包装和储存有明确要求。这些要求包括......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
驱动芯片完成开发和认证。该新型嵌入式RRAM显示驱动芯片由存储器设计公司睿科微电子[1]提供技术支持，由北方华创提供刻蚀和薄膜设备及工艺解决方案。
[1]合肥睿科微电子有限公司，专注......
压配合技术在汽车电子中的应用(2023-06-26)
需要二次焊接，则工艺中产生的热可造成印刷电路板以及连接的电子组件损坏。压配合技术可以完全消除多余的热循环，通过施力即可实现装配工艺中的二次连接。
减排和燃油经济性方面的技术，以及车载电子、导航......
8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚(2024-03-12)
经过多次的掩膜制备、光刻、刻蚀、沉积、清洗、烘烤等工艺步骤。
在制造8051单片机时，采用的工艺流程通常是MOS工艺或CMOS工艺。这些工艺都是现代半导体工艺中比较成熟和常用的工艺之一。其中，CMOS......
中微半导体中标华虹半导体12台刻蚀设备(2022-04-02)
户的生产线上进行 100 多个 ICP 刻蚀工艺的验证，截止2021年年12月底，已经顺利交付超180台反应腔，持续提升ICP刻蚀的市场份额；中微半导体新推出的高输出率双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin......
上海印发《上海市战略性新兴产业和先导产业发展“十四五”规划》：集成电路产业规模年均增速达20%(2021-07-22)
首款人工智能云端深度学习定制化芯片发布；上海集成电路产业基金一期募资近500亿元等。
《规划》的总体要求包括指导思想、基本原则、总体思路和发展目标。
《规划》总体思路提出贯彻落实国家战略部署和任务，发挥上海优势，聚焦重点领域，推动......
国产半导体设备，传来新消息(2024-11-12)
装备收入同比增长46.96%，使得整体营业收入增加；净利润同比大涨54.72%，其主要原因是公司电子工艺装备收入增长较快，成本费用率下降，使得归属于上市公司股东的净利润增加。
中微公司作为半导体刻蚀......
盛美上海推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备(2024-09-04)
盛美上海推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备;9月4日，盛美上海宣布推出用于扇出型面板级封装（FOPLP）应用的新型Ultra C bev-p面板边缘刻蚀设备。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
对准图形化中使用半大马士革方法
使用间隙填充和间隔层去除方案，我们提出在自对准图形化中使用半大马士革方法。间隔层去除方案需要选择性刻蚀工艺。区域选择性沉积 (ASD) 是填充LE2间隙的最佳沉积选择。图1 (a) 展示间隙填充工艺......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
模拟了这一工艺流程（如图6）。
图6 空气间隙工艺形成模拟
● 高深宽比金属线
在传统的大马士革工艺中，深宽比通常限于2左右。超过这个深宽比，就很难在不形成空隙的情况下沉积金属线了。直接金属刻蚀......
电科装备45所湿法设备进入国内主流8英寸芯片产线(2022-07-26)
化程度高，系统集成度高，覆盖了8英寸BCD芯片工艺中的湿化学工艺制程，实现了全自动湿法去胶、湿法腐蚀、湿法金属刻蚀、RCA清洗、Marangoni干燥等工艺。
官方资料显示，45所是......
三星工会将“无限期”延长史上首次罢工？(2024-07-11)
裁Lee Hyun-kuk透露，本次罢工已干扰部分芯片生产线，减慢了设备运作效率。
据了解，三星工会的要求包括将工会成员的基本工资拉高3.5%、改善薪资透明度、补偿......
中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展(2023-03-08)
依然是业界面临的一项重要技术挑战。
近日，中科院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域取得新进展。
据“中科院微电子研究所”消息，为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展;近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项......
5.8亿，上海新阳光刻胶项目启动，国产替代进程加速(2023-02-15)
干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶的产业化，力争于2023年前实现上述产品的产业化，填补国内空白。2021年6月，上海新阳宣布，该公司自主研发的KrF（248nm）厚膜......
中微公司成功从美国国防部中国军事企业清单中移除(2024-12-23 13:45)
技术解决方案。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类，包括十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀......
半导体“粮草”先行，国产光刻胶走到哪一步了？(2023-04-11)
胶（Photoresist）是一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的关键材料，由光引发剂（光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、溶材料剂、单体（活性稀释剂）和其他助剂组成。
从化......
NEPCON展会将至,ZESTRON亮点抢先看(2023-09-27)
NEPCON展会将至,ZESTRON亮点抢先看;NEPCON ASIA 亚洲电子生产设备暨微电子工业展览会即将启幕，ZESTRON非常......
半导体设备，烽烟四起(2024-11-29)
上冒尖的中国半导体设备企业涉及北方华创、中微公司、华海清科、盛美上海、精测电子等等。从各家的产品布局来看，北方华创在半导体设备方面实现了平台化布局，具体产品包括刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机等多款高端半导体工艺装备。截至2024......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩(2022-04-22)
，构成晶体管电子路径的垂直沟道是由光刻和刻蚀来形成的，这种工艺会导致沟道宽度不均匀。而这种不均匀性则会对功耗和性能产生不利影响，这也是客户转投GAA的另一个主要原因。
GAA晶体......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战(2023-08-04)
得更高的良率和更优的性能。负责这些工艺调整的工程师需要薄膜具有多样性和灵活性，这意味着他们能够调控薄膜成分以获得不同特性，包括刻蚀选择性等。每一代新技术带来更高的密度和复杂性，使得提升性能和良率更具挑战。回到......
这家设备厂收购意大利薄膜设备TFE公司(2023-09-22)
收购将使我们能够在全球范围内扩大我们的研发资源和客户服务与支持团队，为我们的客户提供及时的解决方案。”
据悉，Plasma-Therm于1974年在美国成立，为专业半导体和纳米技术市场提供等离子刻蚀、沉积和先进封装设备。该公司目前拥有40多项等离子工艺......
虚拟传感器的创新助力提升生产力(2022-08-15)
虚拟传感器的创新助力提升生产力;制造芯片需要很多不同类型的工艺设备，包括沉积、光刻、刻蚀和清洁等设备。大规模生产要求芯片制造商使用大量相同腔室的设备组来执行特定的工艺步骤，例如用于制造3D晶体管的鳍片刻蚀......
半导体后端工艺｜第七篇：晶圆级封装工艺(2024-06-03)
，包括：光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀......
干货分享丨三防涂覆工艺规范及UV胶三防漆喷涂工艺异常处理(2024-05-05 16:19:28)
阀喷涂设备
电路板三防漆涂覆工艺
的注意事项及要点
根据IPC-A-610E(电子组装检测标准)的要求及工厂规定，主要......
相关企业
;比亚迪第六事业部微电子有限公司;;微电子工艺的制造
，高品质为产品技术理念，力争打造成为中国本土半导体设备制造业航母。 产品包括：太阳能电池清洗设备, 半导体清洗设备,微电子工艺设备及清洗设备，太阳能电池片清洗刻蚀设备, 微电子半导体清洗刻蚀设备,LCD
体清洗设备,微电子工艺设备及清洗设备，太阳能电池片清洗刻蚀设备, 微电子半导体清洗刻蚀设备,LCD液晶玻璃基板清洗刻蚀设备;LED晶片清洗腐蚀设备,硅片切片后清洗设备，划片后清洗设备,太阳
有明斯克设计中心，中国工艺中心及全球销售分支机构。 擎茂微电子（深圳）有限公司作为DMS集团中国区的设计公司，是一家专业从事集成电路以及半导体微电子相关产品的设计、生产与销售的高新技术企业，成立
配套应用设备 提供适用工艺 按客户要求包装 按客户要求配方 专业的证书和文件 粘合剂方面的专家 网址: www.ellsworth.com 安士
型号有：RF-300CA系列、RF-310TA系列、RF-500TB系列、RF-370CA系列、RS-260系列、RS-280系列等，并可根据客户的要求设计生产不同类型的微电机。 鑫合利电子
;哈尔滨返微电子工程有限公司;;
理性能也基本不变。 我公司于2007年8月通过了ISO9001国际质量体系的认证。本公司郑重承诺：使用本公司的产品，在正确的生产工艺中无效全额退款。并可根据客户的要求量身定做专用阻燃母料。鑫祺
刀模的开拓者，佼佼者。 满足客户的要求，为客户提供高、精、准的产品是“鸣鸿”不懈的追求。我们热忱的向您提供各类的精密模切、冲型模具，满足您对各种电子垫片，电子薄膜元器件，柔性线路板、背光源膜片、不干胶贴纸、触摸
,集众多经验丰富的焊接技术人才,积累二十多年的丰富经验,自行设计,生产电容储能式电焊机,电子脉冲式点焊机,微电脑精密点焊机,缝焊机及各种非标的专用焊机. 我们采用日本OMRON,SMC,新日钢,德国