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B1D10065F，该二极管是支持车载的SiC肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关，提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D10065F的特点如下：
1、结温最大额定值为175......
速开关，可提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下：
1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
伏逆变器中，碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路，如图2所示拓扑为Single Boost，是光伏逆变器中使用较为广泛的拓扑，拓扑中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时，可以降低对应换流回路中开关管的......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管的......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
确设置输入共模电平，滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。
采用肖特基二极管的直流恢复
对视频设备的输出进行交流耦合时，直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平，视频......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;
【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
产能的提升及技术改进项目主要投向面向新型能源供给的45V-150V高能效低导通压降硅基沟槽型肖特基二极管的产能提升，以及200V-300V高压硅基肖特基二极管的研发和产业化，产品主要应用于光伏接线盒、各种拓扑电源等领域。项目......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。
基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
耗为129W（@25℃）。相对其他同类产品来说导通特性好、损耗小、功率效率更高，具有更高的稳定性。
此外，B1D05120K碳化硅肖特基二极管的工作温度和储存温度范围都为-55℃~+175℃，满足......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，实现了更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
强调了 SiC
二极管的一些特性。
与普通的 PiN
二极管不同，肖特基二极管没有恢复电流，因为它们是具有多数电荷载流子的单极元件。然而，它们......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
电荷浓度的器件击穿特性比较。（c）封装器件反向恢复特性测试电路。（d）与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。
氧化镓光电探测器
光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
产品组合将为市场带来更多选择和便利性。”
Nexperia的SiC肖特基二极管的初始目标市场是工业和消费类应用，包括：
开关模式电源(SMPS)
AC-DC和DC-DC转换器
电池充电基础设施
不间断电源(UPS)
光伏逆变器
Nexperia还计......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（SBD）是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合，是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04)
，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
基础知识之二极管(2024-03-20)
流用水流比喻的话，阳极是上流，阴极是下流，水从上流到下流能流下去，就是说电流能流下去，但从下流不能流到上流。这就是二极管的整流作用。
5. 结合构造也有多样
二极管的接合构造现在大有PN结合和肖特基形。前者......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
器件反向恢复特性测试电路。（d）与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。
2.氧化镓光电探测器
光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效;车载充电机是电动汽车的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。
这些新平面肖特基二极管的工作范围为30-100 V和3-15 A。针对低正向电压优化的版本(VF)（包括 PMEG100V080ELPE/-Q）可在......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
著地丰富了产品的多样性，也进一步巩固了Nexperia作为封装创新领导者的地位。可通过拥有值得信赖的供应链的半导体制造商为客户提供更广泛的器件选择。要了解有关采用CFP3-HP封装的Nexperia平面肖特基二极管的......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。
肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04 09:54)
极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的100倍......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
输出电容在完全放电之前维持输出电压，这会在器件上产生反向电压。与此同时，负电压对肖特基二极管进行偏置，提供了在器件周围放电的路径，如图9中的测量结果所示。
图8 使用肖特基二极管防止反向电流情况
图9 测量流经器件和外部肖特基二极管的......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-10)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D汽车安全关键应用(2023-08-10)
。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
将多种版本的器件推向市场，Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。
这些新平面肖特基二极管的......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，将展示 系列的3款新成员：一款1700 V MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
进行偏置，提供了在器件周围放电的路径，如图 9 中的测量结果所示。
图 8.使用肖特基二极管防止反向电流情况
图 9.测量流经器件和外部肖特基二极管的电流
关闭感性负载
在输......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效(2023-01-04)
率可再生能源应用中实现高能效至关重要。
在1700 V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。新器......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用;Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H......
意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL－D 汽车安全关键应用(2023-08-15)
控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-08)
相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的100倍。
与其他同类理想二极管......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
种类
SiC功率二极管有4种类型：PiN 二极管、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky......
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barrier)。 法商矽莱克半导体，主要做（1）高压大功率肖特基二极管，大功率的有20A-60A/60-200V TO-220，TO-3P封装，（2）降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
;深圳市吉福电子有限公司（销售公司）;;我们公司是全国最大的肖特基二极管和DB双向触发管的生产厂家之一.我们拥有近400位高科技科研人员，我们的三极管生产线被中国国防科工委指定为唯一军用生产线.我们公司自行研制生产的肖特基
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