资讯
基础知识之IGBT(2024-03-22)
基础知识之IGBT;什么是(绝缘栅双极晶体管)？
是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。 被归类为元器件晶体管领域。本文......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件......
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2013-06-14)
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
Gate Bipolar Transistor :绝缘栅双极晶体管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模块的功能测试。
日本......
三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品(2025-01-02)
三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品;
【导读】三菱电机集团宣布，于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块样品，这两......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）
据悉，重庆......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管......
安森美第7代IGBT模块协助再生能源简化设计并降低成本(2024-06-13)
安森美第7代IGBT模块协助再生能源简化设计并降低成本;(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 () 功率模块，与其他同类产品相比，该模......
发力汽车领域，瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT(2022-09-01)
发力汽车领域，瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT;瑞萨电子近日发力汽车领域，先后宣布收购了4D雷达公司印度Steradian，并推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件。
收购......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
可提供量身定制的导通和关断时序，将开......
重大突破！中国功率半导体封测再添“利器”(2023-04-28)
重大突破！中国功率半导体封测再添“利器”;IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，俗称电力电子装置的“心脏”，作为国家战略性新兴产业，在高铁、新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135;
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司......
变频器的30个基础知识（一）(2024-04-03)
变频器的30个基础知识（一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？
整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
变频器的30个基础知识（之一）(2024-03-28)
变频器的30个基础知识（之一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？
整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
业内人士：汽车IGBT供应保持紧张(2022-11-08)
业内人士：汽车IGBT供应保持紧张;
【导读】据台媒《电子时报》报道，据IC分销商的消息人士称，汽车绝缘栅双极晶体管（IGBT）和其他一些功率IC仍然......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管）三条产品线实现量产。
对于未来，安建半导体表示还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现......
赛晶亚太半导体IGBT生产线竣工投产！(2021-06-24)
赛晶亚太半导体IGBT生产线竣工投产！;6月23日，赛晶科技发布公告，旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司在浙江省嘉兴市嘉善县经济技术开发区举行了绝缘栅双极晶体管（IGBT）生产......
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗(2024-02-29)
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗;
【导读】智能电源和智能感知技术的领先企业安森美宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT......
安森美碳化硅工厂落成 预计到2022年底SiC晶圆产能同比增加五倍(2022-08-15)
是唯一具有SiC和绝缘栅双极晶体管(IGBT)方案双线端到端供应能力的大规模供应商。安森美此前在第二季度财报电话会议上宣布，在未来三年通过与广泛的客户群签订长期供应协议，承诺实现40亿美元的SiC收入。这将......
IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT(2014-03-11)
IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT;IR宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新器......
安森美推出最新的第 7 代1200V QDual3 IGBT 功率模块(2024-06-14)
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT......
Bourns 全新推出符合 AEC－Q200 标准 车规级高隔离反激式变压器系列(2024-12-25 14:28)
混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓 (GaN) 开关组件。Bourns 在开......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
功率半导体市场放缓，报告称中国大陆企业转向 12 英寸晶圆和 IGBT 晶体管(2023-11-28)
上的分立器件特指使用半导体材料制成，受功能、体积、技术制约，无法集成为集成电路的单一功能电路基本元件。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT 的额定电压范围为 400V......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice 模型(2023-10-12 15:02)
Transistor，绝缘栅双极晶体管）同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。*5) ROHM Solution Simulator在罗姆官网上运行的免费电路仿真工具。从元......
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT(2013-08-19)
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT;美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated......
高新发展：芯未半导体10亿元功率半导体项目厂房已封顶(2023-02-03)
都日报报道，2022年8月，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元，运营方为成都高投芯未半导体有限公司，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功......
安森美庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂(2022-08-12)
们自己的前沿尖端的SiC晶圆能为客户产品所用。”
安森美是唯一具有SiC和绝缘栅双极晶体管(IGBT)方案双线端到端供应能力的大规模供应商。在上周的第二季度财报电话会议上，该公......
如何使用万用表测试 IGBT(2024-03-21)
如何使用万用表测试 IGBT;测试绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 至关重要。通过进行测试，您可以识别 IGBT 中的任何潜在故障或弱点，以便及时维修或更换。这不仅可以防止意外故障，还有......
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛，IGBT供不应求(2023-03-20)
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛，IGBT供不应求;
【导读】据中国台湾媒体报道，在半导体市场需求下滑之际，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）依然是大缺货，并且......
使用数字万用表对IGBT模块进行检验(2023-03-15)
使用数字万用表对IGBT模块进行检验;IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装后的IGBT模块......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。本文......
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗(2024-02-27)
安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗;智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，近日宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
收来自微控制器单元（MCU）的控制信号，并直接驱动高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT）等栅极，它们被广泛应用于各种电力产品，包括大型白色家电的电机驱动器、数据......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管;
【导读】2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出......
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT(2024-11-07)
Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。
*4) 爬电距离
两个导体之间沿绝缘......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体功率开关元件的效率和性能可以带来广泛的好处，提高经济性并加速这些应用的部署。B-Tran结构和工作模式要了解 B-Tran 的工作原理，我们首先需要了解绝缘栅双极晶体管......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
Transistor :绝缘栅双极晶体管）/SiC（Silicon Carbide：碳化硅）模块的功能测试。本文引用地址：
1. 开发的背景及特征
近年来，对车用功率器件（半导体元件）的需求迅速增长。的......
Bourns 推出全新薄型、高爬电距离隔离变压器，适用于闸极驱动和高压电池管理系统(2024-11-08)
列工作电压为标准的 12V，并具备 10 至 24V 的扩展输入电压范围。此外，采用全新的线圈机械设计，有助于提升系统性能与安全性。这些特性使 HVMA03F4A-LP8S 系列成为硅碳化物 (SiC)、绝缘栅双极晶体管......
Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准 车规级高隔离反激式变压器系列(2024-12-26)
变压器的多项特性使其成为电动车、晶体管栅极驱动、高压电池管理系统，以及混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮......
喜讯！比亚迪半导体荣获2021年度广东省科技进步奖(2022-04-13)
发展。
该项目围绕新能源汽车及工业领域应用，开展高可靠性大电流功率半导体芯片及模块的技术攻关和产业化，成功开发了适用于新能源汽车及工业领域应用的新型绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片、非负......
安森美推出第七代IGBT智能功率模块， 助力降低供暖和制冷能耗(2024-02-27)
电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市......
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基、IGBT绝缘栅双极晶体管、快恢复等系列电子元器件! 专业专注·全新原装进口正品·现货库存 欢迎广大客户来电咨询惠顾！ 在线客服QQ：6238202 联系电话：0755-82544008
、IR国际整流器公司、VISHAY等产品系列在内销售的有大功率MOS，肖特基，单双向可控硅，稳压IC，IGBT绝缘栅双极晶体管。在华南地区最具实力供应商之一。 产品应用领域包括工业控制领域、家用
、IR国际整流器公司、VISHAY等产品系列在内销售的有大功率MOS，肖特基，单双向可控硅，稳压IC，IGBT绝缘栅双极晶体管。在华南地区最具实力供应商之一。 产品应用领域包括工业控制领域、家用
原装进口正品MOSFET场效应管、单双向可控硅、IGBT绝缘栅双极晶体管、快速恢复、肖特基、达林顿、三端稳压IC、电源控制IC、LCD驱动IC、二三极管等系列配套电子元器件。 主营封装有：TO-220
美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源，是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件，以超微晶（又称纳米晶）软磁合金材料为主变压器铁芯，主控
. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管
着与您携手，共创美好的明天。我厂生产的FJ系列高频电镀电源，是以逆变技术与纳米材料应用为主要特征的高科技产品。该产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件，以超微晶（又称纳米晶）软磁
传感器、颜色传感器 、 高频管双栅场效应管、高频三极管、单片微波管、射频硅双极晶体管、微波双极晶体管 、集成IC红外遥控IC、红外数据IC、蓝牙IC 等。经营品牌有：德律风根、 英飞凌 、安捷伦、夏普
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
日本的物流和基础设施问题导致硅供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和小信号晶体管。 本文来自维库电子市场网 http