IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT

发布时间:2014-03-11  

IR宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。

IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR 的Gen7 薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON) 和超高速开关,从而把感应加热产品内的导通和开关损耗降到最低,实现高系统效率。新器件的电压范围可扩充至1400V,有助于设计更高功率的单端并联谐振电源转换器,还配备额外的保护频带,使设计更稳固。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“由于采用IR的1400V沟道栅极场截止技术,IRG7PK35UD1PBF把感应加热和软开关产品内的导通和开关损耗降到了最低,并且提升了系统可靠性。”

IRG7PK35UD1PbF把IR成熟的软开关IGBT产品系列的电压扩展到1400V,从而扩充了感应加热系统的功率范围。IR专注于电源技术的研发,通过优化组件来满足多种电源系统的技术要求。

规格

器件编号

封装

击穿电压

I(NOM)

VCE(ON)

RθJC

类型

IRG7PK35UD1PBF

TO-247

1400

20

2.0

0.75 oC/W

超高速


文章来源于:ECCN    原文链接
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