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罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型(2024-08-29)
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型;
日前，搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片......
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型(2024-08-29)
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型;～应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能～
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片......
适用于众多高电压应用）两种产品。
ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这......
安森美和理想汽车续签战略协议，共同打造下一代800V智能电动车(2024-01-09)
安森美和理想汽车续签战略协议，共同打造下一代800V智能电动车;安森美EliteSiC裸芯片和图像传感器将助力理想汽车向800 V纯电和更高级别自动驾驶迈进
中国上海—2024 年1月 9日—智能......
产品。
ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这......
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列(2023-03-23 14:09)
”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC......
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microte(2023-03-23)
桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。本文引用地址：ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用......
安森美和理想汽车续签战略协议，共同打造下一代800V智能电动车(2024-01-09)
安森美和理想汽车续签战略协议，共同打造下一代800V智能电动车;
安森美EliteSiC裸芯片和图像传感器将助力理想汽车向800 V纯电......
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型(2024-08-29)
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型;应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC......
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型(2024-08-29 14:41)
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型;
应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC......
2028年功率器件市场将达333亿美元，中国厂商将受益于电动汽车产业优势(2023-10-29)
而言，SiC晶圆成本和可用性一直是影响其发展速度的主要因素。从晶圆到器件之间的供应链存在大量垂直整合的厂商。大型企业如Wolfspeed、安森美、罗姆和意法半导体等覆盖了整个供应链，包括晶锭/衬底、外延、芯片......
解读碳化硅测试带来的新挑战(2023-08-15)
解读碳化硅测试带来的新挑战;汽车电气化推动了对SiC（碳化硅）功率芯片的需求，但也给寻找和识别这些芯片中的缺陷带来了挑战。
与此同时，人们越来越认识到SiC技术是多么不成熟，还有......
罗姆功率半导体产品概要(2025-01-14)
件所需的各种技术。另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开......
”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC......
芯联集成与蔚来签署SiC模块生产供货协议(2024-02-01)
裸芯片，目的都包括实现快充和在一定程度上增加续航里程。
同样是1200V SiC产品和高压纯电平台，蔚来与芯联集成签约有助于在新能源汽车产品方面对标理想等竞争对手，抢占市场份额。
目前......
安森美和理想汽车续签战略协议(2024-01-09)
议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并继续在其未来车型中集成安森美800万像素高性能图像传感器。两家......
英飞凌宣布将为小米汽车供应SiC芯片(2024-05-07)
英飞凌宣布将为小米汽车供应SiC芯片;5月6日，英飞凌宣布已与中国电动汽车制造商小米达成协议，将在2027年之前向小米新款SU7电动汽车提供先进的SiC功率模块(HybridPACK™ Drive......
安森美宣布成为大众 SSP 电动汽车平台主驱逆变器主要供应商(2024-07-23)
代汽车的统一电动平台，预计于 2026 年推出。
▲ 安森美 EliteSiC 系列裸芯片
安森美的电源箱解决方案将搭载其于近日（当地时间 7 月 18 日）推出的新一代 EliteSiC M3e MOSFET......
10年研发投入近万亿，华为公布最新芯片封装专利(2023-08-08)
封装的制备方法，有利于提高芯片的性能。
专利摘要显示，该芯片封装包括基板、裸芯片、第一保护结构和阻隔结构；该裸芯片、该第一保护结构和该阻隔结构均被设置在该基板的第一表面上；第一保护结构包裹该裸芯片......
10年研发投入近万亿！华为公布最新芯片封装专利：对提高芯片性能有利(2023-08-08)
。本文引用地址：据了解，申请实施例提供了一种封装和芯片封装的制备方法，有利于提高芯片的性能。
专利摘要显示，该芯片封装包括基板、裸芯片、第一保护结构和阻隔结构；该裸芯片、该第......
解决补能焦虑，安森美SiC方案助力800V车型加速发布(2024-06-14)
模块。
◆ 烧结工艺
为了达到最佳的散热效果，安森美VE-Trac™
Direct SiC采用最新的银烧结工艺，将SiC裸芯直接烧结在DBC上，DBC焊接到Pin
Fin底板，底板下是冷却液，这样，芯片......
碳化硅厂商，忙得不亦乐乎(2024-07-24)
美宣布与理想汽车续签长期供货协议。协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美EliteSiC 1200V产品拥有更高能效、更轻量的设计，可增......
AMD台积电联手发布3D Chiplet，中国半导体企业的机会在哪？(2021-06-22)
现，能够为SoC的设计提供一种新的结构。
“从物理端来说，Chiplet就是一颗商品化的、具有特定功能的，好比存储器、运算器、控制器等功能的裸芯片。从系统端来说，Chiplet就像......
英飞凌推出超低功耗数字麦克风：耳带式音频应用的完美选择(2023-02-14)
护等级。
英飞凌连续第三年成功捍卫其作为全球领先MEMS麦克风供应商的市场领先地位。此外，根据市场咨询公司Omdia最近发表的研究报告显示，英飞凌作为MEMS麦克风裸芯片（Die）制造......
半导体大厂宣布架构重组！(2024-01-11)
Auto)续签长期供货协议，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并继续在其未来车型中集成安森美800万像素高性能图像传感器。理想汽车表示，目标......
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块(2023-04-26)
制造商的产能提升速度。在这样的背景下，罗姆开发出适用于工业设备的1200V IGBT “RGA系列”产品，成为业内先进的IGBT解决方案，从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片供应范围。
赛米......
IC设计倚重IP、ASIC趋势成形(2024-06-25)
盟进一步分析，从先进制程出发，国际巨头对高效能运算硬件需求、仰赖台厂协助后段设计，撷发科技已取得国际芯片大厂外包订单，关键算法由业者自行掌握，撷发则协助周遭裸芯片（DIE）打造。
AI崛起代表大规模应用驱动对芯片......
智原推出先进封装合作平台 支持多源小芯片封装整合(2024-09-27 09:27)
供应和业务持续性的承诺。此外，智原亦擅长设计开发各种小型芯片，包括I/O裸芯片、SoC/运算处理裸芯片及中介层。透过与联电、三星、英特尔及各大OSAT供货商合作，智原提供包括系统级设计、电源......
智原推出先进封装合作平台 支持多源小芯片封装整合(2024-09-27 09:27)
供应和业务持续性的承诺。此外，智原亦擅长设计开发各种小型芯片，包括I/O裸芯片、SoC/运算处理裸芯片及中介层。透过与联电、三星、英特尔及各大OSAT供货商合作，智原提供包括系统级设计、电源......
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？(2020-12-25)
进发。[!--empirenews.page--]
中资企业在IGBT芯片技术上的突破，进一步加剧了该市场的竞争，也鞭策国内外厂商朝更新的方向布局。实际上，未雨绸缪也一直都是功率器件“领头羊”们的做法。
如何看待IGBT和SiC......
微调整占射频芯片测试时间的4到6成(2023-01-02)
并不是只存在于封装环节。在芯片开发阶段，就要考虑可测试性设计（DFT），以确保大部分设计功能均能被测试到；在晶圆制造的过程中，需要对工艺控制的关键参数进行检验；晶圆探针测试（CP测试）通过探针来对裸芯片......
豪掷99亿元，欧盟将新增一座先进封测工厂(2024-12-23)
的封装扩展到整片面板的封装。具体而言，面板级封装将多个芯片或裸芯片同时整合在一个较大的基板面板上进行封装。这意味着，生产过程中每一面板可以容纳更多的芯片......
8家碳化硅相关企业完成融资(2025-01-25)
科技推出了SiCMOSFETKGD及晶圆级动态WLR测试设备新品。针对SiCMOSFET忱芯科技则带来了业内领先的裸芯片KGD解决方案和动态晶圆老化测试系统（WLR）。
忱芯科技创始人毛赛君博士表示，近年......
5G毫米波时代的基石 —— 封装天线技术AiP(2024-06-06)
60GHz无线技术及毫米波雷达一起成长：2010年IBM便公布了用于60GHz相控阵系统的完整AiP方案，该方案基于LTCC工艺将16个矩形微带天线集成在BGA封装中，发射或接收裸芯片......
Chipletz 采用芯和半导体Metis工具设计智能基板产品(2022-09-21)
足异构集成中高速高频等应用精度要求下提供了前所未有的性能表现，并可以完美支持纳米到厘米级别的跨尺度仿真，从而实现对先进封装设计的裸芯片Die、中介层Interposer和封装Package的协同仿真。
芯和半导体Metis 是一......
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块(2023-04-26)
“RGA系列”产品，成为业内先进的IGBT解决方案，从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片供应范围。
赛米控丹佛斯计划推出额定电流等级10A～150A的功率模块“MiniSKiiP”，这款......
罗姆持续发力碳化硅 第4代产品优势突出(2023-02-22 10:15)
链覆盖整个碳化硅加工过程和各种产品形式,从材料衬底到晶圆、元器件、裸芯片,再到分立产品和封装。 在2009年，罗姆通过把全球排名前列的碳化硅衬底供应商SiCrystal纳入集团旗下。至此，完成......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
提供了充分的拓展可能性，更将效率提升25%。
英飞凌在不同电压电流级别提供了不一样的产品组合，包括裸芯片、单管、功率模块和组件等，提供了多种IGBT产品系列。引线型FS820R08A6P2B (820A/750V) 是一......
国产汽车，疯抢芯片(2024-01-09)
用安森美成熟的800万像素图像传感器。此协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并继续在其未来车型中集成安森美800万像......
罗姆与马自达和今仙电机就使用了碳化硅功率模块的e－Axle用逆变器签署联合开发协议(2022-11-22 13:45)
了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。目前，除了裸芯片......
芯和半导体成为首家加入UCIe产业联盟的国产EDA(2022-04-29)
制造成本到设计的整体可扩展性方面都具有更多的优势和潜力。然而，由于缺少统一的接口标准，不同工艺、功能和材质的裸芯片之间没有统一的通信接口，限制了不同Chiplet之间的互联互通。因此，统一......
安森美创新解决方案助力汽车电子 “芯”发展(2024-05-07 12:02)
采用银烧结工艺将SiC裸芯片直接烧结在DBC（覆铜）基板上，然后将DBC焊接到PinFin底板上。底板下方则是冷却液，这种设计实现了芯片结点与冷却液之间的直接冷却路径，极大地提高了散热效率，有助......
第三代半导体争夺战开启，国内外供应商竞争正烈(2024-09-02)
提高16倍。
得益于此，过去两年里，安森美在SiC衬底产能、裸芯片产能、封装产能、以及新产品发布四大关键领域，分别实现了10倍、12倍、4倍和3倍的增长。
来自英飞凌方面的消息则显示，继2021年9月，英飞......
SMT BGA集成电路封装工艺详解(2024-10-27 15:52:27)
的装载方式
裸芯片在装载时，它的有电极的一面可以朝上也可以朝下，因此，芯片就有正装片和倒装片之分，布线面朝上为正装片，反之为倒装片。
另外，裸芯片......
赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块(2023-04-26 14:28)
率模块的需求已经达到了前所未有的程度，相关产品的市场规模急剧扩大，几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。在这样的背景下，罗姆开发出适用于工业设备的1200V IGBT “RGA系列”产品，成为业内先进的IGBT解决方案，从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片......
全球有多少座8英寸碳化硅厂？(2024-10-10)
功率半导体都处于领导地位。其中安森美的车用EliteSiC系列功率器件平台广受行业好评，为其近几年在碳化硅器件市场份额的快速提升发挥了重大作用。
在芯片厂布局上，安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂于2023年完......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
热流不会明显受到外部热边界条件的影响；主要的热约束是 MOSFET 裸芯的有源面积和厚度。因此，在MOSFET技术和类似技术内，作为tav函数的Ipk (fail)能力预计应该与裸芯有源面积成比例。事实......
翠展微电子推出超低功耗数字式热释电传感器(2020-04-01)
案通过热释电红外传感器以非接触方式检测出人体辐射的信号，并将该信号转换成电信号输入到芯片中进行信号处理。该芯片的工作电流极低，典型的功耗只有3µA,并且在正常工作模式下具有1.4V-3.6V的宽电压工作范围。目前向用户提供晶圆裸芯片......
89系列单片机型号编码的组成以及格式解析(2023-06-25)
。
×＝Q，表示PQFP封装。
×＝A，表示TQFP封装。
×＝W，表示裸芯片。
后缀中第三个参数×用于表示温度范围，它的意义如下：
×＝C，表示商业产品，温度范围为0至+70℃。
×＝I，表示......
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;广宏电力设备有限公司;;ABB-SafeRing充气柜，施耐德SM6开关柜，SC6-SIC，SC6-SQC开关，SFG开关，EV12断路器，施耐德RM6充气柜，VD4真空断路器，施耐德SC6负荷开关