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干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
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首先表现在饱和电流随VDS上升而上升，其次表现在栅极电荷曲线中的米勒平台段呈斜线。从图中计算得出SiC的QGD需要将VDS与栅极电荷曲线叠加在一起，通过限定边界条件的方式得出。 来源：，赵佳......