资讯
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料;日前，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其它机构的科研团队，发现了迄今为止最佳半导体材料。该材料名为立方砷化硼，它既能为电子和空穴提供高迁移率......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
的形式制造，才能进一步谈及替代无处不在的硅，直到最近，麻省理工学院团队首次透过实验验证立方砷化硼材料在室温下的高载流子迁移率。
虽然科学家证明了立方砷化硼出色的热性能和电性能，看起来几乎是理想的半导体......
厚度仅100nm！新型超薄晶体薄膜半导体被成功研制(2024-07-19)
成果有助科学家研制新型高效电子设备。
研究论文通讯作者、麻省理工学院的贾加迪什·穆德拉指出，他们通过分子束外延过程制造出了这款薄膜半导体。该过程需要精确控制分子束，逐个原子地构建材料，这样获得的材料瑕疵最小最少，从而实现更高的电子迁移率......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。
3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件工作在高电场材料仍然能保持高的迁移率......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。
实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对......
第三代半导体13项标准获得新进展！(2024-07-29)
第三代半导体13项标准获得新进展！;近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗；从而碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的逆变器市场，尤其是在欧洲已经意识到了太阳能的优点，正在......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
器件技术等session共入选5篇论文，其中两篇报道了团队关于非晶氧化物半导体在逻辑与存储方面的最新成果。
图1.近五年团队在氧化物半导体器件方面的代表性工作
长久以来，研究最为广泛的IGZO氧化物半导体的迁移率......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破;4月10日消息，中国电子科技大学和韩国浦项科技大学科研人员在新型半导体材料和器件领域取得了重大突破！
据介绍，该项研究首创高迁移率......
芯导科技登陆科创板首日涨超40％ 公开募集资金用于投资功率器件开发项目(2021-12-01)
190元，总市值114亿元。
据招股书信息显示，预计芯导科技公开募集资金用于投资发展项目，包括高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓高电子迁移率......
张德清课题组发展了有机高分子半导体高效图案化的新策略(2021-09-24)
张德清课题组发展了有机高分子半导体高效图案化的新策略;近年来，高迁移率的有机高分子半导体的设计合成取得了很大的进展。但是，真正将有机高分子半导体的可溶液加工、柔性......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
硅(SiC)是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高电压，比硅可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗；从而碳化硅(SiC)二极......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
功率器件在功率转换应用中充当开关电源——处于“关断”状态阻断电流，即使在施加的电压很高时也是如此；处于“导通”状态时，对电流的流动阻力要非常小。因此，功率半导体材料需要具有高击穿电场和高电荷迁移率。电力......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
碳化硅SIC将会发力电动汽车？;01
碳化硅
碳化硅在功率半导体市场（尤其是电动汽车）中越来越受欢迎，但对于许多应用来说仍然过于昂贵。
原因很容易理解，但直到最近，碳化......
年产量达20万片！万年晶第三代半导体项目投产(2024-07-18)
。
资料显示，万年晶半导体是省内首家蓝宝石基功率器件研发、生产和销售公司，主营第三代半导体高电子迁移率晶体管芯片，可广泛应用于数据中心、储能、汽车电子等领域。
封面图片来源：拍信网......
首个由石墨烯制成的功能半导体问世(2024-01-05)
，该论文名为“Ultrahigh-mobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide”（《碳化硅上的超高迁移率半导体......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
器件性能的一个至关重要的因素。衡量有机半导体材料载流子传输能力的主要参数是载流子迁移率u,
它直接反映了载流子在电场作用下的运动能力, 因此载流子迁移率的测量是有机半导体材料与器件研究中的重要内容。
我公......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能;
【导读】意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率......
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展(2022-03-21)
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展;立体化学是从三维空间揭示分子的结构、性质、反应行为及功能，手性分子和同分异构体是立体化学的重要研究内容。有机半导体......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
更高的工作电压、频率和温度。更宽的带隙对于允许器件在更高的温度下工作尤为重要。耐高温意味着，在正常条件下这些器件可以在更高的功率水平上运行。具有较高临界电场和较高迁移率的宽带隙半导体具有最低的漏源导通电阻 (RDS......
MIT黑科技：让芯片自己组装自己 轻松实现7纳米(2017-03-29)
的新技术很容易融入现有生产技术，无需增加太多复杂性。该技术可以应用于7纳米生产工艺，有关这项技术的论文已于本周发表在《Nature Nanotechnology》期刊上。
从现状看，7纳米制程节点将是半导体......
意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN(2023-08-03)
意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN;8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。
据介......
BOE（京东方）高刷新率显示技术获2021年度北京市科学技术进步奖一等奖(2022-12-30)
端显示的视觉效果提升到全新境界，并率先实现量产，对推进显示产业技术飞越，夯实半导体显示产业全球领先者地位具有重要意义。
BOE（京东方）本次获奖的 “基于超维场技术的高刷新率显示技术研发与产业化”技术成果，创新研发出业内领先的高迁移率......
台湾地区化合物半导体产业迎来逆风，各大厂信心不减(2023-02-24)
台湾地区化合物半导体产业迎来逆风，各大厂信心不减;受益于新能源革命，电动汽车、光伏储能以及工业自动化等下游应用的多点爆发，以碳化硅、氮化镓为首的化合物半导体进入了高速增长的阶段，成为了行业“热词......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面;
没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头，接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜，而且......
Gallium Semiconductor推出首款ISM CW放大器，扩大产品组合(2023-09-19)
Gallium Semiconductor推出首款ISM CW放大器，扩大产品组合;
【导读】知名的GaN RF半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor今天......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率......
TrendForce集邦咨询: 2025年手机中高端背板技术渗透率在折叠屏手机推动下或突破60%(2024-08-26)
已非常成熟。LTPS有高电子迁移率，能提供较快开关速度和更高分辨率，满足高端手机的显示需求。但高电子迁移率也导致LTPS漏电流较大，无法支持低频动态刷新调节，导致整体功耗较大。
TrendForce集邦......
折叠屏手机推动，2025年手机中高端背板技术渗透率或突破60%(2024-08-28)
厂商相继开发低温多晶硅LTPS(Low Temperature Poly-silicon)背板技术，如今已非常成熟。LTPS有高电子迁移率，能提供较快开关速度和更高分辨率，满足高端手机的显示需求。但高电子迁移率......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
石则是已知天然物质中热导率最高的材料，室温下金刚石的热导率高达 2000Wm‑1K‑1，同时金刚石是宽禁带半导体，具备击穿场强高、载流子迁移率高、抗辐照等优点，在热沉、大功率、高频器件、光学窗口、量子......
泰科天润办公研发总部及8英寸SiC功率器件生产基地项目打桩收尾(2024-03-05)
，2028年达产。
泰科天润董事长陈彤表示，项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园第三代半导体产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发生产用于新能源汽车、国家......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
界面处自发形成极其快速的导电通道。其自发存在的电子浓度是半导体材料中可达到的最高之一。除此之外，它还可提供两倍于最先进的硅基或碳化硅晶体管的电子迁移率—高达2000 cm2/V∙s。因此，二维电子气有着非常可观的低电阻—电容......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
比硅材料的为1,500cm，InGaAs的电子迁移率可达40,000cm平方/Vs。但是三五族沟道材料受到了厂商的更多关注。
与硅相比，由于III-V化合物半导体拥有更大的能隙和更高的电子迁移率，因此......
吉利车规级半导体封测二期项目开工(2024-11-28)
吉利车规级半导体封测二期项目开工;据温岭发布消息，近日，浙江晶能微电子有限公司（下文简称“晶能微电子”）车规级半导体封测基地二期项目正式开工。
据悉，2023年5月，温岭新城开发区与浙江晶能微电子有限公司签约车规级半导体......
7亿美元，印度软件厂商计划进军芯片制造！(2024-05-20)
材料，与传统的硅（Si）半导体相比，化合物半导体通常具有更高的电子迁移率、更宽的能带隙以及更好的热稳定性和辐射耐受性等特性，适用于对高速度、高频率、高温环境和高效率有特殊要求的应用场合。化合物半导体......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。本文引用地址：随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。
随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能;氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑
2023年8月3日，中国 -意法半导体......
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03 15:36)
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能;氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑意法半导体......
金属魔法：用半导体量子点打造梦想材料(2023-05-31)
金属魔法：用半导体量子点打造梦想材料;
研究人员开发出了一种半导体量子点的“超晶格”，它的功能类似于金属。图片来源：美国《赛特科技日报》
据最新一期《自然·通讯》杂志报道，包括日本RIKEN新兴物质科学中心研究人员在内的团队成功创造了一种由硫化铅半导体......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？(2023-11-21)
么要用金刚石造芯片？
这是因为金刚石就是个六边形战士，甚至可以称之为“终极半导体材料”，造出来的芯片也天生更优秀。可以说，金刚石就是材料中的“天才”，国内业界会称其为“第四代半导体”，国外则主要用“超宽禁带半导体”的名......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术; 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功......
弥费科技入驻上海临港智能制造产业园，AMHS设备将于明年量产(2021-11-12)
弥费科技入驻上海临港智能制造产业园，AMHS设备将于明年量产;据弥费科技消息，11月10日，上海临港产业区钻石园开园暨重点项目举行签约仪式。
其中，弥费集成电路半导体自动物料传送系统（AMHS......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？(2023-07-09)
只说WBG的定义是一个试图描述电流(电子)如何在化合物半导体中流动的模型。
WBG化合物半导体具有较高的电子迁移率和较高的带隙能量，转化为优于硅的特性。由WBG化合物半导体......
研究人员成功创建了世界上第一块由石墨烯制成的功能性半导体(2024-01-04)
烯都没有能隙。
"我们现在拥有了一种极其强大的石墨烯半导体，其迁移率是硅的10倍，而且还具有硅中不可用的独特特性，" de Heer说道。“但过去10年来我们工作的故事一直是：‘我们......
泰科天润北京碳化硅总部项目开工奠基(2023-03-30)
用于总部基地建设。
泰科天润半导体科技（北京）有限公司董事长陈彤表示，项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园第三代半导体产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破;据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成......
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