8月3日,意法半导体官微宣布,公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。
据介绍,STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管,提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管,采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装,额定电流分别为15A和25A,在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。据悉,SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市,采用PowerFLAT 5x6 HV封装。
意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。意法半导体表示,未来,GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构,进一步提高能效,并降低功耗。
此外,接下来几个月内,意法半导体还将推出新款PowerGaN产品,即车规器件,以及更多的功率封装形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。