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-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。 图1. 漏极雪崩热载体效应 MOSFET热载流子效应及器件性能监测 今天的超大规模集成电路MOSFET器件......
材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入, 研究人员越发清楚地认识到, 有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体......
讲透三极管(2024-06-13)
暗电流)，此时相当于光敏二极管截止； 当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子......
(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止。 当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对。 这些载流子......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向......
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
。 2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用 3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体......
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体 1. SiC材料的物性和特征 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且......
双向双极结技术的力量;B-Tran 等开关是各种高效和清洁能源应用的电源转换中的关键组件。这些应用包括电动汽车、可再生能源发电、储能、固态断路器 (SSCB) 和电机驱动。提高半导体......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
的形式制造，才能进一步谈及替代无处不在的硅，直到最近，麻省理工学院团队首次透过实验验证立方砷化硼材料在室温下的高载流子迁移率。 虽然科学家证明了立方砷化硼出色的热性能和电性能，看起来几乎是理想的半导体......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
的右下方部分 ( 收集的数据 ) 是在高应力条件下生成的数据，这个数据生成一条线，可用于预测正常工作条件下的设备寿命 ( 曲线左上部分 )。 图2 HCI测试的寿命可靠性外推 经常使用应力测量技术的WLR测试包括热载流子......
使用应力测量技术的WLR测试包括热载流子注入 （HCI）或沟道热载流子（CHC）、负偏置温度不稳定性（NBT）、电迁移率 、时间相关介电击穿（TDDB）和电荷击穿（QBD）测试。这些测试已成为主流CMOS器件......
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
. HCI测试的寿命可靠性外推 经常使用应力测量技术的WLR测试包括热载流子注入 （HCI）或沟道热载流子（CHC）、负偏置温度不稳定性（NBT）、电迁移率 、时间相关介电击穿（TDDB）和电荷击穿（QBD......
、水泵、油泵、空调压缩机等应用中都会使用到 IGBT。 因此，加强对汽车级 IGBT 及其封装技术的研究是推动新能源汽车技术升级的关键。 1. 车载功率半导体概述 纯电......
酰基）吡咯（PSP）作为添加剂均匀化钙钛矿薄膜相分布，获得了 26.1% 的光电转换效率（PCE）。相关成果发表于《自然》（nature）杂志上。 据介绍，钙钛矿太阳电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体......
将这些非电量转换为光信号的变化即可。 探索者 STM32F4 开发板板载了一个光敏二极管（光敏电阻），作为光敏传感器，它对光的变化非常敏感。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管......
近左侧的隔离器），在导通模式下可成为极其出色的导体（Si和SiC的载流子流动性都很高）。   图2. 漂移区更窄是SiC的WBG特性的主要影响，这是导致总Rdson增大的最大因素。 目标......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍; 随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极......
解释为什么二极管会单向导通。 二极管的单向导电性 二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体......
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 背照......
: PEC PD)引起了人们的浓厚兴趣，其工作过程不仅包含传统半导体物理中载流子的产生、分离及传输过程，还涉及电子和空穴在半导体表面/电解液界面处的氧化/还原反应过程。重要的是，在光......
提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。 S1系列HVIGBT模块 凭借高效的电能转换能力，功率半导体正越来越多地被用于助力实现更加低碳的社会。功率半导体......
克服这些限制。碳化硅（SiC）是一种宽带隙材料，已经上市约二十年。SiC的固有载流子密度要小得多，允许高温操作。此外，SiC的非常高的临界电场使我们能够设计额定值大于10 kV的设备。SiC器件......
金属魔法：用半导体量子点打造梦想材料; 研究人员开发出了一种半导体量子点的“超晶格”，它的功能类似于金属。图片来源：美国《赛特科技日报》 据最新一期《自然·通讯》杂志报道，包括日本RIKEN新兴物质科学中心研究人员在内的团队成功创造了一种由硫化铅半导体......
三菱电机：将向功率半导体投资1300亿日元;三菱电机于11 月 9 日举行了功率器件业务的业务说明会，并宣布将在未来五年内向功率半导体业务投资 1300 亿日元，直至 2025 年。该公......
热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子......
家专注于高频、高速和功率半导体器件的制造商，其产品应用领域广泛，包括通信、汽车和工业市场。 Everlight Electronics Co Ltd ：Everlight Electronics Co Ltd 是一......
硅材料特性及优势介绍 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体......
石则是已知天然物质中热导率最高的材料，室温下金刚石的热导率高达 2000Wm‑1K‑1，同时金刚石是宽禁带半导体，具备击穿场强高、载流子迁移率高、抗辐照等优点，在热沉、大功率、高频器件、光学窗口、量子......
中恒微推出采用全新一代 750V 新技术车规级芯片的Mini Z3功率模块;在全球新能源汽车行业蓬勃发展的浪潮中，高效、可靠的电力电子组件成为推动行业前进的关键力量。中恒微半导体......
。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 14、本征半导体的载流子......
技术分享｜半导体激光器为什么需要窄线宽？;为什么需要窄？本文引用地址：目前，随着网络流量的需求爆发式增长，光纤通信传输速率得到大幅提升，其中一种提升传输速率的方式就是通过更高更复杂的调制格式，这对......
国际展览中心）以及北美、欧洲、中国等地的展览上展出。 近年来，作为能够降低碳排放的关键器件，功率半导体的需求正在增加。功率半导体......
智路资本收购全球半导体载具龙头供应商ePAK;近日，北京智路资产管理有限公司（以下简称“智路资本”）宣布，成功收购全球全球排名前四的晶圆载具供应商ePAK。 智路资本表示，收购完成后ePAK......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及......
中国科大在硅基半导体量子芯片的自旋调控上取得重要进展;中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体锗纳米线量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平、李海......
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。 3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体......
二极管、BJT 均为双极型载流子器件，其电导调制效应起主导作用，因此电流越大，阻性越低；温度越高，（电导调制效应越强，载流子浓度越高）阻性越小。 微观世界的神秘风采 好奇......
技术之间的融合正在全面展开。 1)源极：大多数电荷载流子通过其流入晶体管的端子 2)漏极：大多数电荷载流子从晶体管流出的端子 3)逻辑半导体：通过......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用; 一、前言 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体......
米管及电子器件测试 纳米线（Nano Wire）为一种横向上被限制在100纳米以下（纵向没有限制）的一维材料。根据组成材料的不同，纳米线可分金属纳米线，半导体纳米线和绝缘体纳米线。作为纳米材料的一种，纳米......
应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体......
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......

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;康铂塑料科技有限公司;;我公司结合电子包装材料上、中、下游工业，及多年包装技术与经验，专业从事防静电塑料的开发、生产半导体工业上所使用导电与抗静电塑料，可用于IC,LSI,连接器，二三级管，微处理器等逻辑元件
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