三菱电机于11 月 9 日举行了功率器件业务的业务说明会,并宣布将在未来五年内向功率半导体业务投资 1300 亿日元,直至 2025 年。该公司计划在广岛县福山市新建一条 12 英寸晶圆生产线,并计划到 2025 年将其产能比 2020 年翻一番。
根据官方消息披露,三菱电机目前正在福山工厂建设 8 英寸和 12 英寸生产线。8英寸生产线将于2021年11月开始试运行,并计划于2022年春季开始量产。12英寸线的量产目标是2024年。
三菱电机表示,新的12英寸生产线具有通过增加硅片直径和通过自动化提高生产力的优势,以及通过在内部增加载流子存储层实现低损耗的独特“CSTBT cell结构”晶圆。通过这种改进,三菱电机希望能够实现低损耗和提高生产率,三菱电机也将把它应用到 RC-IGBT 上,以实现其产品的差异化,而汽车领域和消费领域将是公司这些产品的首个目标市场。
此外,据日媒报导,关于使用碳化硅(SIC)的次世代功率半导体,三菱电机常务执行董事斋藤让于9日举行的事业说明会上表示,在熊本工厂拥有充足产能、今后将视汽车业界动向来评估是否进行追加投资。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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