资讯
造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%，供给......
能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
HBM......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
Die 容量
1 Tb
1 Tb
1 Tb
512 Gb
N/A
下一代发布日期
?
2024
212 层 (未知)
238 层 (2024)
未公开
根据三星 PPT 来看，QLC NAND......
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测(2022-07-15)
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测;一、前言：超越三星B-Die的国产长鑫A-Die颗粒
4266MHz频率的DDR4内存并不少，但是能在能做到4266MHz C18......
HBM4，掀起波澜(2024-07-18)
的竞争力。近期，韩媒报道，三星计划使用4nm先进制程工艺生产HBM4 逻辑裸晶（Logic Die）。
此前业界猜测三星会用7~8nm制程生产HBM4逻辑裸晶，最新报道显示三星“激进”选择......
三星电子：计划在HBM4世代为客户开发多样化定制HBM内存(2024-07-10)
流需通过中介层
将内存的 I/O 接口和控制器转移到 HBM 内存的 Base Die 上，为计算芯片留出更多用于逻辑电路的空间。
Choi Jang-seok 还提到三星电子正在开发单堆栈达 48GB......
三星推出12纳米级DRAM 明年开始量产(2022-12-23)
改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
此外，三星12nm级......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-22)
改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解......
英特尔、台积电、三星、ARM、AMD等行业巨头联手成立UCIe联盟(2022-03-04)
英特尔、台积电、三星、ARM、AMD等行业巨头联手成立UCIe联盟;综合外媒报道，英特尔、AMD、Arm、高通、微软、谷歌、Meta（元界）、台积电、日月光、三星......
两大存储厂商披露HBM最新进展(2024-09-06)
克服上述挑战，Jung-Bae Lee指出，在HBM4以前，三星是采用自家存储器负责制造，但在下一代高频宽存储器HBM4，基础裸晶（Base Die）已交由晶圆代工厂商负责，而三星则负责Core Die......
汽车Chiplet面临标准混战(2024-02-04)
性流片成本高达数亿美元，流片不成功的话，损失巨大。
Chiplet是快速自研芯片的捷径，可以像搭积木那样采购不同厂家的die再整合为一颗芯片，可大幅缩短研发时间，降低研发风险，降低成本。实际......
金泰克2款DDR5内存通过Intel AVL实验室认证(2022-03-05)
金泰克2款DDR5内存通过Intel AVL实验室认证;今天，深圳市金泰克半导体有限公司去年推出的KT8GU5MA4-M 、KTFGU5MA4-M两款内存，于近日正式通过Intel AVL实验......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21 10:42)
改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
基于DDR5最新......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使......
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命(2024-07-23)
报道，三星计划使用4nm先进制程工艺生产HBM4 逻辑裸晶（Logic Die）；美光则规划2025年—2027年推出HBM4 ，而到2028年则正式步入HBM4E。
除了生产工艺之外，DRAM原厂......
奎芯科技三大优势进军IP和Chiplet领域，助力中国半导体产业(2022-08-12)
科技便是在这样的环境下应运而生的。
奎芯科技三大优势进军IP和Chiplet领域
奎芯科技（M SQUARE）于2021年在上海成立，是一家专业的集成电路IP和Chiplet产品供应商。公司......
SK海力士抢得HBM4先机(2024-04-24)
台积电合作打造下世代HBM4技术。
在三星电子CEO庆桂显拜会台系AI供应链之际，SK海力士高层也低调前来，与台积电签定技术开发合作备忘录，虽然HBM4预计2026年进入量产，然而......
半导体芯片封装将迎新格局，玻璃基板技术冉冉升起：英特尔、三星、AMD 等扎堆研究、量(2024-07-12)
半导体芯片封装将迎新格局，玻璃基板技术冉冉升起：英特尔、三星、AMD 等扎堆研究、量;7 月 12 日消息，集邦咨询于 7 月 10 日发布博文，玻璃基板技术凭借着卓越的性能以及诸多优势，已经......
Chiplet车载应用领域在何处？(2023-08-21)
是简单的单一逻辑（monolithic）die+HBM或DDR型，另一种是复杂的多个逻辑die+I/O+存储。前一种笔者认为不能算是严格意义上的Chiplet，因为这种设计只是用硅互联层代替了PCB板，把HBM与逻......
存储专而精，封测小而美——佰维双轮驱动赋能万物互联(2020-12-07)
Die存储密度不断增大。而封装层面上，芯片大容量提升则依赖于超薄Die和叠Die等核心封测工艺。以单Die 32GB为例，通过8叠Die封装工艺，最终NAND芯片可以达到256GB，而通过16层叠Die......
HBM供不应求，这些台系存储厂有望受益(2024-01-22)
受惠推论模型建置与应用带动。
国际记忆体大厂SK海力士、三星、美光因应此一成长需求，自2023年下半年，不约而同进行了英伟达下一代H200搭载HBM3e的测试，目前预计从2024年第......
存储大厂新动作，2024年大量出货HBM3E(2023-10-13)
的收入。
无独有偶，另一家存储大厂三星近期也公布了HBM新进展。据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时......
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB(2023-03-25)
技术是开发高容量产品的关键，三星已经有能力批量生产32Die堆叠封装（32 die-stack packaging）。
三星通过上述3项技术，不断探索高容量SSD，于2016年推出16TB的SSD，2017年推......
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线(2023-05-29)
与美光、SK海力士分道扬镳，传三星不走3D DRAM路线;
【导读】作为下一代DRAM工艺，3D DRAM正在引起业界的广泛关注，据悉，美光和SK海力士都致力于该技术的研究，美光......
Flash缺货，存储器成为三星的摇钱树(2016-12-01)
2016年，三星将 2D NAND工艺从 16nm逐步切换到 14nm量产来提高成本效益。
若三星采用16nm 工艺，每片 12吋晶圆大约可切割 522颗 128Gb NAND Flash Die......
三星首款12纳米级DDR5 DRAM 2023年量产(2022-12-21)
使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圆生产率提高20%。
在传......
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB(2023-03-26)
已经有能力批量生产32Die堆叠封装（32 die-stack packaging）。
三星通过上述3项技术，不断探索高容量，于2016年推出16TB的SSD，2017年推出32TB的SSD，2019年年末开发出64TB......
MTS 2023峰会嘉宾揭秘；CIS崛起；手机厂商自研芯片新进展(2022-12-26)
来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5......
集成显卡前尘往事：从只能点亮屏幕，到玩3A游戏(2022-07-04)
的Radeon RX Vega M。Intel官方推出了一款搭载AMD核显的Intel处理器，听起来有没有很新奇？
从Kaby Lake-G的外形来看，这代芯片总共有3片die，一片是Intel......
晶圆制造朝封装产业“渗透”，未来也许不止3D、4D(2023-02-20)
得高端系统级性能与3D DRAM的更密集的3D IC堆叠、异构集成封装和封装分区SoC die成为可能。领先的供应商，尤其是台积电、三星和英特尔，都以此为目标，提供......
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存(2021-10-25)
质内存打下坚实基础。
此外，佰维存储是国内半导体存储器企业中率先进入顶级品牌供应链的企业，市面上多款知名品牌的存储产品均为佰维代工，拥有强大的存储模组制造实力。同时在封装测试领域，佰维多层叠Die 、超薄......
美光首个 3D NAND 芯片送样，打破三星独霸局面(2016-10-18)
美光首个 3D NAND 芯片送样，打破三星独霸局面;
内存的 3D NAND Flash 大战即将开打！目前......
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战;一、写在前面
相信大家都听说过三星B-Die颗粒，由于其超强的超频性能，在玩家之间口口相传，绝大多数DIY玩家......
基于NXP TEA2095 200W投影机电源解决方案(2023-03-02)
( 同步整流 ) 在电源供应器被广泛使用 , SR的应用在电源供应器低电压大电流输出及高效率电源供应器 , 使用Mosfet 的Rds on 低阻抗特性 ( m欧姆 ) 与二极体顺向电压 ( Vf......
PCIe4.0企业级SSD擂台赛，三星/大普微/英特尔谁更胜一筹？(2022-04-12)
/s，4K随机读写700K/170K IOPS。
Samsung PM9A3
三星企业级SSD拥有很高的市占率。这次测试的PM9A3提供U.2、M.2 22110和E1......
HBM3e产品验证；而HBM4预计2026年推出
据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，NVIDIA也规划加入更多的HBM供应商，其中三星......
咨询最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，NVIDIA也规划加入更多的HBM供应商，其中三星(Samsung)的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完成验证。而HBM3e进度......
传三星并购英飞凌或恩智浦！(2022-01-12)
传三星并购英飞凌或恩智浦！;据韩媒businesskorea报道，预计三星电子将在近期宣布大规模并购(M&A)交易，该公司为了发展非存储器业务，将英飞凌和恩智浦列为收购对象。
三星......
高通资料泄露：骁龙 8 Gen 4 将基于台积电 N3E 工艺打造，未来某一代考(2023-09-25)
大部分关键信息都打了码，但我们还是可以看到一些关于高通未来代工合作的意向。本文引用地址：其中大家最关心的一点在于：高通正在考察三星 SF2P 工艺，不过下下款产品（ 8 Gen 4）确认将基于 N3E 工艺打造。
此外......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星......
三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用(2024-08-06 10:22)
级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星......
蔚来5纳米自动驾驶芯片分析(2024-01-02)
纳米芯片代工的只有台积电和三星，蔚来找三星代工的可能性更高，一来台积电代工价格至少是三星的两倍，二来三星的5纳米客户稀缺，车规级更是稀缺，台积电有大量高通5纳米车规芯片订单，产能可能还比较紧张，三星......
晶圆代工厂涉足封装，会给OSAT带来威胁吗？(2016-12-29)
并掌控的客户芯片封装需求的市场逐渐发生了变化，今年苹果的A10封装导入了台积电的的Fan-out技术，对OSAT来说就是一个信号。
而在这之后，也传出了三星和Intel将谋划进攻先进封装产业，如果......
机构：HBM全年供给增幅可达260%(2024-03-20)
的HBM/TSV产能，其中三星HBM TSV年产能将在2024年达到130K/m。SK海力士次之，可达120~125K/m；美光相对较少，仅为20K/m、目前三星、SK海力士规划提高HBM产能最积极，其中......
台积电、三星两大晶圆代工龙头最新产能规划、先进制程进展曝光！(2023-06-28)
小芯片市场的快速增长，三星本月与其SAFETM合作伙伴以及多家存储、封装基板和测试厂商合作，成立“MDI（Multi-Die Integration, 多芯片集成）联盟”。未来，三星还将与SAFETM合作......
全球首款，苹果 iPhone 15 Pro 机型配备美光“D1β”LPDDR5 DRAM 芯片(2023-09-27)
美光革命性的 D1β LPDDR5 16 Gb DRAM 芯片，代号为 Y52P die。
该芯片的与众不同之处不仅在于其先进的技术，还在于其更小的物理尺寸。此外，与其前代产品 LPDDR5/5X D1α 16......
DDR5内存浪潮到来，佰维存储推出DDR5-4800大容量内存(2021-10-21)
强大的存储模组制造实力。同时在封装测试领域，佰维多层叠Die 、超薄Die、多芯片异构集成等先进工艺，以及产品良率等核心封测指标均达到业内一流水平。
近日，佰维存储发布DDR5内存，该内......
解读特斯拉 HW4.0：二代 FSD 与英伟达 Orin 比，谁更优秀？(2023-02-19)
波雷达。
01
特斯拉二代 FSD 由三星代工，采用 7 纳米工艺
早在 2021 年，外界就有传闻 FSD 二代将由三星代工，也有一种说法是特斯拉与三星联合开发。
到了 2022 年下半年，又有......
相关企业
Mintech Semiconductors Ltd;;Mintech is an added value semiconductor bare die distributor. Mintech
;晨浪贸易(深圳)有限公司;;晨浪贸易(深圳)有限公司是香港星晨集团有限公司于2007年3月在中国深圳开设的一家全资子公司,主要经营集团公司代理的三星,西铁城微型打印机芯及微型打印机,主要
;刘兰喜;;我公司成立于2006年,位于深圳市宝安区西乡,是USB连接器,手机线连接器,数据线连接器系列的专业生产厂家,主要产品有;USBA/M,AM直板三件式B/M短体,B/M三件式,MINI5P
;屈劲;;提供IC DIE,COB,SKD
AIRCO SystemDruckluft GmbH;;Die Firma AIRCO SystemDruckluft GmbH ist eine der führenden
;XMetals.net;;We specialize for metal crafts by 5 main metal process. Soft Enamel, Hard Enamel, Die
;深圳市韩宇科技有限公司;;香港韩宇科技有限公司现主要业务是以代理韩国“有进”公司平板显示设备和检测仪器及LCD生产中的辅助材料（韩国/日本）等产品，在国内及韩国拥有大量的客户，如韩国三星，LG
. Die Qualität unserer Dienstleistung und die Zufriedenheit unserer Kunden stellen für uns
Chip Supply;;Chip Supply is the most trusted source for semiconductor die and packaging solutions
设备及配件有: 1.九洲松下KME,型号：CM82-MG/CM86CM-M/CM88C-M/CM88S-M/CM201-DH/CM202-DH/CM301-D/.......... 2.FUJI富士,型号:CP42