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三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产(2023-05-18 14:45)
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-02)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;
【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;
【导读】三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-03)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;2023年9月1日，宣布采用(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb （
：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-22)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;宣布，已成功开发出其首款采用（nm）级工艺技术打造的16 Gb ，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。本文引用地址：首款级
高级副总裁兼产品与技术......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
存储大厂先进制程竞赛迎新进展;三星电子官方消息，近期三星已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。新款DRAM将于......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
模组此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
模组此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5......
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产(2023-05-19)
功耗降低23%，三星12nm级DDR5 DRAM成功量产;当地时间5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产，可以......
三星2022技术日公布三大重要计划(2022-10-13)
文中，我们将讨论会议的一些主要亮点。三星将着眼于 1.4nm在三星 2022 年代工论坛上，该公司宣布了继续扩展其工艺技术的计划。今年早些时候，三星开始生产其 3nm 节点，这是......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21 10:42)
功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术......
三星推出其当前最快、专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X(2024-04-18)
纳米（nm）级工艺技术，三星实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，巩固了其在低功耗DRAM市场的技术卓越地位。
● 功能亮点包括：性能提升25%、容量......
DRAM制程失速，全球存储市场在竞争什么？(2023-02-17)
五代10nm级别DRAM产品。同年12月，三星开发出首款采用12nm级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM。
2022年11月，美光将1β DRAM产品......
三星电子宣布开发出12nm级32GbDRAM(2023-09-01)
三星电子宣布开发出12nm级32GbDRAM;2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb......
消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片(2024-02-05)
内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 。这款大容量 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb......
美光2025年量产1γ DRAM，先进制程竞赛继续打响(2023-09-04)
）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。
此外，今年5月三星宣布量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，9月三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发......
三星发布其容量最大的12nm级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01)
三星发布其容量最大的12nm级32Gb DDR5 DRAM产品;9 月 1 日消息，三星今日宣布采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术，开发出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相......
内存主导前沿芯片制造：三星、美光和SK海力士占前沿产能的76%(2023-03-03)
智能手机的高性能应用处理器和用于无晶圆厂半导体行业的SoC。
台积电是业界顶级的纯晶圆代工厂，在所有四个工艺生成组中均名列前五名。TSMC拥有39条晶圆厂生产线，可提供多样化的工艺技术......
存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了？(2023-10-20)
造工厂量产。
三星方面，今年5月，三星量产12nm级16Gb DDR5 DRAM；9月，三星开发出基于12nm级工艺技术的32Gb DDR5 DRAM，将于今年年底开始量产。
三星计划于2023......
存储大厂：CXL内存将于下半年爆发？(2024-07-20)
合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。
除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存......
三星 vs SK海力士，争夺下一代AI半导体霸主地位(2024-04-25)
司与台积电合作，SK海力士计划使用台积电的先进逻辑工艺技术生产HBM4。
为了对抗SK海力士-台积电联盟，三星......
三星推出其当前最快、专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X(2024-04-17 15:00)
DRAM
利用12纳米（nm）级工艺技术，三星实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，巩固了其在低功耗DRAM市场的技术卓越地位。"随着对低功耗、高性能内存需求的增加，LPDDR DRAM的应......
三星推出其当前最快、专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X(2024-04-17 15:00)
DRAM
利用12纳米（nm）级工艺技术，三星实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸，巩固了其在低功耗DRAM市场的技术卓越地位。"随着对低功耗、高性能内存需求的增加，LPDDR DRAM的应......
全球存储市场在竞争什么？(2023-02-03)
nm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp之间。
同年12月，三星开发出首款采用12nm级工艺技术......
三星官宣DRAM迎新突破，存储器未来市况如何？(2023-09-02)
2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。
据三星......
三星公布发展规划；ASML继续向中国出货非EUV光刻机(2022-10-24)
东京举办了该论坛活动，韩国首尔是今年三星晶圆代工论坛的收官站点。
在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技术成果，以及未来五年晶圆代工事业发展规划。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺技术......
2024真的会是英特尔夺回半导体工艺技术领先地位的一年吗？(2024-02-29)
，三星宣布已经开始制造其基于该公司的Multi-Bridge-Channel FET（MBCFET）的3纳米工艺技术。这是三星版本的GAA FET。
Intel 20A还将PowerVia，英特尔的背面电源技术......
三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 ASML High-NA EUV 光刻机(2024-08-16)
High-NA 光刻机，主要用于研发目的，开发用于逻辑和 DRAM 的下一代制造技术。
三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，三星......
三星电子171万亿韩元投资System LSI和Foundry业务(2021-05-14)
韩元（约1514亿美元），以加快尖端半导体工艺技术的研究和新生产设施的建设。
三星电子表示，该计划比之前在2019年4月宣布的133万亿韩元的投资额增加了38万亿韩元（约336.4亿美元），预计......
Flash缺货，存储器成为三星的摇钱树(2016-12-01)
体营业利润更是同比下滑 10.2%，主因 DRAM和 NAND Flash市场价格下滑，导致产品获利降低。三星在财报中表示，将扩大销售 V-NAND服务器 SSD等高密度产品以及增加 14nm工艺技术产品出货，提高......
用GDDR6W打开VR世界(2022-12-30)
。
尽管半导体行业致力于不断研究和发展前工艺技术中电路制造的技术，但随着这些技术越来越接近上限，封装技术却变得越来越重要。因此，三星电子将不断开发先进的封装技术，例如......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
迟、新work-function材料、HKMG 晶体管和片上 ECC等工艺技术的挑战。具体可参考半导体行业观察之前的文章《DRAM和3D闪存......
就你会改名？三星决定将SF3更名为SF2应对英特尔挑战(2024-03-06)
就你会改名？三星决定将SF3更名为SF2应对英特尔挑战;近日，有报道称三星代工厂已决定对其工艺技术进行一次重要的重命名。具体来说，原本被称为SF3的第二代3纳米级制造技术，现在被重新命名为SF2，即......
三星半导体事业主管：制程技术五年内超越台积电(2023-05-06)
三星半导体事业主管：制程技术五年内超越台积电;
据 21ic 近日获悉，韩国电子事业主管庆桂显昨天表示，三星半导体的芯片制程工艺技术优势将在未来五年内超越全球晶圆代工龙头，预计在
2nm......
三星更新工艺技术路线图：2025 年 2nm，2027 年 1.4nm(2023-06-28)
三星更新工艺技术路线图：2025 年 2nm，2027 年 1.4nm;6 月 28 日消息，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上公布的最新工艺技术......
DRAM营收排名；TSS 2023定档6月；50亿产业基金成立(2023-05-29)
月的VLSI Symposium 2023上公布其名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术和名为SF4X4纳米芯片制造工艺。该活动将于2023年6月11日至16日在日本京都举行...详情请点击《苹果......
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM(2024-08-29)
首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。
SK海力士强调：“随着10纳米......
全球晶圆产能排名：三星/台积电领衔(2023-03-06)
产能的排名中均位于前五。
目前，台积电拥有39条晶圆厂生产线，提供多样化的工艺技术组合，迎合各种各样的客户。
联电和中芯国际等其他纯晶代工厂在成熟的技术领域发挥着重要作用。
作为......
存储原厂交出亮眼财报，2021大动作回顾(2021-11-05)
持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星计划将其14纳米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好满足快速增长的数据需求。
同样在10月，三星在第五届代工论坛（SFF）上公布芯片工艺技术......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品(2023-04-20)
已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司以全球顶级后端工艺技术力为基础，接连......
存储大厂获数百亿补贴扩产尖端DRAM，最新市况如何？(2024-12-12)
引入其马纳萨斯工厂，并显著提高每月晶圆产量。公开资料显示，美光的1-alpha节点是一种先进的DRAM工艺技术，在位密度、功率效率和性能方面都有显著的改进。
除美光外，据全球半导体观察不完全统计，美国......
MTS 2023峰会嘉宾揭秘；CIS崛起；手机厂商自研芯片新进展(2022-12-26)
...详情请点击
4存储大厂先进制程竞赛进展
三星电子官方消息，近期三星已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起......
疫情下半导体资本支出不减反增！中芯国际增速第一(2021-01-19)
衰退。
IC Insights预估，整体半导体资本支出2020年将较2019年成长6%，达到1,080亿美元。“由于专注在领先提供7/5nm工艺技术，台积电几乎贡献了2019全年......
中国大陆存储芯片产业“炮台”已搭起(2016-10-18)
主要生产内存DRAM。然而由于这些外资主导的厂商在工艺技术上的严格保密，大陆本土的工程师很难走到核心技术岗位，这对大陆存储芯片制造业的帮助非常有限。此外，紫光 收购美光、入股西数曲线收购SanDisk等海......
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品(2023-04-21)
已向数多全球客户公司提供了24GB HBM3 DRAM样品正在进行性能验证，据悉客户对此产品抱有极大的期待。
SK海力士封装测试（P&T）担当副社长洪相后表示：“公司以全球顶级后端工艺技术......
再建一座新厂，先进封装迎来最强风口！(2024-06-24)
要解决新材料的应用问题，如氧化沟道材料和铁电体的研发。据悉，三星电子计划在2025年内部发布4F2 Square工艺，并逐步推进3D DRAM的研发，预计在2030年之前推出市场。
12
台积电最新先进封装技术......
CEVA加入三星SAFE™晶圆代工计划(2023-08-15)
的厂商简化芯片设计并加快产品上市速度。
三星代工厂为客户提供具有竞争力的工艺、设计技术、IP和大批量制造能力，其中的全套先进工艺技术包括28FD-SOI、14/10/8/5/4nm FinFet和3nm GAA，以及5nm以上......
CEVA加入三星SAFE 晶圆代工计划(2023-08-16)
的厂商简化芯片设计并加快产品上市速度。
三星代工厂为客户提供具有竞争力的工艺、设计技术、IP和大批量制造能力，其中的全套先进工艺技术包括28FD-SOI、14/10/8/5/4nm FinFet和3nm GAA，以及5nm以上的EUV......
半导体市场冰火两重天；NAND Flash现货市场出现短期涨势；原厂企业级SSD营收排名出炉(2023-09-04)
本控管会更谨慎，2024年中低端机种1TB以上的规划可能减少…详情请点击
6
三星DRAM新突破
9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb......
相关企业
;广州市华胜弘邦计算机有限公司;;华胜弘邦成立于2002年，为三星半导体中国区代理商(包括DRAM、SRAM、Graphics Memory、Flash&SmartMedia、Mask ROM
;汇美阁手工艺工作室;;汇美阁手工艺工作室，是一家专业从事手工艺技术研究、开发的手工艺工作室。目前以时下最流行的纸艺为主要项目，专业提供各类纸艺技术培训、纸艺材料批发、创业指导等服务。 汇美
+1Gb+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
体 DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 SAMSUNG半导体代理商｜三星半导体代理商｜三星芯片代理商-三星芯片官网中国授权三星半导体代理商 深圳
一支高素质、高水平的研发队伍，具备从设计、生产、加工的整体制造能力，可为客户提供电子装备工艺系统集成服务。 四十年来，二所在自动化技术、精密机械加工、热加工工艺技术与设备、电子装联工艺技术与设备、粉末冶金技术
+64 NAND+MOBILE DRAM/DDR ◎三星MMC卡MMCmicro,MMCmobile,MMCplus,容量分别为 8G,4G.2G.1G.512M.256M.128M.64M.32M
总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品
;雅靓工艺品标牌设备公司;;标牌、线路板、金属工艺品、铝表面氧化处理等设备成套配制及工艺技术一条龙服务。 让您真正的做到少走弯路！ 您的要求就是我们的追求！
梅，总经理：苗守义，现有职工98人，工程师10人，专业技术人员26人。公司注重科技进步，采用国内先进生产设备及工艺技术，并对工艺技术不断进行系统改造和完善。
;珠海恒祥电子科技有限公司;;公司拥有精湛的工艺技术，先进的生产设备，优秀的人才，现代化的生产经营方法。