资讯
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
现十分软，未达到临界值。开通时，所有器件的开关性能不相上下。如果栅极电阻（RG）进一步降低，S7的开关损耗降低，dv/dt值增大。
图2.在VDC=600V和TJ=25°C条件下，当IC=Inom......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
电压超过阈值电压，即使在关断后也会引发寄生导通。
图9 (b)中的红色波形显示了通过该路径测得的电流。电流峰值与dv/dt成正比，并导致电阻器两端产生峰值电压。这意味着该电流将限制外部栅极电阻（RG......
PFC电路：栅极电阻的更改(2023-03-16)
很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。本文引用地址：
关键要点
・增加......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
器件时，需要使用三个重要组件来避免振荡。个是缓冲电路，第二个是铁氧体磁珠，第三个是栅极电阻 (Rg) 依赖性。RC缓冲电路由串联的电阻器和电容器组成（即简单的低通滤波器）。如果将其连接在功率 FET......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
栅极驱动器。IGBT/MOSFET 栅极电阻选择 RG 值时，重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC，我们选择的 RG 在 IC 允许......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
值）- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
我公司的标准试验条件下测出。纵坐标表示传感器电阻比 Rg/Ra，Rg与Ra的定义如下：Rg = 各种浓度气体中的传感器电阻值Ra = 洁净空气中的传感器电阻值
如上图所示，本系列传感器对10 ppm异丁......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
我公司的标准试验条件下测出。纵坐标表示传感器电阻比 Rg/Ra，Rg与Ra的定义如下：Rg = 各种浓度气体中的传感器电阻值Ra = 洁净空气中的传感器电阻值
如上图所示，本系列传感器对10 ppm异丁......
Amphenol RF推出微型高压（MHV）线缆组件(2023-08-24)
。Amphenol RF MHV线缆组件采用行业标准RG-58线缆和卡口耦合机制，可实现轻松快速的连接/断开功能。该组件采用直通式MHV连接器，具有镀镍黄铜主体和镀银黄铜触点。镍镀层提高了耐用性。虽然MHV......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
-低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE＝0V）
主要规格：
注：
[1......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
统方法可能会提高外部栅极电阻值。因为这些器件的CGD（CRSS）相对较高，所以外部RG值可以放缓dV/dt而不会过度延迟时间。对于图腾柱PFC等快速开关应用而言，这种方法非常好，在这种情况下，较快的dV/dt会带......
全差分放大器为精密数据采集信号链提供高压低噪声信号(2024-10-28)
性能没有得到优化。
图2.单端转差分电路
更好的方法是将两个运算放大器配置成差分方式，类似于基本差分放大器，其中U1和U2共享反馈和增益电阻，增益Av = (RG + 2RF)/RG(见图......
声光控延时开关电路板的组成及原理(2023-10-20)
使声光控开关在白天开关断开，即由光敏电阻RG等元件组成光控电路，R6和RG组成串联分压电路，夜晚无环境光时，光敏电阻的阻值很大，两端的电压高，则与非门D1的1脚为高电平“1”，通过与非门D1则为低电平“0”。再通......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
的作用是单向导通，D点为低电平时，使保护电路对欠压电路部分无影响。
典型的IGBT驱动电路如下图。对于IGBT的驱动，由于IGBT的特性随VGE和RG变化，而且随IGBT的电......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
密切注意耗散和其他性能问题。例如，反向偏置安全工作区具有温度特性（在高温下劣化），VCE－IC 的工作轨迹根据栅极电阻 Rg 和栅极电压 VGE 而变化。
因此，有必......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
VCC通过M1和Rg给Cgs，Cgd充电，从而使MOSFET开通，其充电简化电路见图2。当M1关断，M2开通的时候，Cgs通过Rg和M2放电，从而使MOSFET关断，其放电简化电路见图3。
衡量......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗(2020-02-17)
电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
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器件经过100 % RG和UIS测试，符合......
AD9929数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:01)
：RG时钟、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、一个基底时钟和一个基底偏置脉冲。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9929采用64引脚CSPBGA封装，额定温度范围为-25℃至+85°C。......
AD9991数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:31)
位模数转换器。时序发生器提供所有必需的CCD时钟：RG、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、基底时钟和基底偏置控制。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9991采用节省空间的56引脚LFCSP......
AD9923A数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:36)
与5场、10相CCD一起使用。
模拟前端包括黑色电平箝位、CDS、VGA和一个12位ADC。时序发生器和垂直驱动器提供必需的CCD时钟：RG、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、基底......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
的驱动正电压是+15V，在关断期间，串扰电流Igd（红色线）会流经Ciss, 在关断电阻Roff和IGBT内部栅极电阻Rg两端，产生左负右正的电压，这两个电压叠加在IGBT门极，此时IGBT会有......
AD9977数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:01)
模拟前端均包括黑色电平箝位、CDS、VGA和一个65 MSPS、14位模数转换器。时序驱动器为RG、HL和H1至H4提供高速CCD时钟驱动器。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9977采用节省空间的6 mm......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品(2022-12-06)
转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型（RG174/U、RG-178/U、RG316/U），每类都提供标准的 152 毫米和 305 毫米两种长度。
伍尔......
AD9940数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:20)
差分输出提供良好的信号完整性。AD9940采用2.7 V单电源供电，功耗典型值为105 mW（不包括H/RG驱动电流），提供48引脚LQFP和48引脚LFCSP封装。
应用
专业高清电视摄像机
专业/高端......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品——高频连接器：SMA、RPSMA、线缆和转接头(2022-12-06)
边缘安装的连接器，所有这些产品都具有 IP67 防护等级。新产品还包括直角 SMA 转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型线缆（RG174/U、RG-178/U、RG316......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品(2022-12-06)
安装的连接器，所有这些产品都具有 IP67 防护等级。新产品还包括直角 SMA 转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型线缆（RG174/U、RG-178/U、RG316/U），每类......
深度解析Waymo的自动驾驶训练数据集(2023-05-23)
叠数与进行多模态预测次数的比值。一个样本e对应的一次多模态预测中，最高置信度的预测里，每一个时间步step，一个对象与另一个真实情况或该预测情况的其他对象的3D边界框存在重叠，则重叠数加1。
漏检率（Miss......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
）栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值......
Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率(2019-12-11)
和烟雾报警器。
SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。
VISHAY简介
Vishay......
OPPO携手2023年法网公开赛，以专业影像助力捕捉精彩瞬间(2023-05-26)
次举办“RG x OPPO Photo Gallery”，展示 OPPO Find N2 Flip 等最新旗舰智能手机捕捉的励志瞬间。 OPPO还将继续通过法网“每日最佳进球”线上平台展示，在比......
基于CTF25无级变速器的驻车机构设计(2023-07-21)
棘轮最大负载计算
式中m--整车满载质量（m）；
g--重力加速度；
α--坡道与水平面之间的夹角（°）；如图2所示
r-轮胎半径（m）；
id--差速器与棘轮所在输出轴的传动比；
rg--驻车棘轮接触半径（m......
基于TDR技术的阻抗测量系统的设计和应用研究(2023-06-01)
误安装SMA连接器（2，红）时RG 405同轴电缆的反射图。
只有传输路径上所有元件（不仅包括蚀刻线，而且包括电缆、连接器甚至集成电路中的终端电阻）都是阻抗匹配的，才能......
CS5265的功能介绍 转HDMI 4K60HZ方案(2023-11-02)
式EDID（如果终端设备没有，CS5265将响应EDID）
支持HDCP 1.4和HDCP2.3，带片上键以支持HDCP中继器。
支持RG 4:4:4 8/10位pc和YCCr 4:4:4、4......
英国将试验使用低地球轨道卫星为家庭和企业提供高速互联网连接(2022-12-07)
);
天线电缆：单一同轴电缆
电缆损耗 最大/最小：4/20 dB (1.62GHz)，4Ω直流环路电阻;
RG-223 : 最小7米 / 最大25米 ;
RG214–FRNC......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
2、电源IC......
OPPO携手2023年法网公开赛，以专业影像助力捕捉精彩瞬间(2023-05-26)
更方便捕捉运动员、球迷等场内外激动人心的精彩瞬间。
图片使用OPPO手机拍摄
在赛事期间，OPPO 将再次举办“RG x OPPO Photo Gallery”，展示 OPPO Find N2......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
另有说明，Ta＝25℃）
注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta......
模块化碳化硅（SiC）器件评估的深入分析(2024-09-23)
可以在开始最终设计之前优化响应时间并验证评估板上的性能。
评估平台中的栅极驱动器卡(图 3)有助于分析 SiC 器件的性能。它们为工程师提供了一种测量 QRR 和开关损耗(E ON、E OFF、E RR)等重要因素的方法，有助于了解设备的运行效率。还可......
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET(2023-01-30)
布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件......
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET 可大幅节省系统面积并简化设计(2023-02-01)
SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件规格表：
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？
这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。
应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务......
缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
竞品对比表：
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。
......
安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效(2023-01-06)
速扩展，证明安森美是个强大的合作伙伴。”
EliteSiC器件的RDS(on)典型值为80 mΩ，栅极电荷(Qg)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低......
安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效(2023-01-09)
)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低了应用中的热管理要求，从而实现尺寸更小、成本更低的方案。
执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton......
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能(2024-11-21 11:00)
驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全......
一种基于STM32的力反馈型康复机器人控制系统设计(2023-10-26)
采用的扭矩传感器为差分信号输出，其输出为K+和L，电压幅值为毫伏级，故需要进行差分放大后，才能送人微控制器进行A/D转换。该差分放大器采用小尺寸、低功耗、高精度的AD620。差分输出为：
式中RG为增益的外部控制电阻，选择......
艾睿满足不同电源应用需求的多样化解决方案(2023-08-23)
（Field Stop Trench Gen4）技术的高速版IGBT，由于想要拥有更快的开关，将导致更高的电压尖峰，竞争对手的高速IGBT需要更高的Rg，由于安森美的FS4高速IGBT的电压尖峰较小，因此......