Vishay推出的新款对称双通道MOSFET 可大幅节省系统面积并简化设计

发布时间:2023-02-01  

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海2023130 日前, Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新型30 Vn沟道功率---SiZF5300DTSiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V 组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。 Siliconix SiZF5300DTSiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。

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日前发布的双通道可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间,同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%MOSFETUSB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果,特别是在1 A4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A15 A重载的理想解决方案。

 

SiZF5300DTSiZF5302DT利用30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW2.93 mWSiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM,比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%100 W能效达到98%

 

与前代解决方案对比

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器件采用倒装芯片技术增强散热能力,独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF5300DTSiZF5302DT经过100% RgUIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

器件规格表:

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SiZF5300DTSiZF5302DT 现可提供样品并已量产。

文章来源于:电子产品世界    原文链接
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