Vishay新款80V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达先进水平,提高功率密度、能效和热性能

发布时间:2024-03-14  

Vishay的新款80V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能


节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计


美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月14日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。


image.png


日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,用于同步降压转换器、负载点(POL)转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级,适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中,SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合,同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。


为提高功率密度,该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 m,达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为 131m*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。


器件采用倒装芯片技术增强散热能力,热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低,连续漏电流达36 A,比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。


竞品对比表:


image.png


SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

我们与500+贴片厂合作,完美满足客户的定制需求。为品牌提供定制化的推广方案、专属产品特色页,多渠道推广,SEM/SEO精准营销以及与公众号的联合推广...详细>>

利用葫芦芯平台的卓越技术服务和新产品推广能力,原厂代理能轻松打入消费物联网(IOT)、信息与通信(ICT)、汽车及新能源汽车、工业自动化及工业物联网、装备及功率电子...详细>>

充分利用其强大的电子元器件采购流量,创新性地为这些物料提供了一个全新的窗口。我们的高效数字营销技术,不仅可以助你轻松识别与连接到需求方,更能够极大地提高“闲置物料”的处理能力,通过葫芦芯平台...详细>>

我们的目标很明确:构建一个全方位的半导体产业生态系统。成为一家全球领先的半导体互联网生态公司。目前,我们已成功打造了智能汽车、智能家居、大健康医疗、机器人和材料等五大生态领域。更为重要的是...详细>>

我们深知加工与定制类服务商的价值和重要性,因此,我们倾力为您提供最顶尖的营销资源。在我们的平台上,您可以直接接触到100万的研发工程师和采购工程师,以及10万的活跃客户群体...详细>>

凭借我们强大的专业流量和尖端的互联网数字营销技术,我们承诺为原厂提供免费的产品资料推广服务。无论是最新的资讯、技术动态还是创新产品,都可以通过我们的平台迅速传达给目标客户...详细>>

我们不止于将线索转化为潜在客户。葫芦芯平台致力于形成业务闭环,从引流、宣传到最终销售,全程跟进,确保每一个potential lead都得到妥善处理,从而大幅提高转化率。不仅如此...详细>>