资讯
负载功率监控器改善了高端电流测量(2023-02-02)
of the nominal valueVREF changes with loadVREF changes with temperature乘法器输入 （IN） 与温度的关系图，带 V抄送= 5V 和......
电机转矩,功率,转速的换算方法(2024-07-16)
/3.1415926*P=T*n9549.297*P=T*n
这就是为什么会有功率和转矩*转速之间有个9550的系数关系。。。
电动机转矩、转速、电压、电流之间的关系
由于电功率P=电压U*电流I，即P=UI......
如何为宽带的精密信号链设计可编程增益仪表放大器(2022-11-25)
对不同的增益设置施加不同的输入电压，将其输出设置为8.192V p-p。图7显示分立式宽带PGIA的总谐波失真(THD)与频率性能之间的关系。
图7.PGIA THD与频率的关系......
模拟音频涉及到哪些基础知识 +4dBu和-10dBV到底有什么区别(2024-01-12)
（0.25mW / 1mW） = 10 * log （0.25） = -6 dBm
dBu（也叫做dBv）和dBV
再回忆一下高中物理吧。功率（P）还可以用电压（V）和电阻（R）之间的关系来表示：
P......
电动机计算常用的公式(2023-03-24)
电机实际转速会略低于同步转速，所以我们往往会看到4极电机一般是1400多转，达不到1500转。
4、电机转矩、功率计转速的关系
电机转矩、功率计转速的关系：T=9550P/n（P是电机功率、n是电机转速），可以......
鲁棒的视频接收器 输入具有电池短路保护功能(2024-07-22)
号增益为0.5V/V ，设计用于将视频信号保持在视频解码器允许的输入范围内，通常为1 V p-p或更低。
输入共模电压范围
在一个具有0.5 V/V增益的标准4 电阻差动放大器中，输入共模(CM)范围......
ADALM1000技术系列中信号之间的相位关系(2023-05-31)
。
相位：
其中T为正弦波周期。
正弦波中自然发生的时间偏移
一些无源元件会让其上的电压与流过其中的电流之间产生时间偏移。电阻两端的电压与流过其中的电流具有简单的与时间无关的关系，V/I = R......
交流电机功率计算公式 交流电机功率和转矩的关系(2023-07-31)
进行修正。此外，实际使用中需考虑电机本身的效率等因素，以确定其实际输出功率。
交流电机的功率和转矩之间存在一定的关系。基于物理定律和电气原理，交流电机的功率和转矩之间可以表示为：
功率 P......
浅析电机原理及几个重要公式(2023-03-23)
电机实际转速会略低于同步转速，所以我们往往会看到4极电机一般是1400多转，达不到1500转。
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电机转矩、功率计转速的关系
电机转矩、功率计转速的关系： T=9550P/n （P是电机功率、n是电......
浅谈PLC控制器频率与伺服驱动器和负载转速(2023-03-07)
/s。
K：减速机减速比。
V：滑块移动的速度,单位：mm/s。
D：丝杠导程，单位：mm
二 、PLC控制器输出的脉冲与位移之间的关系
有了上面的一些介绍，我们再来讨论下：
如下图，已知......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
上将推出一款采用全集成拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几......
S3C2440时钟详解(2024-06-11)
;>4)&0x3f, mpll_val&3);
ChangeClockDivider(key, 12);
1）FLCK、HCLK和PCLK的关系
S3C2440有三个时钟FLCK......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
许狭窄的 p+ 到 p+ 间距尺寸，从而有效屏蔽下部氧化物角。静态性能——象限操作MOSFET 静态输出特性的关键参数是总电阻 R DS(ON)。CoolSiC? MOSFET 的典型导通电阻是在室温下且 V......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
杂浓度要足够低。
如果 IGBT 的栅极接到正电压（通常是 +15 V），IGBT 进入导通状态。首先，在氧化层下面的 P 区建立反型导电沟道，为电子从发射极到 N - 区提供导电通路，从而降低 N - 区的......
KUKA电机之同步电机工作原理(2023-01-06)
变化与机械运动于一体，实现电能与机械能变换的元件，其动态性能十分复杂，而且其动态性能又对全电力系统的动态性能有极大影响。特点是：稳态运行时，转子的转速和电网频率之间有不变的关系n=ns=60f/p，其中f为电网频率，p......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
当MOSFET工作在第三象限是否还有类似的关系呢？我们这里采用控制变量法，通过仿真来一探究竟：
首先我们看同一结温（25℃）下，不同的驱动电压I-V曲线：
由上仿真结果图我们可以总结出：
1.Vgs......
常见问题解答:如何在SPICE中构建铂RTD传感器模型(2023-09-18)
还有在0°C时电阻为200、500、1000和2000 Ω的RTD元件。铂RTD电阻与温度的关系由Callendar-Van Dusen (CVD)方程来描述。方程1描述了PT100 RTD在0°C以下......
电机的结构及原理 电机的几个计算公式(2024-01-11)
机一般是1400多转，达不到1500转。
3、电机转矩、功率计转速的关系：T=9550P/n（P是电机功率、n是电机转速），可以从上面序号1内容中推导出来，不过我们没必要学会推导，记住......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
VGS的关系；以及（d）输出。
NexGen的器件是在100mm的体衬底上制造的。鳍状通道的高度约为1μm，宽度约为亚微米。栅极由鳍片之间的注入p-GaN区域组成。对于650V和1200V器件，鳍状......
基于单片机实现水力参数监测仪的设计(2023-05-24)
水头和机组效率。水轮机过机流量可采用蜗壳差压法来进行测量，即用压差变送器测出蜗壳测流断面内外的压差△P，并根据压差△P与流量Q的关系式计算出水轮机的流量，其中，参数K为蜗壳流量系数，一般可预先通过绝对效率试验（如流......
无刷直流马达的特性计算公式(2023-04-25)
无刷直流马达的特性计算公式;无刷直流电机的运行特性
无刷直流电机的运行特性是指电机在起动、正常工作和调速等情况下，电机外部各可测物理量之间的关系。
电机是一种输入电功率、输出......
跨电感电压调节器的多相设计、决策和权衡(2024-06-05)
图6.同一电路板上6相12 V至1.8 V解决方案的效率与Io的关系：(a) TLVR和(b) NCL
结论
TLVR的FOM一般约为2，从这......
一种基于STM32的光功率计的设计与实现(2023-08-17)
了从400～1800NM的波长范围。不同材料的PIN光电探测器响应度R和波长λ的关系如图2所示。
图2 PIN光电探测器响应度R和波长λ的关系
绝对响应度是衡量光电探测器性能优越的一个重要指标，决定光电流与光功率之间的关系......
跨电感电压调节器的多相设计、决策和权衡(2024-06-05)
A（每相）。
图5.同一电路板上的解决方案：(a) TLVR和(b) NCL
图6.同一电路板上6相12 V至1.8 V解决方案的效率与Io的关系：(a) TLVR和(b) NCL
结论......
FCLK、HCKL和PCLK的关系(2024-07-23)
FCLK、HCKL和PCLK的关系;三星官方搭载的wince系统的FLCK值为400MHz，HCLK值为100MHz、PCLK值为50MHz。那么这些值通过什么方法计算出来呢？大概过程如下，这些......
Semidynamics和Arteris合作加速 AI RISC-V 片上系统开发(2023-11-07)
家完全可定制的高带宽和高性能 RISC-V 处理器 IP 提供商。Arteris和Semidynamics今天宣布建立合作伙伴关系，以加速人工智能(AI)、机器学习(ML)和高性能计算(HPC)应用......
如何使用LTspice获得出色的EMC仿真结果(2023-12-15)
乘以0.5。
图8. DM噪声（黑色）和CM噪声（蓝色）的LTspice FFT图
在实验室中，传导辐射通常以dBµV为单位进行测量，而LTspice的默认单位为1 dbV。两者之间的关系为1......
跨电感电压调节器的多相设计、决策和权衡(2024-06-05)
显示了基于12 V至1.8 V 6相设计的关键TLVR性能参数与调谐电感Lc的关系（电流纹波的Fs = 300 kHz）。TLVR = 150 nH是给定尺寸下勉强满足Isat/ph规格......
PID控制器的传递函数(2023-05-24)
）和微分单元（D）组成。其输入e（t）与输出u（t）的关系为：u（t）=kp［e（t）+1/TI∫e（t）dt+TD*de（t）/dt］式中积分的上下限分别是0和t因此它的传递函数为：G（s）=U......
基于LDO的音频功放测试技术(LM4990为例)(2024-09-04)
条件：FSS9（VDD）=0V，K1、K2、K3断开，除VDD和GND脚外，其它脚拉出100uA电流，分别测试管脚1、2、3、4、5、8的电压VShort;
测试规范：-0.8 V 《VShor......
如何使用LTspice获得出色的EMC仿真结果—第1部分(2024-02-21)
电路：(a) 使用4.7 μF电容以及分立的ESL和ESR值；(b) 使用包含ESR和ESL参数的Würth电容
REDEXPERT显示了许多元件的随频率而变化的阻抗，以帮助确定每个无源器件的关键寄生效应。这些......
构建超低功耗精密高边电流检测电路，你的选择是？(2024-05-07)
电流时产生100 nA的输入电流误差。
架构
LT1389-4.096 基准电压源以及由M2、R2和D1组成的自举电路构成超低功耗的隔离3 V电源轨（4.096 V + M2的VTH ，后者典型值为-1 V......
音频技术：如理解dB，20dB和60dB究竟差多少？(2023-04-13)
)之间的关系来表示：P = V^ / R ---- 电阻的单位是欧姆(Ω)刚才讨论dBm的时候，参照数是1mW。这个标准是在上个世纪三十年代设立的。在那个时候，所有音频设备的输入阻抗都是600欧姆，磁带......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
场强度Ec随耗尽区XD的关系，我们在这里简单讨论下泊松方程：在一维情况下（PN结/BJT）泊松方程的表达形式为：
等式右边第一项“q”为电荷量，介电常数“εs”为电通量密度与电场的映射关系，括号......
P通道功率MOSFET及其应用(2024-04-21)
功率MOSFET的关键指针。StandardP和PolarP平面器件的额定电压值为-100 V ~ -600 V，额定电流为-2A~-170A。Polar P提供优化的单元结构，具有低通态电阻和改进的开关性能，而......
如何利用传感器和ADC的比率特性来提高精度(2022-12-01)
流经感应电阻的电流来自于基准电压，那么公式2中的Ve可用一个常数替换。从而得到公式3，其中的新常数包含在S2和C2之中。
Vs = P x S2 + C2 公式3
因为输出信号仅为被测参数的函数，所以......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
BJT和MOSFET组成的器件?
要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之间的关系，就必......
同步发电机空载特性 同步发电机转速和频率的关系(2023-08-01)
同步发电机空载特性 同步发电机转速和频率的关系; 同步发电机空载特性
同步发电机空载特性是指在发电机不接负载的状态下，通过对其输出电压和输出电流进行测试所得到的特性曲线。
在空......
S3C2440之NAND FLASH移植到S3C2410的驱动分析(2024-06-11)
) (*(PBYTE)(p))
#define WRITE_REGISTER_BYTE(p, v) (*(PBYTE)(p)) = (v)
#define READ_REGISTER_USHORT(p......
电机控制器的气密测试泄漏率计算(2023-10-08)
/min,于是得：
Q=0.9910^-5δPV160≈610^ -4 δP*V1(ml/min)
(式 2-11）
我们也可写成常用的形式：
Q=V （△P/P0）（60/T） *
其中Q为泄......
示波器探头对测量电容负荷有影响吗(2023-01-10)
，文档中包括显示Z p与频率的关系曲线。图4.5是普通有源探头的实例。注意，1兆欧阻抗幅度固定在接近100 kHz。这通过认真设计示波器探头的相关电阻单元、电容单元和电感单元实现。
4.5.有源......
线边缘粗糙度(LER)如何影响先进节点上半导体的性能(2023-06-12)
的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使......
优化开关模式电源的 EMI 输入滤波器(2024-03-19)
LISN根据各个电压与共模、差模电压之间的关系：V P + V N = V CMa + V CMb我们可以计算共模和差模电压如下：V CM = V P + V NV DM = ? (V P - V N......
如何方便快捷地去评测示波器的ENOB指标？(2023-06-26)
在计算时却假定注入的信号为理想CW信号，且满格显示。
假设垂直刻度为50mV/div，则“认为”信号的功率为：
P cw =0.5∙V^2^/R=-2.04dBm
假设某一带宽下的噪声AC RMS为......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
形成沟道，器件导通。
2、输出特性曲线
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP......
毕托管流量计工作原理_毕托管流量计计算公式(2023-04-26)
托管流量计相关的计算公式：流速V中心=Ai·√2P/ρ （i∈N ）△ P：风洞标定修正后的标准差压Q体=K（V中心×S） Q质=Q体×ρ K：管道修正系数精度高：在3%～100%的量程范围准确度为0.2%，其决......
意法半导体超结MOSFET MDmesh的百亿里程碑(2024-01-11)
K6 现已全面生产。为了清楚起见，K5 和 K6 代表极高电压（从 800 V 到 1,700 V）技术子集。
图 12：MDmesh 特定导通电阻的演变
为了......
如何组合使用低通滤波器和ADC驱动器获取20 V p-p信号(2023-04-23)
如何组合使用低通滤波器和ADC驱动器获取20 V p-p信号;问题：
为何要组合使用低通滤波器(LPF)和模数转换器(ADC)驱动器？
答案：
为了减小模拟信号链的尺寸，降低其成本，并提......
小功率无变压器电源设计(2023-08-21)
电源电压的火线和中性线分别用L和N表示，而输出电压和电流分别用V OUT和I OUT表示。电阻器 R1 和 C1 的电抗均用于减少浪涌电流，浪涌电流可能会损坏组件。D2 是典型的硅二极管，其任务是对交流电压进行整流，而 D1......
SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
特性曲线表示当E极与C极之间的电压VCE保持不变时，输入电流（即基极电流IB）和输入电压（即基极与发射极间电压VBE）之间的关系曲线；当VCE=0时， 相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。 因此，输入......
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， NORGREN，GSR，RTK，PARKER， （TPC 和SMC 可以互换）,奥格锐特,Camozzi,附带接线盒。 传感器：P+F. 欧姆龙, PRINCO 开关：P+F，欧姆龙，山武，霍尼
-solenoid，VICKERS，MAC， NORGREN，GSR，RTK，PARKER， （TPC 和SMC 可以互换）,奥格锐特,Camozzi,附带接线盒。康茂盛 E+H 传感器：P+F. 欧姆
) Output Voltage (V) Radiation Test Data EMI Filter Equivalent Industry P/N＊ 50 DVHE2800S 16-40
;联铼化工贸易有限公司;;本公司成立于2004年,为台湾胜宏实业股份有限公司的关系企业, 专司进口台湾胜宏总公司之P-tex宣影布,无纺布,耐磨仿俚皮,水针布, 低温(40度)水溶纸(衬),销售
,Sanyo,Sharp等品牌Photo coupler和 Mosfet有常备库: TOP221PN,TOP222PN,TOP223PN,TOP221YN,TOP222YN,TOP223YN