资讯
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片(2023-06-09)
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片;
【导读】为满足汽车行业需求，金升阳推出车规级定压推挽控制芯片SCM1212BTA-Q。该产品采用我司自主技术研发，符合AEC-Q100标准且采用汽车级工艺流程制造的推挽电......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
能力会更强劲。
图9：MOS管结构的互补推挽
以上互补推挽电路的输入信号幅值必须和推挽供电电压一致，比如推挽供电电压为12V，那么输入的PWM信号的幅值也必须是12V。如果......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
体二极管也是有最大电流限制的，这个电流就是MOS管手册中的MOS管电流参数。
3.防反接电路原理
3.1.电源正反接电路分析
电源正常接：电流从S经二极管流向D......
推挽电路驱动mos管工作原理及应用(2024-10-08 11:25:02)
推挽电路驱动mos管工作原理及应用;
看了该文章可以知道什么？
1.推挽电路
2.为什么要用推挽电路驱动mos管
......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
与保护电压Vc1的幅值，提高这个电路对于尖峰电压的保护效果。我们也知道驱动电路推挽电路具有输入与输出的时间延迟与相位滞后，对于浪涌能量较大的情况可能会导致IGBT电压上升过快而损坏，此时保留电阻R2，当......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。）
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或 MOS 管分别受两互补信号的控制，总是......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO引脚作为ADC采集电压......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
不可以超过使用的 的最大规格，那就必须抑制尖峰。本文引用地址：
MOS_DS电压尖峰产生的原因
在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。
若还是使用上面推挽的电路图，当N-MOS为低电平时候，那么他的输出就是一个高阻态。 可以看到，R5没有电流通过，电压也是接近于0，所以GPIO无法......
STM32端口输入输出模式配置(2022-12-19)
到的是连续的模拟信号，一般用于AD转换。
四种输出模式
推挽输出：可以输出高低电平，连接数字器件。在stm32中推挽电路由两个MOS管组成：输出高电平时P-MOS管导通，引脚联通VDD(3.3v)。输出低电平时N......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
电荷积累，一般取值是10k～100k。
GE之间的稳压管一般取值16～18V，防止栅极出现电压尖峰。
三极管Q1、Q2构成驱动功率推挽放大。IGBT开通时，门极正向电压最佳值为15V±10%;IGBT关断时，最好加个负偏电压......
音频电路供电没有负压也能正常输出的原因是什么？(2024-03-04)
-VEE供电。
图2 正负电压供电
三极管电路应用类似下列模型，为方便举例，我们假设供电电压为±12V。
该电路利用NPN+PNP三极管组成一个推挽电路，驱动能力强，其实也叫OCL电路，网上......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
极管及PNP型三极管组成，通过输入电压的正负来控制电路中的三极管来达到推挽的效果[2]。
图4.1 推挽电路原理图
4.1.1 推电路
当Vin端电压为V+时，上面的N型三极管Q3导通，下面的P型三......
STM32CUBEMX开发GD32F303（4）----GPIO输出模式(2023-07-26)
回到地。
开漏输出
开漏输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。
若还是使用上面推挽的电路图，当N-MOS为低电平时候，那么他的输出就是一个高阻态。 可以看到，R5没有电流通过，电压也是接近于0，所以......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
C1的存在，降低了开关管漏源电压尖峰值，减小了开关管电压变化率，电源的EMI也就较好。
当绕组中的电流反向时，D1截止，C1充电结束，此时C1通过R1放电，C1吸收的漏感能量通过R1来消耗。
2......
收藏总结：19种常见的二极管应用电路！(2024-11-23 18:23:13)
二极管电压尖峰抑制电路......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
件出现过流故障的情况下，驱动芯片将会使用较低的电流关断IGBT，将会减慢IGBT的di/dt，避免出现过高的电压尖峰损坏IGBT。软关断的参数通过 ADJA连接的电阻可调。系列中每一款芯片都有16档关......
工业和汽车浪涌保护电路的原理和设计(2024-04-22)
工业和汽车浪涌保护电路的原理和设计;电涌保护电路是一种被称为交流电网线电压峰值保护器的电路。但是，在交流电网线中没有特别限制。电涌保护器或电涌保护设备是一种提供电涌抑制或电压尖峰抑制的设备，因此......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
可以提供的，所以我们一般采用到了推挽电路（推挽电路需考虑三极管器件的0.7V压降）或者专用的驱动芯片进行驱动**。
**4. MOS管的SOA参数说明：**
最后，我们还需要提一下mos管另一个重要曲线，即mos......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
下降到零。
28、在理想的情况下，若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称，则输出电流中将没有偶次谐波成分，及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总有差异，电路也不可能完全对称，因此......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
。
27、二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。
28、在理想的情况下，若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称，则输......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
下降到零。
28、在理想的情况下，若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称，则输出电流中将没有偶次谐波成分，及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总有差异，电路也不可能完全对称，因此......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
水平，并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。
二、长时间电流过载
由于导通电阻相对较高，高平均电流会在 mos 管中......
还搞不懂缓冲电路？看这一文，工作原理+作用+电路设计+使用方法(2024-11-06 21:23:00)
是缓冲器？
缓冲器
是一种
对电压尖峰、振铃和振荡效应的电路保护形式
。缓冲器通过
钳位电压尖峰但不改变振铃频率。
缓冲电路......
单端、推挽、桥式拓扑结构变压器对比(2024-11-09 18:37:14)
交错通断。
脉冲变压器磁能被积累的问题容易解决，但是，由于变压器存在漏感，将在原边形成电压尖峰，可能击穿开关器件，需要设置电压钳位电路予以保护D3、N3构成......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而......
PCB设计如何减少ESD，9种PCB设计技巧总结，帮你搞定ESD(2024-10-09 20:12:18)
，很容易损坏集成电路和低功率半导体等小信号元件。常见的ESD是由人体接触电子设备引起的，电荷在人体内累积，然后当身体接触到设备时，电荷就会放电，并伴随着非常高的电压尖峰......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
。C4和R6为尖峰电压吸收回路。
4、推挽式功率变换电路：
Q1和Q2将轮流导通。
5、有驱动变压器的功率变换电路：
T2为驱动变压器，T1为开关变压器，TR1为电流环。
硬件......
上海贝岭车载逆变电源功率器件解决方案(2023-10-31)
功能是将直流电池输出的低压直流电转换为高频交流电。推挽电路结构简单，所用的功率开关管数量仅为全桥电路的一半，适用于低电压大电流的应用场合，故在车载逆变电源中得到了广泛的应用，拓扑结构如图5(a)所示。
变压器次级整流电路：主要......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
烯电容采用塑壳封装，容量一般从0.1uF～10uF，耐压为1600V，既有较好的高频特性，主要用于直流母线电压尖峰的吸收。容量的选取和变频器容量有关。
③贴片电容
贴片电容是变频器控制电路中使用最多的电容，具有......
铭普光磁推出推挽式TIH系列隔离电源变压器(2023-09-07)
系列变压器均包含了不同的电压转换比，因此可实现3.3V→3.3V、5V→5V、3.3V→5V或者5V→12V电压转换。该系列变压器可应用于200~700kHz开关频率的推挽电路，具备-40℃~125......
功率放大器的基本知识(2023-06-26)
管的工作点选择不当，输出会有严重失真。
二、常用功率放大电路的原理
单只三极管输出的功放电路输出小、效率低，日用电器中已很少见。目前常采用的是推挽电路形式。
图1是用耦合变压器的推挽电路原理图。它的......
电动汽车用非车载充电桩后级DC模块设计与实现(2024-07-15)
的设计必不可少。Buck、Boost 电路两个驱动MOSFET 电路相同，均以推挽电路作为驱动电路核心。本设计中的通信系统采用CAN 通信方式，选用ISO1050DWR 芯片作为通信芯片。
4 实验......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
明明是两只电子管串联着的，怎么是并联调整式推挽电路呢？这是对交流工作而言，两只管子直流供电方式是串联着的，每只担负一半的电源电压。但对交流信号就不一样，上面管子的屏极是对地相通，输入取自下面管子的屏极，又由阴极输出（共屏电路......
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护(2023-03-08)
设定的限制。这意味着电路中存在杂散电感，进而导致高 di/dt，从而导致高电压尖峰。两级保护电路的软关断保护功能有助于保持低杂散电感，从而防止高压尖峰。
对电路进行了硬件测试以检查其真实性。400V......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围电路和工况等。这对我们有两点启发：第一是，器件......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
时间、开关能量、开关速度、开通电流尖峰、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围电路......
STM32GPIO介绍(2024-08-26)
、推挽输出：GPIO_Mode_Out_PP与开漏输出不同，在于其在经过输出控制电路后面的MOS管不同！优点：推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负......
相关企业
速风力发电机为一由转动盘、固定盘、风轮叶片、固定轮、立竿、集电环盘、舵杆、尾舵和逆变器组成的系统。转动盘和固定盘构成该系统的发电机，逆变器包括50赫正弦波振荡器、整形电路、低压输出电路和倒相推挽电路。本系
;频闪灯管电子元件;;频闪灯管；电子冷阴极管；并代客户设计，加工频闪电路，冷阴极管电路等;频闪灯管规格FT3227 UT6030 CT6030 1500W 750W 高强度灯管，高压线圈配套等；
大家致电,我们的成就来源于你们的支持..^__^ 74系列，HT,AD,PW系列,家电IC，MOS管电源IC。。。。专家！新来货产品：SAA7105H TDA8024T ISP1564HL
/OLED驱动 主营产品或服务: 稳压IC; LDO; 电源管理芯片;电压检测IC;复位芯片;可调稳压IC; DC/DC; MOS管; LED/OLED驱动; 白光驱动IC. 主营行业：其它集成电路; 电动
大家致电,我们的成就来源于你们的支持..^__^ 74系列，HT,AD,PW系列,家电IC，MOS管电源IC。。。。专家！新来货产品：SN7325A424E TLP521 PS2801 LM358
;尖峰;;fgs 发生
％ 一级代理商：深圳惠新晨电子 庞生 MB：13428780186 QQ：2803907163 LIS8510 SOP-8 内置MOS 全电压1-3W LED驱动电源 LIS8511 SOP-8 内置
;杭州尖峰电子有限公司;;
;奎达电子有限公司;;深圳市奎达电子有限公司是一家以消费性集成电路的研发、生产、销售为一体的高科技企业，产品主要有深圳市奎达电子有限公司是一家以消费性集成电路的研发、生产、销售
;深圳市美泰芯科技有限公司;;电源管理IC（LDO/DC-DC升压降压/白灯背光/电压检测/复位/充电/MOS管/AC-DC/LED照明等）/音频放大IC/运放IC/EEPROM/MOS管/霍尔IC