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中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展;具有精确控制取向的有机半导体单晶阵列图案在高性能光电器件的制备与集成中具有重要意义。有机半导体单晶具有固有的长程有序、无晶......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体(2023-03-10)
晶圆总经理助理陈秀芳带来题为“大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备”的主题报告。
近期，在第八届国际第三代半导体论坛召开的“碳化......
实现小批量生产，电科材料成功研制出8英寸碳化硅晶体(2022-03-04)
英寸SiC晶体，突破了大尺寸单晶制备的重要难题，如今进一步取得实质性进展，实现8英寸N型SiC抛光片的小批量生产。
烁科晶体介绍，由于SiC对温度及压力控制有着极其苛刻的要求，而且......
总投资超34亿元，世纪金光6－8英寸SiC单晶衬底项目签约包头(2023-10-16 10:45)
于战略新兴半导体的研发与生产，经过多年的发展，已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。......
科友半导体6/8英寸碳化硅规模化生产取得重大技术突破(2023-05-15)
及技术服务等全产业链的解决方案。
突破如下：热场及耗材国产化率达到95%以上；长晶良率达到80%以上，晶体厚度达到40mm以上；打破传统碳化硅粘接籽晶技术的限制；突破了大尺寸8英寸碳化硅单晶制备的关键技术；超强的兼容性；已申请专利129......
科友半导体第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工(2023-03-27)
科友半导体已累计投入研发经费近2000万元，获得授权专利达133项。
科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
厂成功自主合成第一炉砷化镓多晶。
此次合成的砷化镓多晶，是以高纯镓和高纯砷为原料进行配料，并在真空状态下高温合成，完整性好，成品率为95%，电学性能指标优异，完全满足了砷化镓单晶制备要求。
据了解，中金岭南（韶关......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
影响探测性能，缺陷机制的研究为进一步优化Bridgman单晶质量提供了重要依据。该工作开发了一种具有可控的、可放大性的LiInP2Se6块体单晶制备路线，进一步厘清了其晶体结构、电学性能和缺陷机制的关联，并验......
负债超5亿元，又一国家级高新技术企业破产！(2024-12-19)
已有50年历史积淀。
自成立以来，该公司一直以“自主创新”为己任，专注于战略新兴半导体的研发与生产。经过多年的发展，现已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
镓还有诸多技术瓶颈待突破。比如，由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备较难实现，我国大尺寸氧化镓半导体材料的产出仅限于高校或者实验室，距离真正规模化、商业化量产还需要一定时间。
在资......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
部分业界人士看好未来十年左右，氧化镓可能成为碳化硅的有力竞争对手，在半导体市场大放异彩。
不过短期内，氧化镓还有诸多技术瓶颈待突破。比如，由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
化硅抛光片的批量化生产迈出关键一步。去年8月，烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体，解决大尺寸单晶制备的重要难题。
烁科晶体官网显示，公司成立于2018年，是国......
剑指8英寸碳化硅！两大厂官宣合作(2024-09-26)
次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。
键合技术加速碳化硅8英寸转型
据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
氧化镓还有诸多技术瓶颈待突破，如：由于高熔点、高温分解以及易开裂等特性，大尺寸氧化镓单晶制备较难实现，不完善的上下游市场相关配套设施等。目前业界各方都在攻坚克难，争取早日领先突破。
氧化镓前景可期，谁在......
总投资7亿元，锦州神工半导体扩建项目开工(2022-05-08)
目计划总投资7亿元，分三期建设，预计2022年当年投入资金2亿元。
消息指出，建设的主要产品有为大直径、高品质8寸、12寸、IC晶体，投产后年单晶制品产能达到360万片。大直径单晶......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
美国、日本和欧洲在氮化镓体单晶材料研究方面都取得了一定的成果，都出现了可以生产氮化镓体单晶材料的公司，其中以美国、日本的研究水平最高。
美国有很多大学、研究机构和公司都开展了氮化镓体单晶制备......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线。
据富加镓业介绍，氧化镓单晶可以通过熔体法生长，从而在制备成本、单晶质量、缺陷......
重庆抛光硅片项目产品下线，打破技术壁垒(2016-10-29)
度) 、引晶、长晶、收肩等步骤。一般长一炉单晶硅锭要花好几天的时间。拉晶过程的热场、生长速度的控制直接关系到单晶的质量( 缺陷密度越小，质量越高) 。此外，由于拉晶炉系统中要用到石英(SiO2......
市场需求激增，碳化硅衬底商纷纷斩获大单(2022-08-25)
碳化硅晶圆性能验证。
3月，中电材料下属公司山西烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体，成功解决了大尺寸单晶制备的重要难题，并实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。
8月，晶盛机电首颗8英寸N型碳......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化;今年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6......
内蒙古：到2025年，光伏电池组件产能可以满足80%以上本地建设需求(2023-09-18)
源装备产业链进一步延伸；并网新型储能装机规模大幅提升；氢能供给能力得到有效保障。
《实施意见》还提出，推动光伏产品及技术提质增效。重点发展高纯硅料和电子级晶硅生产，提升大尺寸单晶硅拉棒、切片等制备......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶;奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图......
蓝海市场新观点：联胜光电、奥特维聚焦 UV LED 车用市场(2016-10-20)
、功率由 1W~30W 的业界领先超高功率 UV 单晶封装产品，全系列搭配 UVT 专门为超高功率的共晶制程，对于电流乘载能力远超过一般纳米银胶的 2 倍以上，提供客户高性价比的 UV 封装体。UVT......
蓝海市场新观点：联胜光电、奥特维聚焦 UV LED 车用市场(2016-10-19)
、功率由 1W~30W 的业界领先超高功率 UV 单晶封装产品，全系列搭配 UVT 专门为超高功率的共晶制程，对于电流乘载能力远超过一般纳米银胶的 2 倍以上，提供客户高性价比的 UV 封装体。UVT......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
镓仁半导体指出，此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。
值得注意的是，今年2月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
中国电科46所氧......
新策略提升钙钛矿太阳能电池性能(2024-01-15)
通过多齿配体增强螯合以稳定埋底界面策略，显著提高了电池的光电转换效率和寿命。国际化学领域期刊《应用化学国际版》发表了相关成果。
金属卤化物钙钛矿太阳能电池，是一种利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池。其属......
突破技术壁垒！华东理工自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术(2024-04-07)
方法仅能以满足高温环境、生长速率慢的方式制备几种毫米级单晶，极大限制了的实际应用。
对于钙钛矿单晶芯片生长所涉及的成核、溶解、传质、反应等多个过程，大学团队结合多重实验论证和理论模拟，揭示......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。
上个月，中国电科集团宣布中国电科 46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平，同时突破了 6
英寸氧化镓单晶......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
度降低成本，推动氧化镓作为功率器件的量产化。7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。
封面图片来源：拍信网......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。
美国Kyma科技公司在氧化镓基片、外延......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来;近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
晶驰机电8英寸碳化硅设备开始交付(2025-01-09)
作原理是将碳化硅粉末在高温下升华为气态组分，这些气态组分在温度梯度的作用下输运至籽晶处重新结晶，形成单晶结构。
PVT法的优势在于能够制备高纯度、大尺寸的晶体。而电阻加热法是一种新兴的碳化硅长晶技术，其加......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
技术也取得了长足进步。2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，达到......
天科合达完成Pre-IPO轮融资(2023-02-14)
国碳化硅衬底龙头企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备和碳化硅单晶衬底制备。
技术方面，作为国内最早实现SiC衬底产业化的企业之一，天科合达在国内率先成功研制出6英寸SiC衬底......
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展(2024-12-17)
/K，极大提升氧化镓射频器件性能和散热能力。该方法不仅成本低、不受晶圆表面质量限制，还兼容其他不同尺寸、不同种类的XOI异质集成薄膜到任意衬底上甚至任意位向的转移。
（a）1英寸金刚石基阵列化氧化镓单晶薄膜及其制备......
中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底项目正式备案(2024-02-01)
热度持续上涨趋势下，南砂晶圆积极投身8英寸赛道。2022年9月8日，南砂晶圆联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶......
通威16GW N型晶硅电池项目节能审查报告通过(2024-01-17 09:21)
变电站、仓库、门卫等生产及公辅设施，总建筑面积287693.87平方米；购置安装氧化机、沉积设备、退火机、双塔一体炉、碱抛机、热水机、清洗机、单晶制绒机、烘干炉、冷水机组、空压机、风机、水泵......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
底（Substrate）是产业链的源头。从制备难度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是异质衬底，蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。相对于常规半导体材料，GaN单晶......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶(2024-05-04)
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日，浙大杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次......
山东：重点发展第三代半导体、光刻胶等新材料(2025-01-09 12:31:27)
一代电子信息材料方面，研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术，突破大口径高质硅单晶、高端光刻胶制备......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
及衬底、N型3CSiC单晶及衬底等制备。
销售方面，天岳先进在8英寸衬底上进行了前瞻性布局，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代，公司8英寸......
可批量制造！我国高性能光子芯片领域取得突破(2024-05-09)
极高的应用价值。
此次，科研团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆；同时，与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，成功制备......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”;
【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧......
第三代半导体功率器件在汽车行业的应用(2023-09-19)
成本占比是最大，其次是外延成本的占比。可以发现这两大工序是产业发展的主要环节，而它们的制备难度非常大，技术以及成本也非常高。
碳化硅（SiC）衬底，它是一种由碳（C）和硅（Si）组成的半导体单晶......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
的生长对工艺过程控制的要求极高，也更适于制备功率半导体器件，因此控制生长主面（001）晶相氧化镓晶体难度非常大。陈政委告诉记者：“此次，我们使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓单晶，完成了4 英寸......
我国科研人员突破磁存储材料新技术 可提升信息存储速度和密度(2023-01-28)
我国科研人员突破磁存储材料新技术 可提升信息存储速度和密度;在信息爆炸的时代，信息存储尤为关键。据新华社报道，近期我国科研人员突破了原子级平整反铁磁金属单晶薄膜的关键制备技术，使超......
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车间、切断车间、库房、质检部、商务部等几个核心部门；基本实现了从材料、材料处理、晶体制备整个过程。公司的主要产品为6＂单晶硅棒、8＂单晶硅棒、太阳能级单晶硅切片等，年产值近4亿元。产品
;北京钧策丰科技发展公司;;钧策丰科技发展有限公司是一家（通过军工体系认证的）专业从事非晶、纳米晶合金铁芯制品的（制备）、研发、生产与销售的供应商/ （ 制造商之一）。是国内非晶、纳米晶制品的主要生产基地之一
;飞腾制卡厂;;广州市飞腾骏业礼品制造有限公司（简称飞腾金卡）是从事终端薄金属镀金礼品；有机水晶制品；PVC卡等三大系列产品研制的专业生产厂家。
;甘昌妹;;佳力能激光配件销售部致力于生产销售中国最好激光配件;有机玻璃制品\水晶制品;压克力制品;展示道具;电子展架;化妆品展架;经销牌\授权牌;压克力文化用品以人为本，诚信经营，快速便捷。你的
;深圳市创源工艺品有限公司营销三部;;专业生产与开发有机玻璃压克力制品、水晶制品,厂家。具有丰富的生产经验、雄厚的技术实力、先进的机器设备。 以质优，价平，重诺，守信赢得海内外客户的好评和认可．追求
;奥尔特水晶宝石工艺品厂;;水晶工艺品、水晶礼品 水晶宝石 浦江水晶 水晶制造 水晶 水晶工艺品、水晶礼品 水晶宝石 浦江水晶 水晶制造 水晶
;深圳市创源工艺品有限公 司;;专业生产与开发有机玻璃（压克力）制品、水晶制品、水晶胶制品的厂家。具有丰富的生产经验、雄厚的技术实力、先进的机器设备。 以质优，价平，重诺，守信
;深圳市宝安区沙井龙腾液晶制品经营部;;深圳市宝安区沙井龙腾液晶制品经营部是编码器、电子手轮、液晶显示屏、联轴器、电子尺、光栅尺、吸盘等产品专业生产加工的公司，拥有完整、科学的质量管理体系。深圳市宝安区沙井龙腾液晶制
;任庆友;;北京茂孚工业控制中心是致力于新材料、机械、电控、数控等多相技术为主体的设计、研发机构。 本公司单晶铜项目主要从事单晶铜生产设备、高纯度单晶铜及单晶铜产品的研发、生产及销售。 旗下单晶
;卫华集团有限公司（西安起重机单,西安冶金起重机）;;