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PCB电镀铜工艺：实现电路板精细线路的关键步骤(2025-01-07 20:33:46)
酸，胱氨酸和硫脲等物质能使硫酸铜镀液得到光亮的镀层。五十年代后曾经有以硫
脲或硫脲分别同糊精，巯基苯并噻唑等多种物质配合作为酸性硫酸盐镀铜光亮剂的专利，这些......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究(2022-12-26)
，0.05 mm，中国国药化学试剂有限公司)，五水硫酸铜（CuSO4·5H2O，中国国药化学试剂有限公司），盐酸（HCl，中国国药化学试剂有限公司），硫酸（H2SO4，中国国药化学试剂有限公司），Cu-P......
半导体领域突破性成果！我国科学家首创(2024-07-08)
种类多样性，也会随着原子数目不断增加，缺陷逐渐累积，进而限制了晶体质量。
北京大学科研团队首创并自主命名为“晶格传质-界面生长”的一种全新晶体制备方法，即“从界面生长，顶着上方结构往上走”的“顶蘑......
什么是锂电池正极材料？(2024-08-29 09:56)
成的固溶体可以任意比例混合：
镍可以提升电池容量；锰可以保证电池安全性；钴可以减少阳离子混排，有利于电池循环性能。
锰资源
电解二氧化锰是制备锰酸锂电池的主要原材料，硫酸......
南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体(2023-03-10)
代半导体产业技术战略联盟消息显示，报告指出，当前8英寸4H-SiC晶体制备难点主要涉及高质量8英寸4H-SiC籽晶制备；大尺寸温度场不均匀和成核过程控制；大尺寸晶体生长体系下气相物质组分输运效率和演变规律；大尺寸热应力增大导致的晶体......
土壤快速检测仪的测试项目及技术参数(2022-12-19)
误差： ≤0.1%（0.001，硫酸铜检测）
7.灵敏度：红光≥4.5 ×10-5 蓝光≥3.17×10-3 绿光≥2.35×10-3 橙光≥2.13×10-3
8.波长范围 ：红光：680±2nm; 蓝光......
吴越半导体完成数亿元A轮融资，深耕氮化镓自支撑衬底技术(2022-02-19)
资本等跟投。据介绍，本轮融资资金将主要用于吴越半导体氮化镓自支撑衬底的研发与扩产。
公开资料显示，吴越半导体成立于2019年3月，是一家半导体研发与设计服务商，致力于半导体晶体、晶圆、芯片......
上海微系统所在300mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-20)
。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破(2023-10-23)
晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
勇课题组在碳纳米管电子学领域进行了十多年的研究，发展了一整高性能碳纳米管CMOS晶体管的无掺杂制备方法，通过控制电极功函数来控制晶体管的极性。
彭练矛教授（左）和张志勇教授（右）
5nm技术......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
by LiInP2Se6 bulk single crystals）为题，近日在线发表于国际著名期刊《先进材料》（Advanced Materials）上。所开发的晶体制备......
聚硫酸盐可广泛用于各种高性能电子元件的原料(2023-02-17)
铸造厂的 Liu
实验室进行的调查中，研究人员发现一些新型聚硫酸盐具有优异的“介电”特性。介电材料是电绝缘体，当材料暴露于电场时，正电荷和负电荷会分开——实际上是储存能量。它们用于现代电子电路的电容器、晶体......
晶瑞电材年产万吨集成电路用G5级异丙醇项目开工(2023-12-29)
建设我国技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。
消息称，该项目的实施，将突破集成电路用超净高纯异丙醇制备、金属杂质控制、水分控制等关键技术，建立产品评估、验证生产体系，提高......
测土配方施肥仪的功能特点及测试项目(2023-01-13)
，透光度测量）。
6.线性误差：≤0.2%（0.002，硫酸铜检测）
7.灵敏度：红光≥4.5×10-5蓝光≥3.17×10-3绿光≥2.35×10-3橙光≥2.13×10-3
8.波长范围：红光：680......
天岳先进：公司8英寸衬底开发进展顺利(2022-09-23)
天岳先进：公司8英寸衬底开发进展顺利;9月22日，天岳先进在投资者互动平台表示，截至目前，公司8英寸衬底开发进展顺利。衬底直径是衡量晶体制备水平的重要指标之一，也是降低下游芯片制备......
8英寸碳化硅时代钟声渐近，国内第三代半导体领域再添喜讯(2022-08-17)
产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。
此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体......
新能源汽车动力电池的分类(2024-01-16)
液为6mol/L氢氧化钾溶液。活性物质构成电极极片的工艺方式主要有烧结式、拉浆式、泡沫镍式、纤维镍式及嵌渗式等，不同工艺制备的电极在容量、大电流放电性能上存在较大差异，一般......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
类似橡胶的可拉伸复合材料，然而，这种方法仍只适用于构造特定微观结构。此外，将半导体纳米线或纳米纤维嵌入橡胶基体制备可拉伸复合材料的方法也不具备普适性。
美国宾夕法尼亚州立大学(Pennsylvania......
解读国内半导体材料现状，背后机遇在哪里？(2023-01-02)
及以上平板显示用超净高纯试剂，主要依赖国外进口。
部分湿化学品有所突破应用。
苏州晶瑞生产的双氧水、氨水、硝酸已达到SEMIG5的标准上海新阳生产的电镀硫酸铜......
被“玩坏”的石墨烯，这回真能造芯片了？(2024-01-04)
同时温度不会升高到很离谱的程度。 石墨烯即单层石墨, 碳原子以sp2杂化轨道组成六角形，呈蜂巢晶格（honeycomb crystal lattice）排列的单层二维晶体。它具有超薄（1毫米......
能量密度160Wh/Kg、2C循环>6000次的NFS电池来了！(2023-01-16)
解，层状过渡金属氧化物技术路线的优势在于能量密度较高，中科海钠、钠创新能源等是该路线的主要公司。
普鲁士类化合物具有较好的电化学性能，具备成本低等优点，但在制备过程中存在配位水含量难以控制等问题，宁德......
PCB质量技术：PCB人应掌握的铜箔知识(2024-11-11 23:17:50)
造过程是一种电解过程，电解设备一般采用由钛材料制作表面辊筒为阴极辊，以优质可溶铅基合金或用不溶钛基耐腐蚀涂层作为阳极，在阴阳极之间加入硫酸铜电解液，在直流电的作用下，阴极......
轻松掌握：PCB的铜箔知识！(2025-01-02 18:24:37)
设备一般采用由钛材料制作表面辊筒为阴极辊，以优质可溶铅基合金或用不溶钛基耐腐蚀涂层作为阳极，在阴阳极之间加入硫酸铜电解液，在直流电的作用下，阴极辊上便有金属铜离子的吸附形成电解原箔，随着......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
的成核和生长过程复杂，实现取向一致的有机半导体单晶阵列的图案化制备颇具挑战性。
近日，中国科学院化学研究所绿色印刷院重点实验室宋延林课题组提出了利用微观弯液面形变及沉积操控实现单一取向晶体薄膜......
实现小批量生产，电科材料成功研制出8英寸碳化硅晶体(2022-03-04)
有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线，其中单晶生长设备有600台。
核心技术方面，烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。同年7月，镓仁半导体制备出了3英寸......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓垂直场效应晶体管适应于制备......
近50亿，全球半导体产业再添重大并购案(2023-05-16)
Corporation（以下简称“KMG”）的100%股权，交易金额为7亿美元（约合人民币48.71亿元）。
半导体制程化学品是半导体工艺中的核心产品，其主要应用于半导体清洗、干燥......
车间爆炸，火光冲天！宁德时代回应(2021-01-08)
前驱体)、镍钴锰酸锂(三元材料)、钴酸锂、氯化钴、硫酸镍、硫酸钴和四氧化三钴达4500吨。目前10万吨动力电池循环产业园项目正在建设中。
值得一提的是，湖南邦普是宁德时代旗下孙公司。查询年报得知，2019年湖......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。
实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对制备......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
其简单的结构和极窄的栅极宽度，这种晶体管可以最大限度地减少寄生电容，从而带来更高的稳定性。
全新晶体制备方法
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所首创并自主命名为“晶格传质-界面生长”的一种全新晶体制备......
机构：欧洲半导体产业扩张面临化学材料供应瓶颈(2022-11-30)
机构：欧洲半导体产业扩张面临化学材料供应瓶颈;
【导读】研究机构TECHCET日前表示，随着半导体制造产能在欧洲地区的增长，电子化学品供应压力将会增加。该机构指出，继英......
首次，光-原子纠缠芯片研发成功(2024-12-24)
片兼容现有的光纤通信基础设施，支持多通道宽带量子纠缠存储，结合量子纠缠光源，可进一步构建光-原子纠缠界面，扩展量子互联网的覆盖范围。
光-原子纠缠界面是构建量子互联网的重要组成部件之一。合作研究团队采用激光直写技术在掺铒铌酸锂晶体中制备......
中国科学家在空间站完成铟硒半导体晶体生长实验(2025-01-23)
来新型电子器件设计及应用提供一条新途径。
然而，在现有条件下，制备出满足应用要求的铟硒半导体晶体仍面临巨大挑战。即便科学家反复优化生长条件，所得到的铟硒半导体晶体仍含有极高的缺陷密度，这对......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
碳化硅相关技术实现新突破;近日，泰科天润、积塔半导体以及北方华创在碳化硅相关技术研发上实现最新突破，相关专利陆续公布。
泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利......
突破技术壁垒！华东理工自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术(2024-04-07)
方法仅能以满足高温环境、生长速率慢的方式制备几种毫米级单晶，极大限制了的实际应用。
对于钙钛矿单晶芯片生长所涉及的成核、溶解、传质、反应等多个过程，大学团队结合多重实验论证和理论模拟，揭示了传质过程是决定晶体......
山东：重点发展第三代半导体、光刻胶等新材料(2025-01-09 12:31:27)
一代电子信息材料方面，研究大尺寸碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料制备技术和装备，突破碳化硅、氮化镓衬底超精密高效加工核心技术。攻克超宽禁带金刚石单晶、氮化铝生长及器件技术，突破大口径高质硅单晶、高端光刻胶制备......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化......
科友半导体第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工(2023-03-27)
建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际孵化基地、科友半导体产品检验检测中心、人工宝石展览馆等项目。项目全部达产后，最终形成年产高导晶片近10万片，高纯半绝缘晶体......
我国科学家研发出全球最薄光学晶体：转角菱方氮化硼(2024-04-26)
原创理论与材料”。
据介绍，北京大学团队经过多年攻关，创造性提出新的光学晶体理论，并应用轻元素材料氮化硼首次制备出一种“薄如蝉翼”的光学晶体“转角菱方氮化硼”。
这是世界上已知最薄的光学晶体，能效相较于传统晶体......
碳化硅技术再突破 烁科晶体、晶盛机电、露笑科技迎新进展(2022-03-04)
化硅抛光片的批量化生产迈出关键一步。去年8月，烁科晶体已研制出8英寸碳化硅晶体，解决大尺寸单晶制备的重要难题。
烁科晶体官网显示，公司成立于2018年，是国......
晶瑞股份：公司半导体级高纯硫酸品质达全球第一梯队水平(2021-05-13)
晶瑞股份：公司半导体级高纯硫酸品质达全球第一梯队水平;5月12日，晶瑞股份发布关于子公司年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目的进展公告。
公告显示，晶瑞化学先后于2018年3月......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
晶体生长及衬底制备。
2023年，晶升股份业绩表现良好，实现营收4.06亿元，同比增长82.70%；归母净利润0.71亿元，同比增长105.63%；归母扣非净利润0.42亿元，同比增长86.64......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
无间断工作、设备运行无需耗材等优
上海汉虹：制备8英寸碳化硅晶体
8月30日，上海汉虹官微宣布，他们在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体......
兴福公司电子级硫酸二期项目正式建成投产(2021-03-15)
兴福公司电子级硫酸二期项目正式建成投产;兴发集团官微消息，近日，兴发集团旗下的湖北兴福电子材料有限公司（以下简称“兴福公司”）电子级硫酸二期项目正式建成投产。目前，兴福公司已掌握高端电子级硫酸......
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm(2024-05-31)
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm;5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸......
美国能源部尝试用氢氧化铝提取锂(2024-04-28 09:38)
中一种广泛存在的矿物氢氧化锂对锂的吸附能力比以前使用的吸附剂高出5倍。
利用新研制的工艺从矿山、油田和旧电池渗出的废液提取锂，研究人员证实氢氧化铝可作为硫酸锂的吸附剂并保留它。
“与其他直接提锂方法相比，这种工艺的关键优势是适用的PH值范......
晶瑞电材：高端KrF（248）光刻胶已完成中试，公司已到5台光刻机(2021-12-17)
刻机，再加之此次购得的KrF光刻机，公司已经到位5台光刻机。
公开资料显示，该公司3万吨电子级硫酸产线已于今年上半年顺利通车，经试生产调试，产品金属杂质含量低于10ppt，达到G5级水平，品质......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？(2023-10-27)
关键技术，并在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得进步，其中，8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上。
2023年9月，科友半导体首批自产8......
相关企业
;泰兴市泰禾金属有限公司;;我公司主要生产氧化铜，氧化镍，硫酸铜，硫酸镍产品。已形成氧化铜年产1500吨，高纯氧化亚镍年产400吨，硫酸铜年产1000吨，精制硫酸镍年产400吨的规模。公司
;广州中捷机械化工有限公司;;广州中捷机械化工有限公司成立于1998年7月，是一家长期经营生产铜盐、镍盐及钴盐的品牌企业。其产品如醋酸铜、醋酸镍、醋酸钴、氟化镍、硫酸镍等产品行销国内外。
：工程技术人员78名。主产品有年产300吨氧化镍，2000吨氧化铜，4500吨氧化亚铜，8000吨氧化铁红，2000吨碱式碳酸铜，同时还生产硫酸镍、无水硫酸铜、活性氧化铜、氧化铁绿、氧化
;常熟市米特安化学制品厂;;本单位主要生产树脂复合材料－－团状模塑料（DMC)、片状模塑料（SMC)及其制品，另有印染上使用的有机化纤乳胶，以及纯度达到96以上的硫酸铜。本单
泵，计量泵，气液混合泵，潜水泵，管道泵，离心泵，排污泵，液下泵，磁力泵，化工泵，深井泵，多级泵，齿轮油泵，ZX自吸泵，耐腐蚀泵，高温铝锌液泵，铝液泵，气液混合泵，硫酸铜母液泵，硫化铵泵，萃取洗水泵，磁选
司，金阳化工（武汉）分公司，金阳化工（北京）分公司，金阳化工（昆明）分公司，金阳化工（嘉善）分公司，湖北嘉鱼金阳化工厂，广东清远华澳硫酸铜厂，湖南长沙金源玻璃纤维制品厂，山东临沂大金木业有限公司。公司
;四川国理锂材料有限公司;;国锂公司提供的产品有： 工业级碳酸锂、荧光级碳酸锂、自流平水泥专用碳酸锂，玻璃、陶瓷、釉料专用碳酸锂、铝电解专用碳酸锂，膨润土专用碳酸锂，高纯晶体专用碳酸锂，磷酸
材料系列：日制烧付铁板、矽铝箔、绿硅胶、玻纤布、离型膜、Pi补强板。电镀辅料：硫酸铜、柠檬酸、过硫酸钠、过硫酸铵、棉芯、碳芯。代理的设备：钻头刀面检查机、钻针研磨机、压膜机、菲林柜。乔天人秉承 “ 以一
;广州粤镁化工有限公司;;广州粤镁化工有限公司,亚硫酸钠厂家｜亚硫酸钠｜亚硫酸钠批发｜. 。 我公司是一家私营企业，主要经营化工行业。我们一直以广州帅源化工有限公司成立于2003年，位与
;北京国大联创科技有限公司;;微粒数字程控蓄电池修复系统，就是采用模糊数学控制理论，通过测定电池状态，在充、放电的同时不断发出正负变频微粒波。与电池中的硫酸铅结晶体发生共振，从而使硫酸铅晶体