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下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
相比宽禁带半导体具有更高的能量转换效率。目前，氧化镓材料制备水平进展较快，但是外延、器件方面还有很多工作要做。
“氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽，功率可以做得更高，也更加省电。氧化镓的制备......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
家指出，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的主要瓶颈。虽然氧化镓应用前景已经被多领域广泛看好，但未来氧化镓材料需要在高质量、低缺陷、大尺......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
用于一系列消费和国防应用的高效半导体。氮化镓的广泛应用意义重大，以至于三名日本科学家因此荣获 2014 年诺贝尔物理学奖。氮化镓具有卓越的电化学性能，目前正受到另一场重要的绿色技术革命——快速充电设备的青睐。充电......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
功率半导体的开发。
世界最强半导体——氧化镓
氮化镓的性能已是出类拔萃，但是它还不是最强的。世界最强半导体材料就目前的指标而言，是氧化镓......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
，氧化镓极有可能成为高功率、大电压应用领域的主导者。
图片
上述表格横向对比了氧化镓与碳化硅、氮化镓的各项性能差异。可以看出，它的各项性能指标较碳化硅以及氮化镓有着显著的优势。其中......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
应用领域的高压耐受性能。
本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
底（Substrate）是产业链的源头。从制备难度上看，不同于Si和SiC芯片，GaN的外延片通常用的是异质衬底，蓝宝石、碳化硅、硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。相对于常规半导体材料，GaN单晶......
氧化镓初创公司拓诺稀科技获数百万天使轮融资(2024-11-21)
稀科技成立于2022年，公司专注于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发。
据介绍，拓诺稀科技提供的核心产品涵盖高性能氧化镓肖特基二极管（SBD）及其他新型半导体器件。公司采用MOCVD和mist......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。
事实上，我国对于氧化镓的研究已有十余年时间。经过多年氧化镓晶体生长技术探索，中国电科46所分别于2016年和2018年相继制备......
氮化镓取代碳化硅，从PI开始？(2023-11-13)
Coss变得非常重要。
氮化镓的Coss和RDSon都很低，因此效率远高于硅。
几张实测效率图看三者区别
PI进行了一套完整的产品测试，以充分验证硅、氮化镓以及碳化硅的转换效率。Jason强调PI......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！(2024-09-13)
是全球首家在现有可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一突破将极大地推动氮化镓功率半导体市场的发展。
英飞凌表示，12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。
基于氮化镓的......
产研：车规级氮化镓普及面临哪些难点？(2023-06-27)
产研：车规级氮化镓普及面临哪些难点？;前言：车规级氮化镓的普及目前还处于非常前期的阶段，国产厂商正在加速布局，但后续前景非常看好。
从消费级到车规级，氮化镓（GaN）技术有何优势？
作为......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍(2024-10-21)
从晶种到基板的大规模生产。
信越化学公司正在努力利用内部开发的方法制造更大的基板，在氮化铝而不是氮化镓制成的基板上生长氮化镓晶体。
一些人认为，氮化镓的......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
透明导电性等优异物理性能，它的各项性能指标较硅、碳化硅以及氮化镓有着显著的优势，和金刚石相比性能稍差，但是目前金刚石的制备特别困难，距离器件应用还需要不少投入。
最后两项数据中，BFOM是衡量器件的高功率性能，JFOM......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
比之前的半导体材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，在低能耗的同时产生更高的效率。
除此之外，氧化镓在成本较低的同时也具有良好的化学特性和热稳定性，再加上其制备方法相对便捷，因此......
英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems(2023-03-03)
英飞凌8.3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems;美国东部3月2日下午，英飞凌宣布收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元。GaN Systems 是开发基于氮化镓的......
英飞凌8．3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems(2023-03-03 11:32)
英飞凌8．3亿美元收购半导体元件生产商GaN Systems;美国东部3月2日下午，英飞凌宣布收购氮化镓初创公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元。GaN Systems 是开发基于氮化镓的......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
其简单的结构和极窄的栅极宽度，这种晶体管可以最大限度地减少寄生电容，从而带来更高的稳定性。
全新晶体制备方法
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所首创并自主命名为“晶格传质-界面生长”的一种全新晶体制备方法......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
着怎样的新思路。
先回顾 GaN 氮化镓的优势
氮化镓（GaN）是一种「宽禁带」（WBG）材料，其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
，从而实现了安全可靠且简便的控制方法，这种架构也决定了可以开发出更高耐压的氮化镓。阎金光也强调，虽然串联方法下导通电阻会稍大一些，但是却能保证产品的高可靠，高耐压，这样才能发挥出氮化镓的真正优势。“技术......
吴越半导体完成数亿元A轮融资，深耕氮化镓自支撑衬底技术(2022-02-19)
自支撑衬底生产制造厂家。
从制备工艺上看，氮化镓自支撑衬底的制备通常是在蓝宝石衬底上异质外延氮化镓膜，然后采用激光剥离技术(laserlift-offtechnique)使得氮化镓膜与蓝宝石分离，从而得到自支撑氮化镓......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
材料。该项研究成果目前已经被发表在最新一期的《科学报告》上。
报道网页截图
此前日本开发出一种制造高质量氮化镓的方法，用于生产蓝光LED，这种蓝光LED被用作智能手机、显示器、电子......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
碳化硅相关技术实现新突破(2024-08-22)
碳化硅相关技术实现新突破;近日，泰科天润、积塔半导体以及北方华创在碳化硅相关技术研发上实现最新突破，相关专利陆续公布。
泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
于2000cm2/Vs的电子迁移率。
（4）门级电压7V
氮化镓的工艺决定，氮化镓功率器件的最大门级电压被限制在了7V，且于现有的硅驱动IC不兼容。
（二）器件工艺技术
氮化镓......
已赢得一份美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)的合同。该项目是ARPA-E CIRCUITS计划的一部分，通过与伊利诺伊理工大学的分包合同开展，包括提供基于氮化镓的四象限双向开关管(FQS......
3000W！GaN打入电动车无线充市场(2024-01-03)
于传统有线充电桩，无线充电只需在脚踏板底部安装接收器即可使用无线充电，非常方便，而充电过程电动自行车不会与电源直接连接，可避免意外触电，或短路引发火灾等情况，安全性大幅提升。
而且基于氮化镓的......
PI推出900V氮化镓InnoSwitch3-AQ，加速取代12V铅酸电池(2023-03-30)
满足汽车中的不同电压和功率等级，PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品，而900V氮化镓的推出，更是将功率提升至100W。
900V氮化镓的优势
最新的氮化镓......
德州仪器进军中压氮化镓，进一步替代传统硅基市场(2024-03-12)
杨斐表示，氮化镓由于频率高，因此开关的dv/dt、di/dt都是快速切换的，这就给驱动、PCB布线等设计带来了巨大挑战。
“TI的做法是把氮化镓的功率器件和驱动集成在一起，通过......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
亿颗。
Doug Bailey也表达了类似的观点。“其他公司可能会存在价格、数量或供应链问题，但我们没有。因为Power Integrations发现，使用氮化镓的最佳方法是围绕它构建一个系统。"
他以......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
衬底厚度，能够使器件产生的热量通过衬底散出，增强器件的散热能力，提高器件性能。超薄6英寸衬底为高性能器件的制备提供了一种新选择，满足功率器件领域的科研与生产需求，促进业内产学研协同合作。
资料......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
快充市场。其中，OPPO是全球首家在手机充电器中导入氮化镓的厂商，2019年该公司推出了65W超级闪充氮化镓充电器，随后三星、小米、中兴等手机厂商加入氮化镓快充阵营。除了手机厂商之外，第三方厂商也在持续推出氮化镓......
新型半导体技术可为人工智能提供动力(2024-04-25 10:29)
器件可在主服务器电源中更高效地运行，从而减少数据中心的能量损耗。基于氮化镓的解决方案可实现出色的导通电阻和高开关速度，从而大大降低能量损耗。这不仅降低了服务器机架的能源需求，还减少了对数据中心冷却系统的需求。 能源......
资本蜂拥第三代半导体：新能源“拱火”，“直道超车”下机遇风险并存(2021-12-17)
光电等企业已经具备材料和工艺的基础、以及相关生产的经验，这是他们的优势。当然光电器件和功率IC之间的工艺差异明显，IC技术难度升级，产线拓展也存在着挑战。
对于氮化镓的布局，华灿光电副总裁王江波向21世纪......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
凌原本的业务重心以碳化硅（SiC）为主，通过收购GaN Systems将进一步完善其第三代半导体领域的业务版图。资料显示，GaN Systems成立于2008年，是一家第三代半导体无晶圆设计公司，主营业务是开发基于氮化镓的......
第三代半导体科普，国产任重道远(2017-05-15)
的发展使得中国具备了发展三代半导体，特别是氮化镓的产业基础。虽然LED和功率半导体隔着行，但是毕竟中国在这个领域里取得了骄人的战绩。全球主要的制造设备，产业链配套、技术人员都云集在中国。
3.中国......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”;
【导读】近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。据“中国电科”消息，中国电科46所氧化镓团队从大尺寸氧化镓......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
收购GaN Systems将进一步完善其第三代半导体领域的业务版图。资料显示，GaN
Systems成立于2008年，是一家第三代半导体无晶圆设计公司，主营业务是开发基于氮化镓的......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
价比的要求，可广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。
从特性上看，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，大于GaAs（1.424eV）和......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。
碳化硅衬底氮化镓： 这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
上个世纪八十年代，IPM模块就开始了商业化进程。因其高集成度、高可靠性、节约空间以及更好的热管理，广泛引用于家用电器和工业自动化领域。
随着氮化镓的SWaP-C指标均超过IGBT和MOSFET，且逐......
去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元，电信基础设施占比过半(2023-06-27)
模MIMO每个基站需要更多PA单元。与LDMOS相比，3GHz频率以上更高的PAE和宽带能力对氮化镓来说是一个发展机会。到2028年，基于氮化镓的电信基础设施设备市场将占总市场的近45......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。
本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓......
系统公司是全球领先的科技公司，致力于为应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。
英飞凌科技首席执行官 Jochen......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
门槛后才能进入产业化快车道。现阶段，富加镓业已经实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，单晶外延技术也取得重要进展，已达到6英寸硅基器件线产业化门槛。
据集邦化合物半导体了解，包括富加镓业在内的国内厂商和研究机构正在加速布局氧化镓......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%;
【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）(2023-03-03)
（）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，斥资 8.3 亿美元收购。是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。本文......
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC(2023-10-31 11:04)
至淘汰了业界最好的高压硅MOSFET的使用。我们于2019年即率先向市场大批量出货了基于氮化镓的电源IC产品，并于今年早些时候推出了基于氮化镓的900V的InnoSwitch新品。我们持续开发更高电压的氮化镓技术，比如......
相关企业
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
护脚等系列产品；具有远红外、负离子保健功能的陶瓷片、球粒等。同时公司生产化妆品用活性粉体：油性钛白粉、水性钛白粉、滑石粉、高岭土、各种色粉。 本公司已有一项发明专利（ZL02 1 50816X一种生物光素及其制备方法
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装，材料采用氮化镓（GaN），结构为电解出型，封装形式为直插型，型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号，形状有圆头，椭圆，草帽，钢盔，方形
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案，满足全球客户需求。我们是市场领导者，专门为移动设备，3G和4G蜂窝基站，WLAN
等全部由计算机全程控制,实现高硬度、高精度、高效率的氮化处理。被氮化的产品变形极小、耐磨性及耐腐蚀性强、外观银亮。作为一种全新的渗氮方法，现已广泛应用于汽车、造船、纺织机械、石化机械、精密仪器、齿轮、驱动
等全部由计算机全程控制,实现高硬度、高精度、高效率的氮化处理。被氮化的产品变形极小、耐磨性及耐腐蚀性强、外观银亮。作为一种全新的渗氮方法，现已广泛应用于汽车、造船、纺织机械、石化机械、精密仪器、齿轮
;东莞市亚库电子有限公司;;亚库电子独家代理台湾竹路应用材料股份有限公司的氮化铝粉和氮化铝导热塑胶。 竹路应材的前身为元诚科技，成立于2003年，从事被动组件的制造与营销；公司为追求创新，跨足
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓（GaN）为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm；可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。