葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

资讯

利用锁相放大器有效克服噪声，检测到三个信号，并较为精确地求出其两两之间的相位差。 B)PN结电容的测量 PN结外加电压时，势垒区的空间电荷数量将随外加电压变化，这种由势垒区的点和变化引起的电容是势垒电容......
肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。 东芝......
的五款产品。       最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒......
封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。 最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒......
要的地方开孔把不纯物扩散结合。 扩散结合形（PN结合形）※ 把不纯物热扩散到硅半导体里，形成叫做P形，N形的不纯物扩散领域。这个结合部产生叫做电位墙壁的墙壁。 肖特基势垒型※ 利用......
电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容) 5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守3W原则，即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB......
电路中，必须考虑 PN 结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反向偏置为势垒电容）。 5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守 3W 原则，即相......
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。 管变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容......
。 X-FAB可生产多种SiC产品，其中包括SiC SBD（肖特基势垒二极管）、合并PiN肖特基 (MPS) 二极管、JBS（结势垒肖特基）二极管、MOSFET和JFET。而公司生产的8英寸GaN......
二极管 变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管，其结构如右图所示。 管变......
仅有望提高效率，而且由于反向恢复电流低，二极管关断期间的转换器振荡和电磁干扰（EMI）问题也减少了。 该二极管的另一个变体是SiC结势垒肖特基二极管（JBS）。大多数商业化的SiC二极......
极驱动应用中；绝缘可以承受恒定的压力。可以通过以下方式提高局部放电抗扰度： 适当间隔变压器的初级和次级侧 确保无空隙、固体绝缘 大于工作势垒电压的局部放电起始电压 (PDIV) 可以......
损耗大幅降低的SiC MOSFET，与第二代SiC MOSFET相比，新型产品的开关损耗约降低了20%。 东芝通过在第二代产品的SiC MOSFET 内部与PN二极管并联内置了一个肖特基势垒二极管（SBD......
技术，借助针床夹具完成测试过程，精准测量PCBA 中组装的电阻、电容、电感、跳线、二极管、三极管、光耦等通用和特殊元器件的参数值，根据标准值判断故障类型，ICT 对不同器件的原理各不相同。 1.1 电阻......
值要高得多。 高电击穿场提供更高的击穿电压。该电压是击穿体二极管断开时的值，并且不断增加的电流在源极和漏极之间流动。PN结二极管的击穿电压与击穿电场成正比，与材料浓度成反比。 高电......
连接电场场限制层和源极的侧接地，并斜向注入氮元素，再局部形成更容易导电的高浓度掺杂层，此前三菱报道了6.5kV/45A的SiC MOSFET器件； 瀚薪：提出一种结势垒......
，VGS=−3V/18V，RG=4.7Ω，25°C。续流二极管用作碳化硅SBD（肖特基势垒二极管），型号为FFSH30120A，对EON没有反向恢复电荷影响，只有电容损耗影响EON。产品封装为TO247......
MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱......
二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置......
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD);Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD) 【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes......
使用寿命和更高信号完整性的需求不断增长，光耦的局限性也渐渐暴露出来。由于绝缘材料容易因高电压应力击穿势垒，老化问题成了光耦的突出问题。同时由于生产工艺的限制，光耦的一致性也无法得到有效保证。此外，由于......
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。 （1）氧化镓基肖特基二极管 对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
管种类 SiC功率二极管有4种类型：PiN 二极管、肖特基二极管(Schottky Barrier  Diode，SBD)，结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky......
管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。 场效应管：测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常，测试GD,GS是否有短路。 电容：无极性电容，击穿短路或脱焊，漏电严重或电阻效应。 电解电容......
表笔点触另一端，正常时会发出清脆响量的“哒”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。 2、测电容：用电阻档，根据电容容量选择适当的量程，并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容......
，任一表笔接一端，另一表笔点触另一端，正常时会发出清脆响量的“哒”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。　　2、测电容：用电阻档，根据电容容量选择适当的量程，并注意测量时对于电解电容黑表笔要接电容......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
）生活就像PN结一样，怎么造都会有电容影响，生活也都会有坎坷与不顺。你希望生活顺心如意，希望爱情一直甜蜜，希望婚姻幸福，对不起，这和消除PN结电容一样，是个世界性难题，当然......
直流参数上，没有反向二极管（0 Reverse Recovery），主要原因在于GaN晶体管没有SJ MOSFET的寄生PN结。此外，两者在直流参数以及Vth等也有着不小的区别，同规格情况下，GaN晶体......
提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。 SiC二极管 10月26日，UnitedSiC推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管——UJ3D 1200V和1700V，以补充FET和JFET晶体......
讲透三极管(2024-06-13)
质上晶体内部有关载流子的问题其实并不简单，它涉及到晶体的能级分析能带结构，以及载流子移动的势垒分析等。所以，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结，就可以制成晶体管，晶体......
、动圈式话筒：　　用R×1Ω档，任一表笔接一端，另一表笔点触另一端，正常时会发出清脆响量的“哒”声。如果不响，则是线圈断了，如果响声小而尖，则是有擦圈问题，也不能用。　　2、测电容：　　用电阻档，根据电容......
虎虎也没什么不好。 生活就行PN结一样，怎么造都会有电容影响，生活也都会有坎坷与不顺。 你希望生活顺心如意，希望爱情一直甜蜜，希望婚姻幸福，对不起，这和消除ＰＮ结电容......
较少，维护简单，过流过压能力较强。　数字式万用表内部采用了多种振荡，放大、分频保护等电路，所以功能较多。比如可以测量温度、频率(在一个较低的范围)、电容、电感，做信号发生器等等。　数字......
　Silicon Carbide：碳化硅 ※2　Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管 新产品的特点1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献・通过使用SiC大幅......
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管; 【导读】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍; 随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极......
.检测10pf以下的小电容 因10pf以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表电阻档，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值......
的误差值或容量性能是否下降；用pn结档位或100k以上电阻档位测量电容是否击穿还是好。 ......
灯与普通灯相比，因其体积小，短时间内发出强光，因此被广泛用于化学分析仪器、工业定位检测及交通警示等领域。现有的高亮度频闪灯的工作电压范围小，通常12～24 V，且无温度补偿功能，因此长期在高温条件下工作时，储能电容......
。LTC1594L / LTC1598L 均采用一个 3V 电源工作。这些 12 位、开关电容器、逐次逼近型 ADC 包含一个采样及保持电路。 片内串行端口可通过 3 根或 4 根导......
开关损耗。除了集成化的结构以外，在M-MOSTM中还采用了一种新型的分离栅MOSFET结构，具体可见上图右下图的位置②部分，它可有效降低器件的密勒电容，降低开关损耗。 M-MOSTM结构......
5V 版本。这些 8 位、开关式电容器、逐次逼近型 ADC 纳入了采样及保持电路。LTC1096 / LTC1096L 具有单个差分模拟输入。LTC1098 / LTC1098L 提供......
每当它们不执行转换时将自动地断电至 1nA 的典型电源电流。LTC1285 / LTC1288 内置于 8 引脚 SO 封装，并采用 3V 至 6V 电源供电运行。这些 12 位、开关式电容器、逐次......
联二极管上加有足够大的正向直流电压。由此分析可知，3只二极管VD1、VD2和VD3是在直流工作电压+V作用下导通的。（3）从电路中还可以看出，3只二极管上没有加入交流信号电压，因为在VD1正极即电路中的A点与地之间接有大容量电容......
、 高电平复位RESET（PIN9）；（10uF电容接VCC与RESET，即可实现上电复位） 5、 内置振荡电路，外部只要接晶体至X1（PIN18）和X0（PIN19）；（频率为主频的12倍） 6、 程序......
原因有以下两个方面。a. 因为在开关闭合，将Vin作用到二极管的阴极，突然中断了二极管的导通周期。对于PN二极管，首先需要将正向导通时PN结变回到电中性时的PN结，移去所有的少数载流子。二极......
确保系统安全关机。 UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750利用电容隔离技术，构建了较长的隔离势垒使用寿命，同时提供高增强隔离电压、快速数据传输和高密度封装。 “系统......
Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD); 公司 ()近日宣布推出首款 (SiC)  ()。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A......
4200A-SCS参数分析仪的功能特点及应用范围;4200A-SCS是一个模块化、可定制、高度一体化的参数分析仪，可同时进行电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）和超快脉冲I-V电学测试。使用......

相关企业

PN ELECTRONICS
PN ELECTRONICS;;Independent distributor Number 1 of electronic components in France Founding of PN
pn-silicon
pn-silicon;;;
凯鑫塑胶五金
;凯鑫塑胶五金;;PP，PN。PAEI14-76型号齐全。
深圳市鹏雷科技有限公司
用先进的技术和先进的生产工艺，通过现代化生产加工设备，提供给用户高质量，功能强，使用方便的优质产品。 公司目前主要产品有:PN-1000系列便携式气体检测仪、PN-2000系列固定式气体检测仪、PN-3000手提式气体检测仪，PN
沈阳海华恒远工程材料有限公司
;沈阳海华恒远工程材料有限公司;;公司以一贯支持以环保为前提，尊重人类对生存和可持续发展的要求，针对不同环境实际情况，生产腻子型（PN）遇水膨胀橡胶止水条，制品型（PZ）遇水膨胀橡胶
深圳市芯鸿电子有限公司
体放电管／数字三极管／可编程过压保护器件／齐纳二极管／肖特基势垒二极管／场效应管／气体放电管/可控硅器件等。 涉及的经典应用如以太网口的保护，RS485／ RS232口的保护，USB2.0的端口保护，CCTV的音
保定冶化泵业龙泉水泵厂
;保定冶化泵业龙泉水泵厂;;BA,BK系列清水泵，IS清水泵，PW,PN系列污水泵，LXL型纸浆泵，SH中开泵系列,卧式、立式等十几个系列，三百余各规格。 产品广泛用于工程配套、民用建筑给排水、暖通
北京凯成龙源科贸有限公司
. 代理日本松下全系列车载继电器。 3. 代理日本三洋全系列OS-CON电容、全系列POSCAP电容。 4. 代理日本三洋半导体大小功率MOSFET，低饱和大小信号双极晶体管，功率双极晶体管，肖特基势垒
河北中通泵业制造有限公司
型 污水泵， PN型、PNL 型泥浆泵， LXL 型、ZBJ 型纸浆泵， WGL 型、 NWL 立 杆污水泵， PH 型灰渣泵， PS 型砂泵， N 型冷凝泵及各种规格型号的配件
辽宁海华恒远有限公司
不同环境实际情况，生产腻子型（PN）遇水膨胀橡胶止水条， 制品型（PZ）遇水膨胀橡胶