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三菱电机开始发售功率半导体「1200VSiC－SBD」

发布时间:2019-04-04  
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三菱电机株式会社作为为降低太阳能发电和EV用充电器等电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献的功率半导体新产品，对于采用了SiC※1耐压1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型将于2019年6月开始提供样本，从2020年1月起依次发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕张举行),“PCIM Europe2019展”（5月7～9日于德国纽伦堡举行）,“PCIM※1 Asia2019展”（6月26～28日于中华人民共和国上海举行）上展出。

※1　Silicon Carbide：碳化硅
※2　Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管

新产品的特点

1．通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献

・通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21％的电力损耗※3
・实现高速开关，为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si（硅）二极管相比

2．通过采用JBS结构，提高可靠性

・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky

3．由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

・除了通常的TO-247封装外，还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装
除民用品外还可对应工业等各种各样的用途
・产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品（BD20120SJ），也可对应车载用途
※5 Automotive Electronics Council：车载电子零部件质量规格

发售概要

产品名

型号

封装

规格

开始提供

样品月份

发售日期

1200V

SiC-SBD

BD10120P

TO-247-2

1200V/10A

2019年

6月

2020年

1月

BD20120P

1200V/20A

BD10120S

TO-247

1200V/10A

BD20120S

1200V/20A

BD20120SJ

1200V/20A

AEC-Q101

2020年

4月

销售目标

近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。

本产品的开发得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※6　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

主要规格

型号

BD10120S

BD10120P

BD20120S（J）

BD20120P

规格

1200V／10A

1200V／20A

耐浪涌电流

（绝对最大额定值）※7

95A

155A

正向电压（标准）Tj=25℃

1.35V

封装

TO-247

TO-247-2

TO-247

TO-247-2

封装尺寸

15.9 × 41.0 × 5.0mm

※7　8.3msec, sine wave

SiC-SBD系列的产品阵容

粗框内为本次的新产品。

产品名

型号

规格

封装

供应状况

电压［V］

电流［A］

SiC-SBD

BD10120S

1200

10

TO-247

自2019年6月起

开始提供样品

BD10120P

TO-247-2

BD20120S

20

TO-247

BD20120SJ

TO-247

BD20120P

TO-247-2

BD20060S

600

TO-247

正在提供样品

BD20060A

TO-263S

BD20060T

TO-220FP-2

已批量生产
文章来源于:ECCN    原文链接
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