资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
较麻烦，需采用隔离电压设计。
NMOS PMOS CMOS
CMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成，先介绍MOS管，然后再介绍由CMOS组成的门电路。
MOS......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
利用反证方式来看看MOS管作为开关时的连接方式。
NMOS和PMOS 的开关连接方式是不同的。
NMOS管：D极接输入，S极接输出，（正常导通）
PMOS管：S极接......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
PMOS做信号开关NMOS做电平转换;
1 PMOS与NMOS
硬件工程师在设计原理图时，偶尔会遇到一些情况，需要一个开关来隔断信号，或者需要一个电平转换电路来匹配不同的IO电平......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）;
一、原理介绍
如上图MOS管符号，要注......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
温度额定值示例。
额定功率耗散
4、MOSFET 如何作为电池反向保护的电路仿真
1）在正常电压应用期间
下面是 PMOS 和 NMOS MOSFET 作为......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
PMOS开关典型电路工作原理及分析(2024-09-25 17:14:11)
PMOS开关典型电路工作原理及分析;
PMOS管经典开关电路
以下为两款经典PMOS管开关电路应用范例：首先，第一款为NMOS管，其在高电平时导通，低电......
汽车电源线上的脉冲干扰，PMOS防反保护电路的缺点(2023-09-12)
体二极管实现防反保护功能。
在低边串联NMOS
这种电路需要在低边放置一个 NMOS。简化的栅极驱动电路通常会采用高性价比的 NMOS。该电路的功能类似于放置在高边的PMOS。但是，这种......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
池电压
VCC为系统电压
当只用电池电压供电时：MOS管Q9 栅极g为0V 源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
NMOS防反
3、采用PMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.7V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs-0......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
电流被阻断。
对于PMOS，栅极电压必须被拉低到低于电池电压至少4V 才能开启MOS 管（
注：低开启电压的MOS 也不少了，比如2.5V
）。如果是NMOS，栅极......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
方法比使用二极管更好，因为电源
(电池) 电压增强了 ，因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因为分立式
NMOS 晶体管导电率更高、成本......
瞬态事件如何影响LDO的动态性能？(2022-12-16)
元件也会相应地以导通和关闭做出响应。
您可以将类似的原则应用于含NMOS传递元件的LDO。含PMOS传递元件的LDO有一个针对输入电压VIN的栅源电压VGS，而含NMOS传递元件的LDO有一个针对输出电压VOUT的栅源电压VGS......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、D型锁存器(2023-06-09)
使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
MOS管选型问题，有那么纠结吗？(2024-11-19 11:29:47)
MOS管选型问题，有那么纠结吗？;
MOS管选型需考虑沟道类型（NMOS或PMOS）、电压、电流、热要求、开关性能及封装，同时需结合电路设计、工作环境及成本，避免混淆NMOS和PMOS......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动电路。
2、NMOS管IRLR7843
在选择MOS管搭建H桥时，主要......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2022-12-06)
部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对共用一个栅极（引脚6、3......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、传输门XOR(2023-05-15)
模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
市场有哪些产品用了三星14nm FinFET 制程(2016-10-26)
围绕矽鳍的较大晶格常数，因而在PMOS晶体管上产生压缩应变，从而提高其驱动电流。大量掺杂的SiGe与NMOS eSi源极/汲极也包覆在鳍片两侧，为钨填充的触点提供较大的接触贴片，从而......
两电池供电时的电源切换设计(2024-03-05)
电池供电上增加一个开关线路，用刀口座中间片来控制。尽量用最少元件的前提下，如下图新增一个PMOS管Q4，G极串一个电阻R86到刀片座中间片，当大电池接入时Q4的G极为高电平，此时Q4不导通，所以......
升降压原理浅析(2023-03-20)
分压差和电流会产生一定的功耗：
这部分功耗都会体现在LDO发热上，故LDO效率都比较低，过电流能力也相对较小。
当然也有NMOS管架构的LDO，以适用较大电流低压差的应用场景。下面着重对PMOS......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路;
用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制：
1、不用......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
欢使用比“nmos”或“pmos”更具体的东西，所以我将模型名称（图3）更改为nmos_90nm和pmos_90nm。
NMOS和PMOS型号名称。
图3。NMOS和PMOS型号名称。图片......
一款无刷电机控制器DIY设计方案(2023-01-11)
部分网上基本都是成熟的方案。三相H桥，H桥一般有上臂mos和下臂mos组成，如果只是简单的做演示上臂选pmos下臂选nmos控制电路简单直接用单片机的io就可以驱动。但是pmos低内阻的价格高。功率......
LDO 基础知识(2024-10-11 17:47:03)
压过程如下图所示，当负载电压升高/降低时，采样电路所采到的电压就跟着升高/降低，传递给误差放大器后通过调节导通器件的导通程度来调节输出电压。
导通器件
导通器件常见的有 PMOS、NMOS、BJT......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
自制无刷电机控制器，牛啊(2024-11-01 12:19:17)
，如果只是简单的做演示上臂选pmos下臂选nmos控制电路简单直接用单片机的io就可以驱动。但是pmos低内阻的价格高。功率......
三个PMOS管防倒灌电路(2024-09-13 17:47:16)
个电路：
这个电路不仅可以防倒灌，还可以实现防反接保护功能。
当电源接反时，PMOS不导通，后级电路断开。
在这里加入了一个稳压管，是为了保护MOS管。
除了上面两个电路，实际......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
更低损耗、更快反向保护！思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-19 09:40)
道电阻急剧增加，从而在PMOS两端产生较大的电压降，这可能会引起断路，导致系统重新启动。TPS65R01具有出色的冷启动性能，即使在冷启动运行期间输入电压低于4V（仍高于3.2V）时，也能确保外部NMOS......
电路设计少不了ESD，详述一下其理论，超详细！(2024-04-17)
短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain......
干货分享丨一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了！(2024-04-21 15:22:24)
结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS......
STM32 GPIO的工作模式(2024-07-17)
口推挽输出就是，对输出数据寄存器进行置0或置1操作，然后通过输出控制缓冲器对双MOS电路进行控制。 IO电平输出的双MOS电路通路同时由PMOS和NMOS组成，当输出控制端输出为1时，上方PMOS导通......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物半导体）这两大CMOS关键组件。此外，英特......
思瑞浦推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q(2024-07-23)
。
更好的冷启动性能
在汽车冷启动期间，电池电压会降低到4V左右，在这种情况下，使用PMOS（P型金......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管，在单位面积上增加晶体管数量。堆叠晶体管为互连创造了一个非常有趣的拓扑结构，需要同时为顶部和底部的晶体管提供电力和信号，无法选择只向其中一个进行供电。此时，便可......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
触点技术可以为晶体管堆叠的互连需求带来改变。
之前，大多数互连都是针对单层晶体管需求而生，但当开始堆叠晶体管，关键思路就是通过PMOS晶体管上叠加NMOS晶体管，在单位面积上增加晶体管数量。堆叠......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。
反并二极管+保险丝
使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和......
简单有趣的单键电子开关电路原理(2024-12-24 15:23:20)
是按一下，开机，再按一下，关机。还是比较方便的。
图中的元器件先说明一下哈：
1、B1是个3V-6V的电池。
2、SI2301（U1）是个pmos管。pmos是P沟道......
LTC695数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:19)
也不例外。
LTC690 系列利用一个充电泵 NMOS 电源开关来给有源 CMOS RAM 供电，旨在实现低压差和低电源电流。当失去主电源时，将由辅助电源 (连接至电池输入引脚) 通过......
模拟开关用途和基本操作(2023-09-20)
操作传输门或被定义为一种电子元件，它将选择性地阻止或传递从输入到输出的信号电平。该固态开关由 pMOS 晶体管和 nMOS 晶体管组成。控制栅极以互补方式偏置，使得两个晶体管要么导通，要么截止。当节点 A 上的......
用LPC2119芯片CAN总线和DSl8B20设计的智能超声液位变送器(2023-03-06)
。使用LPC2119芯片内部定时器0产生40 kHz的激励脉冲，输至NMOS场效应管Q1的栅极。当控制端PO．22 OUT为低电平时，NMOS场效应管Q1截止，PMOS场效应管Q2的Ugs接近......
帝奥微推出具有完整诊断功能的车规级四开关同步升降压LED控制器DIA89360(2024-06-04 11:13)
况下，输出电容放电，输出电压降低，LED电流的建立有一定的延时，如竞品波形，当调光比高到一定数值时，LED电流无法快速响应PWM输入。2. 相比于集成低侧NMOS驱动，高侧的PMOS驱动......
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;nemi;;nmos cmos bipolar
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC
;深圳市顺颀威科技有限公司;;深圳市顺颀威科技是一家代理商，主要代理台产MOS管，大功率二、三极管和键盘IC。本公司与TM、AT、强茂、益龙及巨盛有多年的合作关系，保证了产品供货的及时性和品质的可靠性。
LED驱动IC、LED日光灯驱动IC、LED灯、NMOS管，其它电子元件等。 我们坚持诚信、专业、创新精神，以品质赢得信赖，以品牌成就未来。追求永续经营，不断
;（深圳市）福田区新兴电子商行;;本公司主要经营红外线发射管和接收头.鼠标对管.光电IC管.槽型光电传感器.反射型传感器.金封发射接收系列.光钎发射接收元件.蓝敏硅光电池.数据传输.主营
、白光LED驱动IC、LED日光灯驱动IC、LED灯、NMOS管，其它电子元件等 我们坚持诚信（Integrity）、专业（Professional）、创新（Innovation）精神，以品
;广州凯恒科塑有限公司销售部;;广州凯恒科塑有限公司是专业生产热缩管管、PVC管、电子线的厂家。其生产的125度热缩管和175度透明阻燃热缩管都通过美国UL及加拿大CSA国际安全认证。热缩
;广州陶鑫高分子材料有限公司;;广州陶鑫高分子材料有限公司是专业生产各种硅胶电线，硅胶异型条、管（耐温在-60℃～200℃），硅胶发热电线，屏蔽电线电缆。以及生产F4聚四氟乙烯电线、管和
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