资讯
MOS管与电动汽车充电器电路的设计紧密相关(2023-11-02)
MOS管与电动汽车充电器电路的设计紧密相关;对于新能源汽车行业的国内需求市场的发展十分明确，电动汽车充电器作为电流转换设备，它的性能和元器件材料的质量，在一定程度上影响着充电的速度。
MOS管元......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，
为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨......
“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，其中硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS,
产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例，目前......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
坏图
首先，肖特基二极管与 mos 管 源极串联，肖特基二极管可防止 mos 管体二极管被续流电流正向偏置。其次，高速（快速恢复）二极管并联到 mos 管/肖特基对，以便......
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用(2023-08-15)
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用;一、超结MOS在电源适配器的作用
电源适配器（Power adapter）被广泛应用于日常生活中常见的电器电源中，如笔记本充电器、电动车充电器等。但由......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
，NOCP，OTP，pre-OVP，HSS等多种保护，以实现安全可靠运行。
图2 IMON waveform
图3 IMON精度曲线
03 应用场景
传统的供电设计，是将上行MOS管、下行......
龙腾半导体闯关科创板 募资11.8亿元向Fab-Lite模式转变(2021-06-25)
半导体产品覆盖了功率MOSFET分立器件主要类别，形成了超结MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET和沟槽型MOSFET四大产品平台，功率器件细分型号超过 500种，涵盖-30V至+800V电压......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
高端功率器件半导体公司超致半导体完成数千万元A轮融资(2021-12-17)
MOS等产品。
公开资料显示，上海超致半导体科技有限公司成立于2015年，是一家专注于高端功率器件的半导体产品公司。目前超致半导体是国内首家多层外延工艺的超结MOS供应商（和英......
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市(2023-08-08)
瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市;
【导读】瑞森半导体进一步壮大和完善超结（SJ）MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
管和1200V的SiC平面式MOS管的研发。
在基于硅基类第一代半导体的功率器件产品上，天狼芯生产的MOS管和IGBT模组已经与晶圆厂合作落地量产：针对消费电子场景，公司主要生产20V~150V的MOS管......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
单节锂电池产生高电压来运行电机。
下图为
升压转换器的简化原理图
，由
电容
、
电感
、
MOS 管
和......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
、60V的电流、电压， RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，和ao mos管 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用;，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
荷，会导致mos管误触发，可靠的放电电路还是需要依赖mos管g极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。
3）防护漏源极之间过电压 :
虽然漏源击穿电压VDS一般都很大，但如......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述：
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
一个STM32G474RBT6 MCU 控制的+同步整流（SR)。
STDES-3KWTLCP还可以帮助用户使用ST最新的功率器件： MOSFET、高压MDmesh MOSFET、超结MOSFET、隔离MOS......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
、中压低压MOS、超结场效应管COOLMOS、可控硅桥堆，还有大功率的IGBT管，还有应用在军工和高端工业品市场的碳化硅场效应SiC MOS管等产品。目前可用于工业军工产品有：碳化硅SiC二极管、碳化......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
利用反证方式来看看MOS管作为开关时的连接方式。
NMOS和PMOS 的开关连接方式是不同的。
NMOS管：D极接输入，S极接输出，（正常导通）
PMOS管：S极接......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
超致半导体获得华虹战略投资入股 推出全球首款超结IGBT产品(2022-08-12)
卓资本、某产业基金共同完成本轮投资，盈杉资本担任独家财务顾问。该轮融资完成后将主要用于开发全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、开发第3代多层外延超结MOS（pitch：7um......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
动电路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
据悉，安建半导体成立于2016年，目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示：
从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大电压范围。
d. **VDSS（漏源间可承受的最大电压差值）**：该值一般我们看最小电压值，在实际设计中mos管DS端的电压差值也应远小于该值，并留有较大余量。（例如该mos管为75V，那么......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
另一对MOS管2相Q3导通的时候(此时必须保证Q1和Q4关断)，电流从右至左流过电机，从而驱动电机沿逆时针方向转动。驱动电机时，保证H桥两......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极......
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析(2024-11-17 11:29:59)
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析;
开关电源开关管(MOS管)，有几种驱动电路？你都知道哪一种？
......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
换电路
当 SDA1 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs = 0，MOS 管关闭，SDA2 被电阻 R3 上拉到 5V。
当 SDA1 输出低电平时：MOS 管 Q1 的......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
看出这是一个负反馈的过程。所以Cgd也叫反馈电容。
2. 米勒电容在MOS开通过程中带来的问题
1. dv/dt 限制
当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
带来的是匝比增大，主MOS管的应力必然提高。
一般反激选取600V或650V以下的MOS管，成本考虑。
占空比过大势必承受不起。
第二......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
这家化合物半导体公司获得千万战略融资(2024-02-08)
压 MOS、高压超结MOS、第三代半导体SiC、GaN；模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片；SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于通信、BMS、电机、电源、家电、工业、新能源、储能、光伏、电力、智能......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
管驱动电路
三级管驱动电路是最基本的MOS管驱动电路，下面以N—MOS三极管驱动电路为例。如图，当控制核心输出高电平时，三极管Q1导通，N-MOS管Q2控制极（G）被拉低，MOS管截止；当控......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路(2024-12-31 09:43:27)
+5V上电，Q2基极被拉低到地，三极管关闭，随后MOS管Q1关闭。
这是因为电源+5V还不稳定，电源无法打开向后级电路输出。
此时电源+5V刚上电，MOS管的G极和S极同......
一种基于铝基板的加热台设计与实现(2023-03-10)
整合后采用PID 算法[6]控制输出PWM波驱动MOS 管[2]，印刷上均匀分布着覆铜走线，根据欧姆定律可知，电流流过导线可以产生热量，进而实现平面加热，由于存在温度采集模块，整个系统处于闭环状态，达到......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
要组成部分
。
因此，值得关注的是，储能逆变器内使用的半导体器件有：IGBT、MOS管、MCU、电源管理芯片、电容、PCB板等，
其中IGBT、MOS管......
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;深圳泛辉科技;;希格玛高压MOS管 cool mos 现有型号：4N60 4N65 10N60（常规/cool mos） TO-220封装 本公司最新推出高压MOS管.用于代替IR,FSC,ST
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;嘉美电子;;际整流器公司（IOR）.VISHAY.FAIRCHILD是全球领先的功率管理技术领导企业。IR .VISHAY .FAIRCHILD的模拟和混合信号集成电路、集成功率系统和功率MOS管
;黄云;;MOS管
;爱尔泰（香港）有限公司;;我司是KEC一级代理、JK一级代理，BYD一级代理，昂宝On-Bright一级代理，专业销售KEC的MOS管，BYD高压MOS管，JK自恢复保险丝，昂宝IC以及
;宏盛达科技有限公司;;本公司一级代理日本美之美,精工品牌,专业经营锂电池用MOS管.保护IC.保护IC.稳压IC系列..仙童MOS管.FDS9926A.FDW9926A..二节保护IC.S
;深圳市美泰芯科技有限公司;;电源管理IC（LDO/DC-DC升压降压/白灯背光/电压检测/复位/充电/MOS管/AC-DC/LED照明等）/音频放大IC/运放IC/EEPROM/MOS管/霍尔IC
;深圳市海泽微电子科技有限公司;;深圳市海泽微电子科技有限公司 代理经销批发的二三极管、ESD防静电保护管、TVS管、MOS管、二三极管、ESD防静电保护管、TVS管、MOS管畅销消费者市场，在消