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学反应机理上看，光刻胶可分为负性和正性两类。其中，负性光刻胶在显影时，由于易变形和膨胀，通常情况下其分辨率只能达到2µm，更适用于低成本低价质量的芯片；而正性光刻胶分辨率对比度高，更适用于小型图形，高端光刻胶......
初的宽谱紫外向g线-i线-KrF-ArF-EUV(13.5nm)发展，提高极限分辨率来满足不断精进的光刻技术需求。当前，半导体市场对g线和i线光刻胶的使用量最大，KrF、ArF、EUV光刻胶主要配合高端的光刻......
半导体光刻胶尚处于研发进程中。 03中国光刻胶，加速驶入快车道 图片来源：拍信网 半导体光刻胶主要用于分立器件、LED、集成电路等产品的生产，通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而......
市场体量虽小，却能撬动整个半导体产业的原因。 表1 五代光刻机以及对应光刻胶类型 从技术层面看，光刻胶的核心技术参数包括分辨率、对比度和敏感度。随着芯片尺寸越来越小，产业对光刻机以及光刻胶的要求也越来越高，为了......
配套高纯显影液的规模化生产线，包括合成、纯化、分析、灌装等工艺的配套生产装置及分析检测设备；另外还将建设国内首个先进光刻胶分析测试中心，包含浸没式光刻机、涂胶显影一体机和 CD-SEM 等关......
2021年1月19日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。 据悉，晶瑞化学此次采购的光刻机设备为ASML XT 1900 Gi型ArF浸入式光刻机，可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶......
新技术加持，国产光刻机有望获得新突破; 光刻机是集成电路制造的关键核心设备，为了在更小的物理空间集成更多的电子元件，单个电路的物理尺寸越来越小，主流光刻机在硅片上投射的光刻电路分辨率达到50......
国产光刻胶通过量产验证：120nm分辨率 配方全自主设计; 10月15日消息，据“中国光谷”公众号，日前， 武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出......
2007年成立以来，Inpria一直致力于金属EUV光刻胶的研发，实现了全球最高的EUV曝光性能边际分辨率，已成为极紫外光刻(EUV) 的高分辨率金属氧化物光阻剂先驱，在金属氧化物光阻剂的设计、开发......
已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货；KrF（248nm深紫外）光刻胶产品分辨率达到了0.25～0.13μm的技术要求，已通过部分重要客户测试，KrF光刻胶量产化生产线正在积极建设中，计划2022年形......
，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。 为此，华中科技大学与九峰山实验室联合研究团队通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶......
，13.5nm）光刻，电子束光刻等六个阶段，随着光刻技术发展，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。 光刻技术及光刻材料的发展 根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶......
，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。 该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶......
量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10nm以下，如何产生分辨率......
质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。 当半导体制造节点进入到100nm甚至是10 nm以下，如何产生分辨率......
需要进一步发展以有效引入High NA EUV。 除了High NA 工具之外，EUV 光刻胶开发仍然是 imec 与其生态系统合作伙伴的首要任务之一。High NA EUVL 的出现将进一步提高分辨率......
心是一个简单的概念，尽管其执行在技术上可能具有挑战性。该过程涉及使用模具或模板在基板上物理“冲压”出图案。简要过程如下： 1. 创建一个具有纳米级模式的模板。 2. 基板，通常是硅片，涂有光刻胶（resist......
(13.5nm)发展，提高极限分辨率来满足不断精进的光刻技术需求。当前，半导体市场对g线和i线光刻胶的使用量最大，KrF、ArF、EUV光刻胶主要配合高端的光刻机应用，日、美企业占据了绝大部分高端光刻胶......
更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解。正性光刻胶可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择，因此正性光刻胶是当前半导体制造的主流。 根据......
的研发工作有序开展中。 目前，晶瑞电材i线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货。其中KrF（248nm深紫外）光刻胶产品分辨率达到了0.25～0.13µm的技术要求，已通......
旗下参股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司（以下简称“芯刻微”）委托盛吉盛（宁波）半导体材料有限公司（以下简称“盛吉盛”）代理投标，成功中标，购得ASML XT 1900 Gi型二手光刻机一台，该设备可用于研发分辨率达28nm的高端光刻胶......
徐州博康：半导体光刻胶获国内主流存储芯片厂客户订单;据华懋科技官方消息，华懋科技旗下徐州博康近期收到某国内主流存储芯片厂商的半导体光刻胶采购订单，此前该产品型号全部依赖于海外进口。 据悉，该产......
产品结构来看，2020年，ArF光刻胶占比40%；KrF光刻胶占比39%；g/i线光刻胶占比20%。可见，KrF和ArF光刻胶需求量快速增长，而目前高分辨率的KrF和ArF光刻胶产品基本出自日本和美国公司。 而前......
部分产品迎来新进度。ArF光刻胶的研发工作有序开展中；i线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货；KrF（248nm深紫外）光刻胶产品分辨率达到了0.25～0.13μm的技术要求，已通......
机投影镜头与半导体硅片之间用一种液体充满，从而获得更好分辩率及增大镜头的数值孔径，进而实现更小曝光尺寸的一种新型光刻技术（下图）。 浸入式光刻示意图 让我们看一下光刻系统分辨率的著名Rayleigh方程： R=kλ......
配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。 该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率......
，预计三年内完成并量产。 上海新阳拥有完整自主可控知识产权的光刻胶产品与应用，并于近期成功购买了ASML-1400光刻机，用于研发集成电路制造用高分辨率193nm ArF光刻胶，及配......
量子点墨水制备的QD像素层，在蓝色OLED背光激发下，整体色域覆盖率超过了95%BT2020，优于市面上的绝大多数显示产品。量子点光刻胶可覆盖显示领域的全部尺寸，当前市场主要应用于AR/VR等小尺寸的超高分辨率......
市面上的绝大多数显示产品。量子点光刻胶可覆盖显示领域的全部尺寸，当前市场主要应用于AR/VR等小尺寸的超高分辨率微显示方向，可为MicroLED显示/硅基OLED带来更为沉浸式的画质体验。目前，纳晶QDCC......
及原料超纯化处理技术与工艺研发，承担单位：南京极速优源感光材料研究院有限公司 ArF光刻胶产品研发，承担单位：常州格林感光新材料有限公司 中等规模超导量子计算芯片的制备与测试技术研发，承担单位：南京大学 面向高时空分辨率......
更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多，因其可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶......
氪（KrF）以及i线三种波长的光刻机，扩展产品线并追赶竞争对手。 10月22日尼康宣布，公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能”的1.0微米（即1000纳米）分辨率数字光刻......
装置，截止2022年10月，RAS科学家已经创建了第一个设备演示样品。通过该设备，可以在基板上获得分辨率高达 7 nm 的单个图像。 当时的报道还指出，IPF RAS计划在六年内打造出国产7纳米光刻......
结果达标，成为通过通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。   随后晶瑞股份也宣布公司KrF(248nm深紫外)光刻胶已完成中试，产品分辨率达到了0.25~0.13μm的技术要求，建成了中试示范线。上海新阳也表示购买用于研发光刻胶的光刻......
发展新概念”的计划，旨在开发工作波长为11.2纳米的新型光刻设备。这一创新技术与荷兰ASML公司的标准13.5纳米波长设备相比，预计将设备的分辨率提高20%，同时降低研发成本并简化制造流程。 俄罗......
和其他物理或化学缺陷都有可能在这一过程中发生，半导体厂商需要修正掩模版上的图案来优化最终的曝光图案。而当芯片越来越小，分辨率缩小到纳米量级时，投影到晶圆上的图形结构会变形，因而需要用到计算光刻......
了掩膜版的复杂操作流程。此外，分辨率高达 320×140 像素、像素密度为 2540 PPI的 UVC Micro-LED 显示屏展现了其在半导体领域精密制造中的巨大潜力。 开启半导体无掩膜光刻......
也标志着半导体行业的制造工艺即将迎来革命性进展。 光刻技术：皇冠上的那颗明珠 在集成电路芯片制造中，光刻是至关重要的一个环节。光刻技术是指在光照作用下，借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到晶圆上的技术。由于光刻......
技术，就只有193nm沉浸式光刻，但也只能在晶圆上打印一下细小的功能部件，并不能大规模应用。 按理说，193nm光刻在80nm的时候就会碰到瓶颈。但芯片制造商通过应用分辨率增强技术（RETs）,将......
后的额外处理步骤大大增加了晶圆加工的成本（包括额外的光刻、沉积、刻蚀步骤）； 第三，提高光学光刻分辨率主要通过缩短光刻光源波长来实现，尽管光源已从紫外的 436nm、365nm 缩短到深紫外（DUV）的 193nm......
制造新局面。 该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定......
国脖子的设备有很多，但光刻机是国产化率一直成长最慢的一个。 对芯片来说，5nm以后就必须使用EUV光刻机。这是因为，当金属间距缩小到30nm以下（对应工艺节点超越5nm），光刻机的分辨率就不够用了。 从公式“光刻机分辨率......
品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率......
机联机应用。 光刻胶对分辨率、对比度、敏感度，以及粘滞性黏度、粘附性等要求极高。目前全球光刻胶主要企业有日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、信越化学、美国罗门哈斯等，所占......
幅宽基材表面制备30nm分辨率的微结构。嵌入式纳米印刷技术是并列于凹版印刷、丝网印刷、喷墨打印及光刻的原理级创新，且该技术属于创新型增材制造。昇印团队经过8年的技术积累和磨砺，系统......
技术乃至于先进制程有着重要意义。为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了 IC 的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率......
日，上海新阳又披露了其旗下参股子公司芯刻微购得ASML XT 1900 Gi型二手光刻机一台，该设备可用于研发分辨率达28nm的高端光刻胶。 对于这次芯刻微购得ASML XT 1900 Gi型二手光刻......
光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。 ASML的High NA EUV设备......
国际大厂光刻胶涨价！国产替代刻不容缓;据韩媒报道，业内人士透露，日本住友化学子公司东友精密化学向韩国半导体企业表示，由于原材料和劳动力成本上涨，拟提高氟化氪（KrF）和L线光刻胶价格，增幅......
上海新阳、容大感光等企业光刻胶最新动态披露;光刻胶是半导体制作的关键材料，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠”。其能够利用光化学反应，经过曝光、显影等光刻工艺，将所......

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