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中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破;4月10日消息，中国电子科技大学和韩国浦项科技大学科研人员在新型半导体材料和器件领域取得了重大突破！
据介绍，该项......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛;碳基半导体材料与器件产业发展论坛
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CarbonSemi 2021
2021碳基半导体材料......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
硅片中制备出高质量的氧化镓外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型结构难以设计和实现。常见的增强型设计方案往往会大幅提升器件的开态电阻，导致过高的导通损耗。
针对上述问题，该课题组在原有增强型晶体管设计基础上，引入了同样为宽禁带半导体材料的P型NiO，并与沟槽型结构相结合，成功......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。
据官网介绍，铭镓半导体致力于研发和生产新型半导体人工晶体材料......
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体(2023-01-09)
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体;
能隙作为半导体材料的本征特性之一，源自于材料内稳定的周期性晶体势场。当晶体的晶格受到应变而发生畸变时，原本......
博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目计划落地延陵(2024-01-19)
目建成后预计可实现年销售收入15亿元。
资料显示，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司成立于2012年，采用光学、半导体制备工艺技术，利用先进的新型半导体材料加工设备，致力于GaN基LED芯片（图形化）衬底、第三代半导体材料......
加速第三代半导体产业发展，这家材料公司正式闯关科创板(2020-12-28)
显示，博蓝特半导体成立于2012年，深耕半导体材料领域多年，主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用，着重于图形化蓝宝石、碳化硅等半导体衬底、器件的研发、生产、销售，以及半导体......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
其实是会导电的，这就是大家熟知的二极体。
二极体能单向导电，主要还是因为电流从P型半导体流往N型半导体时，可以轻易地跨过介面电场（因为电场方向和电流方向相同），而反向时则会和这个由材料......
江苏丹阳延陵镇与博蓝特半导体签署战略合作协议(2023-04-21)
江苏丹阳延陵镇与博蓝特半导体签署战略合作协议;据丹阳延陵镇消息，4月18日，江苏省镇江市丹阳市延陵镇与浙江博蓝特半导体科技股份有限公司签订战略合作协议。
消息介绍称，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司主要从事新型半导体材料......
涉及GaN/SiC等领域，安徽将建设多个半导体重磅“芯”平台(2022-11-21)
安芯电子科技股份有限公司、安徽钜芯半导体科技有限公司组建的省级科研创新平台。
该研究中心立足于第三代半导体材料（GaN/SiC）性能、新型半导体封测技术、大功率器件等关键技术研究，进行新技术开发与创新，致力于推进宽禁带半导体材料......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
解释为什么二极管会单向导通。
二极管的单向导电性
二极管是由 PN 结组成的，即 P 型半导体......
聚焦集成电路领域！三大高校研究院落户西永微电园(2021-09-28)
传感、集成电路设计、新型半导体材料、以及智能声光电微系统等领域开展创新研究、人才培养、人才引进以及成果转化工作，努力打造成为产学研相结合的重要载体和创新高地。
该中心将逐步建设先进微纳制造平台、新型......
专注碳化硅研发生产，这个第三代半导体产业项目迎来新进展(2021-02-01)
高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。未来，中科钢研将把国家级先进晶体研究院设在莱西，专注碳化硅的研发生产。
作为第三代半导体材料，碳化硅凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能，成为当今最受关注的新型半导体材料之一。
据莱......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。
稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料......
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应，可用于制造微型高精度传感器和放大器(2024-01-23)
拓扑趋肤效应可制造新型高性能量子器件，而且尺寸也可做得非常小。新的拓扑量子器件直径约为0.1毫米，且可轻松地进一步缩小。这一成就的开创性在于，首次在半导体材料中实现了微观尺度的拓扑趋肤效应。这种量子现象3年前......
3-5年内市值或超100亿，第三代半导体厂商博蓝特获多方国企投资(2022-03-14)
。
资料显示，博蓝特成立于2012年，主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用，着重于图形化蓝宝石、碳化硅等半导体衬底、器件的研发、生产、销售，以及半导体制程设备的升级改造和销售，目前......
盛美上海推出Ultra C vac-p 面板级先进封装负压清洗设备(2024-07-30)
负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，显著提高了清洗效率。
盛美上海表示，一家中国大型半导体制造商已订购Ultra C vac-p面板级负压清洗设备，设备已于7月运抵客户工厂。
据了解，在底......
总投资30亿，这个高端半导体装备项目正式投产(2021-01-13)
上，同济大学与连城凯克斯共同建立的“新型半导体材料与装备—无锡研发中心”揭牌。据连城凯克斯消息，该研发中心将用于研究优势材料，发展前沿先进，开发核心装备。
该实验室建成后，将服务于半导体、5G......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体......
62亿！美国企业投建金刚石晶圆厂(2024-12-20)
度和耐磨性确保芯片能够承受极端工作条件。这些特性使得金刚石在芯片制造领域展现出巨大潜力，常被用于高功率密度、高频率电子器件的散热。金刚石半导体被认为是极具前景的新型半导体材料，被业界誉为“终极半导体材料”。
全球范围内，对金刚石半导体......
氧化镓初创公司拓诺稀科技获数百万天使轮融资(2024-11-21)
-CVD双重技术路线，能够制备多种相态（β相、α相、ε相）氧化镓薄膜，并实现精确的合金化与掺杂工艺。
据悉，氧化镓作为一种新兴的半导体材料，因其超宽禁带特性，在高......
韩国政府宣布将培育下一代功率半导体技术(2021-04-02)
代工厂基础设施。
据韩国媒体报道，4月1日，韩国政府召开会议，发表了包含上述内容的"下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案"。
新一代功率半导体由比硅（Si）更节能、更耐用的新型半导体材料构成，包括......
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电(2024-05-20)
可用于数字显示器、太阳能电池、LED、传感器、植入物和能量存储等领域。为了提高导电性和改善半导体性能，人们通常会引入掺杂剂。这些掺杂剂可促进半导体材料内电荷移动，并且可以定制以诱导正电荷（p掺杂）或负电荷（n......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
-level pinning）现象下，传统二维半导体器件很难实现互补逻辑电路的难题（仅表现N型或P型器件的特性）。利用这种新的电极材料，单个器件可以同时实现N型和P型器件的功能，从而形成一种高性能、低功......
总投资16亿元，两大重点项目落户无锡锡山集成电路装备产业园(2021-11-16)
晶圆制造设备区、关键零部件制造区、后道封装测试设备区、研发及服务中心区和人才社区等六大功能片区，现已集聚连城凯克斯、吉姆西半导体、拉普拉斯等半导体高端装备制造企业，建成严陆光院士工作站、同济大学新型半导体材料......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
，所以要介绍清楚，不得不从半导体最基础的PN结说起。P型半导体是通过在纯净半导体（不含杂质且无晶格缺陷的半导体）中掺杂特定杂质，让空穴（相当于带正电的粒子）数量增多。N型半导体......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
北交所正式开市，连城数控市值255.18亿元(2021-11-16)
级晶圆生产厂家金瑞泓科技(衢州)有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所开展深入合作。
此外，由连城凯克斯与同济大学共同建立的“新型半导体材料与装备—无锡研发中心”亦正式揭牌。该研发中心建成后将主要用于研究光伏及半导体等领域的优势材料......
iDEAL推出SuperQ技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17 09:57)
界领先的下一代硅功率器件开发商。 其产品采用新型半导体技术SuperQ™开发，该技术基于一种新观察到的现象，使用传统CMOS制造技术可实现惊人的半导体能效。 该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料......
iDEAL推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代(2023-05-17)
制造能力95%的硅，并与未来的功率半导体材料向前兼容。
在过去20年中，基本功率半导体结构的创新有限，硅功率器件的性能已经趋于稳定。 进一步提高性能的尝试集中在材料方面，而不......
智路资本收购全球半导体载具龙头供应商ePAK(2021-11-22)
了西门子旗下全球最大的工业压力传感器公司HubaControl；与全球最大的半导体材料与设备公司合资，设立了全球前三大半导体引线框架企业AAMI。
封面图片来源：拍信网......
华为持股6.59%，这家功率半导体厂商成功闯关科创板(2021-12-22)
2040.26万元。2021年1-9月，东微半导体的营收为5.59亿元，同比增长183.11%。
值得一提的是，考虑到功率器件的迭代正在不断朝第三代半导体材料以及集成化、模块化发展，东微半导体目前也在积极布局第三代半导体材料......
保定第三代半导体产业技术研究院成立(2023-05-24)
）及其他新型半导体产业关键技术。
2022年8月，保定市第三代半导体产业技术研究院项目签约，项目立足国际前沿的第三代半导体材料关键技术、产业化技术，拟搭建SiC单晶......
“芯”突破，具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现！(2024-08-07)
“芯”突破，具明亮基态激子的半导体纳米晶体发现！;近日，来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一......
最高30亿元，Q1化合物半导体领域融资事件汇总(2022-04-11)
的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白，实现了国产氮化镓芯片的崛起。
此外，博蓝特在2022年一季度共实现两轮融资。
据悉，博蓝特主要从事新型半导体材料......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池;
近年来,
有机半导体材料与器件领域的研究和开发取得了长足的发展，其中有机电致发光二极管、有机薄膜晶体管、有机、有机存储器、有机传感器、有机激光器等相关有机半导体材料......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
智路资本成功完成日月光项目分割 原四座工厂将更名日月新集团继续开展业务(2021-12-21)
通公司在中国共同设立了移动芯片与物联网芯片设计企业瓴盛科技；收购了全球汽车电子排名前三的半导体集成电路封装测试企业UTAC；收购了西门子旗下全球最大的工业压力传感器公司HubaControl；与全球最大的半导体材料与设备公司合资，设立了全球前三大半导体......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项(2024-01-12)
衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。
目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料......
盛美半导体：收到美国客户和研发中心的晶圆级封装设备订单(2024-09-05)
vac-p面板级先进封装负压清洗设备，进军面板级扇出型先进封装市场。一家中国大型半导体制造商已订购Ultra C vac-p面板级负压清洗设备，设备已于7月运抵客户工厂。
据介绍，Ultra C......
Intel4较Intel7提升20%效能，将导入High-NA EUV系统(2022-07-05)
单一元件尺寸。透过FinFET材料与结构改良提升效能，Intel4单一N型半导体或P型半导体，鳍片数从Intel7高效能元件库4片降至3片。综合上述技术，使Intel4大幅增加逻辑组件密度，并缩......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。
另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
相关企业
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
;峨眉半导体材料研究所;;
;有研半导体材料股份有限公司;;成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
;深圳市华晶微科技发展有限公司;;半导体材料及其产品的开发和销售
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。
;上海三研实验仪器有限公司;;我们致力于为化学、材料科学领域的科学研究提供优质的实验仪器，为广大电子级试剂、电子材料、硅材料、半导体材料厂商提供产品检测服务。
将光、
音频、压力等模拟信号还原成电脑可以识别的数码信号，或者起到将数码信号变成模拟信号的作用，混合信号
半导体具有同时处理模拟信号和数码信号的作用。
MagnaChip是一家综合型半导体
;广州半导体材料研究所;;广州半导体材料研究所创办于1966年，位于广州市天河区东莞庄路，占地面积2万5千平方米，位于广州五山高校园区，周围有华南理工大学、暨南大学、华南农业大学、广东
;深圳市正和兴电子有限公司;;深圳市正和兴电子有限公司专业经营半导体集成电路裸芯片，特种军用元器件，封装材料（金属管壳和陶瓷管壳），各种电子浆料、靶材、半导体材料及设备，是国