资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
候电流并不会衰减地很快，电流循环在Q2、M、Q4之间流动，通过MOS-FET的内阻将电能消耗掉。补充-另外一种H桥电路 上文中是包含4个N型MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
电荷泵。
升压转换器的简化原理图，在电源和升压转换器输入之间具有一个用于短路保护的 n 沟道 MOSFET
2、P 沟道 MOS 管......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管;
防反接电路的用处很容易理解，实现也相对简单，但是防倒灌电路则可能到用到的时候才会发现有点复杂。比方说，一个东西既支持用PD 供电......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。
6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。
好，可以开始了。
拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
驱动要么电机不转，要么导致芯片烧坏，必须要加大功率及隔离电路驱动。
2. P-MOS 管和N-MOS 管
GPIO 引脚线路经过两个保护二极管后，向上流向“输入模式”结构，向下流向“输出模式”结构。先看......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
有默认状态。STM32的内部上拉时“弱上拉”，即通过上拉输出的电流时很弱的，如要求大电流还是需要外部上拉，通过“上拉/下拉寄存器GPIOx_PUPDR”控制引脚的上、下拉及浮空模式。
2、P-MOS管和N-MOS管......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
趟发烧音响材料行一定可以看到一大堆。
MOSFET晶体管通道
而MOS就非常小家子气了，在早期或者是大功率的JFET，是由2个N型半导体夹住P型半导体，（或者2个P型夹住N型），但是......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
地提高了其使用寿命和安全性。
MOS 管 的 优 越 性 能
MOS管以其卓越的开关特性而闻名，能够在微秒级别内迅速切换电流。这为电动车窗的开关提供了高效的能耗管理，显著减少了功率损耗，使得......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
据悉，安建半导体成立于2016年，目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管......
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存(2020-08-31)
于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
单片机的输出电路由两个MOS管，分别是P-MOS和N-MOS。
在开漏输出模式下，P-MOS管不工作，只有N-MOS管工作。若输入数据寄存器的值为0，则N-MOS导通，IO口输出低电平；若输......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为了让电场分布更加均匀，他们都使用了场板的设计。不同之处在于氮化镓是化合物半导体外延，通过异质结形成高电子迁移率的二维电子气沟道（2DEG）。而硅LDMOS是在硅外延层上进行掺杂形成P-N结。
2、氮化......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
三星超越Intel登半导体榜首，时势造英雄而已(2017-05-04)
NEC从20世纪50年代开始研究晶体管、60年代开始研发集成电路，并在1968年开发出144bit的高速的N型MOS管的IC Memory。
在那时，全球主流的MOS Memory都是P型的，很多......
EMI总不过？老师傅给了90种整改方法，轻轻松松！(2024-10-16 23:32:18)
电容后 EM 降下来了的话，就可在变压器初次级间加多几层胶纸。
9、将 MOS 管散热片接 MOS 管 S 极。
10、在输......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
）
，
可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。
图片来源：华秋商城
回顾三极管和MOS......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
MOS管和电源。Q3和Q4同时导通是同样的道理。
驱动电机时，保证H桥两个同侧的MOS管不会同时导通非常重要，如果MOS管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从电源正极穿过两个MOS管直接回到负极，此时......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
带来的是匝比增大，主MOS管的应力必然提高。
一般反激选取600V或650V以下的MOS管，成本考虑。
占空比过大势必承受不起。
第二......
采用STM32F103VBT6处理器实现水下无线能量传输系统的设计(2024-05-29)
断信号发送给两片IR2110的DS端，关断MOS管，并关闭输入电源，直到电压恢复到较低的水平（对应的电压＜10 V，电流＜0.1 A）后重新开启系统。
2.3耦合器
耦合器的材料选取常用的变压器材料有硅钢、镍铁......
STM32 GPIO工作原理及LED电路原理(2024-08-15)
-MOS管
ODR输出1：
N-MOS截止，IO端口电平不会由ODR输出决定，而由外部上拉/下拉决定 在输出状态下，输出的电平可以被读取，数据存入输入数据寄存器，由CPU读取，实现CPU读取输出电平 所以......
stm32单片机gpio工作原理是怎样的呢？看完立马学会了(2023-10-12)
工作原理
GPIO的推挽输出模式是在开漏输出模式的基础上，在“输出控制电路”之后，增加了一个P-MOS管
当CPU输出逻辑“1 ”时，编号3 处的P-MOS管导通，而下方的N-MOS管截止，达到......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
/qq_24312945/85250172
推挽输出
推挽输出的内部电路大概是下图这个样子，由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成，同一时间只有一个管子能够进行导通。
当输出高电平时候，P-MOS导通，N......
相关企业
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
-323、TO-252、TO-251等。 特别是SOT-23、SOT-163、SOT-363三种封装系列MOSFET（MOS管）产品，BVDSS（耐压）从20V-600V，包括:N-channel P
;鑫阳贸易有限公司;;单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/45元/片 单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/40元/片 单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤 单晶硅圆棒/P型
型 污水泵， PN型、PNL 型泥浆泵， LXL 型、ZBJ 型纸浆泵， WGL 型、 NWL 立 杆污水泵， PH 型灰渣泵， PS 型砂泵， N 型冷凝泵及各种规格型号的配件