资讯
P通道功率MOSFET及其应用(2024-04-21)
P通道功率MOSFET及其应用;Littelfuse 虽不及广泛使用的N通道MOSFET出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET(2023-10-24)
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;中国北京，2023年10月24日讯 – Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联......
直流电机驱动控制电路设计(2024-09-24)
常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET分别采用N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用2个P沟道功率MOSFET......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET(2023-10-24 14:37)
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET(2023-10-24)
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司......
Avago推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346(2013-05-14)
Avago推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346;Avago今天宣布推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
应，并且持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。
较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用MOSFET。N沟道或P沟道MOSFET均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
，通常会选用P沟道MOSFET。
监控电路通过监测电源电压和/或使用看门狗定时器检测是否存在脉冲，可以轻松检测到系统是否处于不活动状态。看门狗定时器功能增强了监控电路作为综合保护解决方案的能力。一旦......
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET(2023-10-13)
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET;
【导读】芝加哥2023年10月10日讯-- Littelfuse公司 （NASDAQ: LFUS）是一......
TI超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低导通电阻(2013-11-11)
晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。
三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
· cm2以下。
换句话说就是平面型SiC MOSFET有瓶颈，因此，沟槽型开始成为二极管和MOSFET的重点。
与Si类似，沟槽型SiC可以构建更深的P型掩蔽，大大......
新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能(2022-07-07)
电路板组装 (PCBA) 的焊点良率，进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
3、100V P沟道 MOSFET 的驱动电路相比 N 沟道 MOSFET 更加简单，满足了超性能运算 (HPC) 、工业......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
的MOSFET体二极管阳极都是由P基区充当，深P阱的注入浓度和深度都高于P基区，可以使体二极管导通压降更低，抗浪涌能力更强。
好的，CoolSiC™ MOSFET就先介绍到这里了。CoolSiC™......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
引用地址：
元器件的特点
除了IGBT外，元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
下图中也分别列出了它们的结构。
在输出Nch MOSFET中，由漏极D的N型扩散层、元件分离用的P型扩散层和连接到电源的N型扩散层（在这里是连接到输出Pch MOSFET的源极S），可以形成寄生NPN晶体......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
MOSFET 导通时，漏源压降 VDS 取决于漏源电阻 RDS,ON 和漏源电流 ID：VDS = RDS,ON * ID。与肖特基二极管相比，该压降一般要低得多。
P 沟道 MOSFET
与所......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
; VBE(BJT)/(Rᴘ+ * Cdb)时，）BJT导通。
3.当Vgs > Vgs(miller)时，P+层足够多的电子被吸附到栅氧层表面，形成导电沟道，此时MOSFET沟道......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。
平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近P体区域的狭窄N......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗(2020-02-17)
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗;2020年2月11日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
关电源线路
首先，必须决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，与P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱动方面。其中，栅极......
圣邦微电子 SGM2538 系列电子保险丝用料(2024-02-21)
引脚驱动外部 N-MOSFET 可实现反向电流阻断功能；此外，BFET 引脚还可驱动外部 P-MOSFET 实现故障指示、输出......
自走式电器上的电池放电保护(2023-11-12)
的二极管整流器会导致 3A 充电电流下消耗 1.65W (P = I x VF)。
某些电器制造商会通过使用 MOSFET 实现反向放电保护来解决这个问题。开启充电时，MOSFET 的低导通电阻 (RDS......
远翔FP6115：PWM控制2A同步整流降压IC(2023-09-12)
远翔FP6115：PWM控制2A同步整流降压IC;FP6115是一个用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP611内置大电流P-MOSFET、用于......
100W MOSFET功率放大器电路(2023-09-06)
，PNP 晶体管
Q3, Q4： MJE340，NPN 晶体管
Q5、Q6： MJE350，PNP 晶体管
Q7: n 沟道 E-MOSFET，IRF530
Q8： p 沟道 E-MOSFET......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种电压控制器件。MOSFET有两种类型，“p沟道”和“n沟道”，这两种类型都可以处于增强或耗尽模式，因此共有四种不同类型的MOSFET......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，IMZA65R083M1H，C3M0075120D）以及具有肖特基型p-GaN栅极的650V GaN高电子迁移率晶体管（SP-HEMT，GS-065-011-1-L）的性......
东芝推出采用P-SON4封装的光继电器(2020-09-14)
东芝推出采用P-SON4封装的光继电器;中国上海，2020年9月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款光继电器---TLP3480、TLP3481和TLP3482......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
自发明以来的一个重要里程碑。SJ-MOSFET 通过在漂移区引入异型掺杂，将以往的电阻性耐压层转变为 N/P柱交替排列形成的结型耐压层，使得 N 柱和 P 柱之间形成横向耗尽，提高击穿电压。在正......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
.当您按下开关（LED OFF 开关）时 - 如果 LED 熄灭，则 IGBT 良好。否则就是IGBT坏了。
P 型 MOSFET：
1.连接(E)完成后，按下开关(LED ON Switch......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
可能会在远低于热基Jpk(fail)预期值的情况下发生失效。也就是说，数据表上的Ipk vs tav图不能无限外推到更高的Ipk和更低的tav值。
其原因如图12所示。MOSFET结构的p掺杂区、n掺杂源极区和n掺杂......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
东芝拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线(2023-06-26)
东芝拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，现已开始量产两款采用SOP......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)
PMX300UNE 30 V，N沟道Trench MOSFET
PMX400UP 20 V，P沟道Trench MOSFET......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
让横向的氮化镓高迁移率晶体管 (简称HEMT) 变成常闭型呢？这就引入了Normally-off D-mode及Normally-off E-mode (p-GaN栅) 两个不同的技术路线。
在Normally-off D......
上海功成半导体科技有限公司——聚焦光储充(2023-03-21)
（Super Junction MOSFET）超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJ......
LCD电视背光照明中的设计挑战(2023-07-11)
器的直流电源直接来自系统的主直流电源，其变化范围通常在7V (电池低)至21V (交流适配器)。有些全桥方案要求采用p沟道MOSFET，比n沟道MOSFET更贵。另外，由于固有的高导通电阻，p沟道......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29)
用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至......
Diodes推出世界最小60V功率MOSFET(2014-06-26)
量减少导通损耗及提高整体功率效率。DMN6070SFCL支持2A的连续电流以及10A的脉冲电流，有效应付直流-直流转换尖峰。
这款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
许狭窄的 p+ 到 p+ 间距尺寸，从而有效屏蔽下部氧化物角。静态性能——象限操作MOSFET 静态输出特性的关键参数是总电阻 R DS(ON)。CoolSiC? MOSFET 的典型导通电阻是在室温下且 V......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
/℃，如图6所示。
图6 传播延迟与TA
采用P沟道MOSFET作为上拉与双极性晶体管相比，有两个优点：第一，低 RDS(ON)可实现最小的内部电压降，为给定的VCC-VEE提供较大的接通电压。其次......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
只有多数载流子参与导电。导通时，MOSFET 需要的栅极驱动能量小，而晶体管需要相对高的基极电流来维持整个导通周期。
在内部，IGBT 更像垂直结构的 MOSFET，不过它在漏极侧增加了高掺杂的 P + 层......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-12-06)
的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
MOSFET中，碳化硅材料分为N型和P型两种，通过掺杂可以得到不同的电导率类型。MOSFET中的栅极是用金属制成的，而源极和漏极是用N型或P型碳化硅材料制成的。当在栅极上加上正电压时，MOSFET中形......
相关企业
，MOSFET等分立元器件. 公司产品广泛应用于监控摄像机、数码相机、数码相框 、MP3 、MP4、P- DVD 、Car-DVD 、P-GPS等电子产品
包括MOSFET,AC/DC,DC/DC,LDO等,尤其专注于 MOSFET,在电脑主板,显卡,笔记本电脑,INVERTER,LCD,LCM,eePC,DVD CARD等市场有很大的份额。 我们
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
-323、TO-252、TO-251等。 特别是SOT-23、SOT-163、SOT-363三种封装系列MOSFET（MOS管）产品，BVDSS（耐压）从20V-600V，包括:N-channel P
;一有限公司电子科技;;主要经营, 一. 场效应管,P-MOSFET.N-MOSFET,功率场效应管 厂家：.FAIRCHILD,IR,VISHAY,AO,CEM,ANPEC APEC APM
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;上海桂伦自动化公司;;P+F RVI58N-011AAR6XN-5000 P+F RVI58N-032AAR66N-01024 P+F RHI58N-OBAK1R6XN-1024 量大价优，库存
于一体的龙头企业。生产产品主要有JK型矿井提升机、JTP型、JTK型矿用提升绞车。主要产品有：JK-2x1.5（P）,JK-2x1.8（P）,JK-2.5x2（P）,JK-2.5x2.3（P）,JK-3x2.2（P
;深圳市博宇达科技有限公司;;博宇达科技是一家专业的MOSFET代理商，成立于2006年。主要致力于电源类MOSFET及芯片的推广及应用，代理及分销品牌有TRUESEMI、KIA、STANSON
EH-305 FS2-60（P） 光纤放大器 EH-305S FS2-60G EH-308 FS2-62（P） EH-308S FS2-65（P） EH-402 FS-M0 EH-416 FS-M1（P