TI宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。

三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比，其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。点击这里观看视频。

 LINK Excel.Sheet.12 "C:Usersa0412693AppDataLocalMicrosoftWindowsTemporary Internet FilesContent.Outlook7OOKDVTRFemtoFET(tm) Selection Guide 10-23-13 (2).xlsx" "FemtoFET!R3C1:R12C8" a f 5 h  * MERGEFORMAT

部件号	通道	BVdss (V)	Vgs (V)	典型导通电阻（欧姆）			Id（Ta = 25°C 时） (A)
				1.8V	2.5V	4.5V
CSD17381F4	N	30	12	160	110	90	3.1
CSD17483F4	N	30	12	370	240	200	1.5
CSD13381F4	N	12	8	310	170	140	2.1
CSD25481F4	P	-20	-12	395	145	90	-2.5
CSD25483F4	P	-20	-12	580	338	210	-1.6
CSD23381F4	P	-12	-8	480	250	150	-2.3

FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势

·不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%，可节省电源，延长电池使用寿命；

·FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%；

·1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过 2 倍的性能。        

供货情况

FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。