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在上管米勒电容上，产生位移电流。位移电流经过门极电阻回到地，引起门极电压抬升。如果门极电压高于阈值电压Vth，则上管的IGBT会再次导通，并流过电流，增加系统损耗。 怎么判断是否发生了寄生导通呢？ 一个......
以上两者特性来说，1200V的IGBT一般在15V以后，变化不明显，而1200V的SiC MOSFET则变化大，如图3。这主要是因为对于1200V等级的SiC MOSFET来说，沟道电阻所占比重较大，而减小沟道电阻的有效手段就是提高门极电......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
示意图： 门极总栅极电阻RGtot包含内部栅极电阻RGint和外部栅极电阻RGext，即......
的驱动正电压是+15V，在关断期间，串扰电流Igd（红色线）会流经Ciss, 在关断电阻Roff和IGBT内部栅极电阻Rg两端，产生左负右正的电压，这两个电压叠加在IGBT门极，此时IGBT会有......
钳位工作时序 如下为典型的有源钳位电路，此电路里面采用2个TVS串联构成，其优点体现在可以耐受更高回路电压，同时可以吸收更大的浪涌能量。其工作原理为：在IGBT集电极电压过高时TVS被击穿，通过限流电阻流进门极......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？;众所周知，“挖坑”是的祖传手艺。在硅基产品时代，的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的就独步天下。在碳化硅的时代，市面......
平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。 NXH010P120MNF配置为2......
流不同驱动功率有所变化，因此驱动电路的结构也有所不同。 门极驱动电阻RG对IGBT的动态特性有较大的影响。如图，IGBT的GE之间有个寄生电容CGE，该电容一般随IGBT容量增大而增大。RG越小，IGBT的栅极电......
： 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细......
钳位也是以前不少章节介绍过，小东西大功能，算是最高性价比的浪涌吸收方案。 门极驱动 门极驱动通常会添加稳压管与TVS作为驱动过压保护，由于门极电阻具有限流能力，因此实际TVS在动......
流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET， IGBT，GTO 等器......
出色的热性能和电性能。由于IGBT具有极低的VCE（sat）和门极电荷，因此可将导通和开关损耗降至最低，从而实现高能效运行。安森美半导体的IGBT与快速反向恢复二极管共同封装，并采......
半桥电路的控制要求。 2、IGBT驱动 IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容对门极电......
的新型驱动器IC具有非常高的集成度，可使整个驱动板（包括门极电源）的尺寸大小完全适合于功率模块，同时仍能提供符合IEC 60664标准的加强绝缘所需的间距。ASIC封装可提供11.4mm的爬......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器; 【导读】深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模;深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power......
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模;深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power......
滤波；逆变器采用晶闸管构成的串联二极管式电流型逆变电路，完成直流到交流的变换，并实现输出频率的调节。 ③交－直－交电压型变频器与电流型变频器的性能比较 3绝缘门极晶体管（IGBT） 一．IGBT的结......
IGBT/SiC模块门极驱动器 SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100......
、先检查+15V、-7.2V的驱动供电电源是否正常。若无负压，检查稳压电路并排除；测得输出电压偏低，A316有异常温升，脱开栅极电阻，供电电压正常，为模块内部IGBT的G、E结漏电损坏，更换模块；供电......
推出两款新品。1SP0635V2A0D新款3300V IGBT模块门极驱动器：可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模这款新品适配于尺寸为190mmx140mm的3300V以内的IHM和IHV......
电路、检测电路、定时复位电路以及门极关断电路组成。 M57962L是N沟道大功率IGBT模块的驱动电路，能驱动600V/400A和1200V/400A的IGBT。M57962L具有以下几个特点： (1......
驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1 到 t2 这段时间是门 极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在 t3 时刻，门极电压达到米勒平台，源电流开始给 MOSFET 的米勒电容充电。在 t4 时刻，米勒......
压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极N 一沟......
森美半导体的NVHL080N120SC1具有仅80 mOhm的导通电阻（RDS（ON））和低门极电荷（QG）及电容值，降低电磁干扰（EMI）并支持使用更快的开关频率，从而带来上述好处。SiC肖特......
一个由于经过开通过程会产生几kV/us的dv/dt。这将使该管经由Cgc电容产生电流灌入门极，可能引起门极电压的抬升进而导致器件开通。因为Cgc又被称为米勒电容，所以我们称这样的开通为米勒开通。而把......
可以大幅降低。 Power Integrations产品营销经理Thorsten Schmidt表示：“为这些‘新型双通道’IGBT模块构建单板门极驱动器确实是一项挑战。我们的新款SCALE-iFlex......
区的PN结成反偏状态，于是产生了JFET效应，如下图。 于是，在上述IGBT结构中，电子流通方向的电阻可用下图表示，结合上边描述，一目......
于第一代1200V，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助......
驱动误导通的方法 1.门极电阻、电容法 2 米勒钳位法. 3 负压驱动法 总结 ......
防止寄生电感与电容振荡，限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产......
）栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值......
。SiC-SiO2界面缺陷大于Si-SiO2界面，界面缺陷会降低反型层沟道迁移率，进而提高沟道电阻。对于SiC MOSFET，尽管人们花了很多精力来提高沟道迁移率，但其迁移率仍然远远低于硅的IGBT......
率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本设计指南也适用于 MOSFET......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器;Power Integrations推出......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点;前言 无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。 安森......
必须作出权衡取舍。 IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器;SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC......
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器;SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC......
电路图如下，其中NPN1在门极驱动信号加持下导通，NPN2基极与NPN1共用，因此NPN2导通，给PNP基极带来驱动电流，同样的NPN3导通，从而构成正反馈自锁电路，此时的门极电压为正，主电......
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器;Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV......
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器; 【导读】PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化......
ADC模块供电，需要注意的是输出功率不超过2W。 SA52731应用于BMS系统隔离电源 2 门极......
载较大者应在副边整流二极管两端并联阻容吸收电路，注意吸收电容的耐压值要高，这里取R=100Ω，瓷片电容C=470pF，耐压1kV。 开关电源原边电路参数的计算 原边电路图如下： ①驱动电阻Rdrv的选取 这里Vcc>15V，当开关管Q的G极电......
PI 推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器; 【导读】PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极......
究竟是选择开通还是关断过程来计算杂感值呢？对于关断过程中产生的Vce电压尖峰主要包含上的电压和二极管的正向恢复电压，如图5(a)所示，且IGBT的关断dic/dt不太受门极控制，且电压尖峰持续时间比较短，测量......
PI推出SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器; 【导读】深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯......
Power Integrations推出简单易用的SCALE－2即插即用型门极驱动器;适合4500V模块的灵活、强大且可靠的IGBT门极驱动器中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power......
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器深耕于中高压逆变器应用门极......

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