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列可工作在恒流,恒压,或恒功率模式下,并提供内置电阻模拟功能。该系列的额定输入电压为三相170 - 265Vac或宽范围342 - 528Vac,带有源功率因数校正。工作效率高达92%。7.5kW更大的输出功率使得在系统配置时无需并联低......
列可工作在恒流,恒压,或恒功率模式下,并提供内置电阻模拟功能。该系列的额定输入电压为三相170 - 265Vac或宽范围342 - 528Vac,带有源功率因数校正。工作效率高达92%。7.5kW更大的输出功率使得在系统配置时无需并联低......
-R波间距以确定心率。此生物电势通道提供静电放电(ESD)保护、电磁干扰(EMI)滤波和DC导联脱落检测。MAX30004为内置的自测功能提供广泛的校准电压,并且......
为10V至36V。两种器件的电源电流仅为135μA,使其适合便携式应用。   当电源电压为±15V时,模拟多路复用器的关键参数是125Ω的低导通电阻。除了低导通电阻外,低泄漏电流和低电......
为10V至36V。两种器件的电源电流仅为135μA,使其适合便携式应用。   当电源电压为±15V时,模拟多路复用器的关键参数是125Ω的低导通电阻。除了低导通电阻外,低泄漏电流和低电......
低电压注入,加上低输入和输出电容 (30pF 或更低),可确保所切换讯号的低失真。对于工业产品应用来说这非常重要,任一微小的传感器讯号变化都会影响整体系统的功能性。 多路......
低电压注入,加上低输入和输出电容 (30pF 或更低),可确保所切换讯号的低失真。对于工业产品应用来说这非常重要,任一微小的传感器讯号变化都会影响整体系统的功能性。 多路......
、EMI 滤波、内引线偏置、DC 断线检测、超低功耗导联开启检测,且提供多种校准电压支持内置自检功能。软启动时序监控可确保不会将大型瞬变注入电极中。两个通道还具有高输入阻抗、低噪声、高 CMRR、可编......
通电阻特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。 所有开关均为先开后合式,适合多路复用器应用。 设计本身具有低电......
开关。它可在 1.4V 至 4.3V 的宽电源电压范围内工作,具有通常为 0.5Ω 的低导通电阻,以实现设计灵活性。它具有高电流处理能力、耐过压控制输入、高关断隔离和出色的 ESD 性能。本文引用地址:本文......
通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式。设计本身具有低电荷注入特性,当开关数字输入时,可实......
MAX14699数据手册和产品信息;MAX14699过压保护(OVP)器件具有38mΩ(典型值)低导通电阻(RON)的内部FET,可保护低压系统,使其免受高达+28VDC的电压故障影响。内部......
MAX4721数据手册和产品信息;MAX4721/MAX4722/MAX4723为低电压低导通电阻(RON)、双路单刀单掷(SPST)模拟开关,工作电压范围为+1.8V至+5.5V。这些......
空调和电池管理系统用制冷剂回路膨胀阀。 主要规格: 注释: [1] 实际驱动电机电流取决于使用环境以及环境温度和供电电压等因素。 主要特性: 通用多用途规格,特别适用于车载应用 搭载带低导通电阻(上桥臂+下桥臂=0.8Ω(典型值))的......
集成式心率监护模拟前端着眼于系统级设计方案;  ADI的一款低功耗、单导联心率监护仪模拟前端(AFE)AD8232.与同类解决方案相比,AD8232 AFE的尺寸缩小50%,功耗降低多达20%.凭借......
Littelfuse的HV Si MOSFET构建HV设计的主要优势 由于HV分立Si MOSFET的导通电阻具有正温度系数,因此适用于并联。与采用串联的低电压MOSFET方法相比,这些HV分立......
引脚输出低电平,结果由于后续电路影响输出的低电平达不到GND。所以接个下拉电阻,其实就是为了降低导线的输出电流。 另外当上下拉电阻都不开启,此时是浮空模式,引脚的电压是不确定的,此模式下的管脚电压......
限制 ●   待机模式下功耗极低:典型值5uA ●   内置低电压保护功能 ●   内置过流保护功能 ●   内置......
ADG813数据手册和产品信息;ADG813是一款低压CMOS器件,内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内,这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时,数字......
指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。 该产......
足够的Vds漏源电压......
ADAS1000-2数据手册和产品信息;ADAS1000-2属于ECG前端ADAS1000系列。它能够测量心电图(ECG)信号和导联连接/脱落状态,并将此信息以数据帧的形式输出,以可编程数据速率提供导联......
MAX4826数据手册和产品信息;MAX4826–MAX4831系列开关具有内部限流功能,可避免主器件由于负载故障而损坏。这些模拟开关具有0.7Ω的低导通电阻,工作电压范围为+2.3V至+5.5V......
统提供稳定均等的LED电流。该器件允许线性调光或PWM调光,且具有丰富的检测功能,热关断、过电流、过电压低电压栓锁和电流传感输入的终端(ISEN1)开路侦测等。 图示-TB62D901FNG架构图 特征......
ADAS1010-1数据手册和产品信息;ADAS1010 VSM模块是一款功能齐全的模拟前端(AFE)处理器15导联ECG模块,可测量胸阻抗、起搏伪像、3通道血压、3通道温度、导联检测和自验证,具有......
“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”两个系列,共5款新机型。 近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET;以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻 ~非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机,有助......
免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度,低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比,MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电源效率的整流器设计。控制器的工作频率范围为 DC 至 600Hz。 LT4320 开关......
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻; 【导读】全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用,开发......
指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电......
对电机的精确控制。这种控制能力可以用于调整电机的转速、扭矩和运行方向。 提供高效的能量转换:由于IGBT具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够实现高效的能量转换。这有助于减少能量损耗、提高系统效率,并降低电......
所安装的电子元器件数量也与日俱增,而且,为了提高燃油效率和降低电耗,还要求降低这些产品的功耗。其中,尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。 ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导......
ROHM开发出安装可靠性高的车载Nch MOSFET,非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!; 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1......
所安装的电子元器件数量也与日俱增,而且,为了提高燃油效率和降低电耗,还要求降低这些产品的功耗。其中,尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场,对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。 ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导......
MOSFET[3]iXPLV:智能柔性封装低电压[4]测试条件:ID=800 A, VGS=+20 V,Tch=25 °C[5]测试条件:VDD=1800 V,ID=800 A,Tch=175 °C......
适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用! ~符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导......
新产品包括用于流量计和旋转编码器的 TMR1222/TMR1228双轴正交方波输出双极型开关、用于电池供电的便携医疗设备的1.2V超低电压纳安功耗唤醒开关TMR1367、200纳安全极型系列产品的新成员TMR1363/TMR1365,以及......
新产品包括用于流量计和旋转编码器的 TMR1222/TMR1228双轴正交方波输出双极型开关、用于电池供电的便携医疗设备的1.2V超低电压纳安功耗唤醒开关TMR1367、200纳安全极型系列产品的新成员TMR1363/TMR1365,以及......
机械断路器相比,它们的主要挑战包括成本更高、电压/电流额定值有限,以及潜在的热管理问题。 Qorvo的低导通电阻设计 Qorvo的......
机械断路器相比,它们的主要挑战包括成本更高、电压/电流额定值有限,以及潜在的热管理问题。Qorvo的低导通电阻设计Qorvo的UJ4N075004L8S设计在标准分立封装的650V至750V等级......
供较高的输出电流。LTC3310S 的 2.25V 至 5.5V 输入范围可支持众多应用,包括大多数中间总线电压。集成的低导通电阻 MOSFET 可提供高达 10A 的连续负载电流,且热降额极少。0.5V 至......
供较高的输出电流。LTC3310S 的 2.25V 至 5.5V 输入范围可支持众多应用,包括大多数中间总线电压。集成的低导通电阻 MOSFET 可提供高达 10A 的连续负载电流,且热降额极少。0.5V 至......
EC11、EC13在内的多项国际医疗设备标准,内置右腿驱动放大器(RLD)、导联状态检测、威尔逊中心终端(WCT)、起搏检测(PACE)、测试信号等丰富功能,以及电压数模转换器(VDAC)、交流导联......
EC11、EC13在内的多项国际医疗设备标准,内置右腿驱动放大器(RLD)、导联状态检测、威尔逊中心终端(WCT)、起搏检测(PACE)、测试信号等丰富功能,以及电压数模转换器(VDAC)、交流导联......
东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率;东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET......
取决于电池系统,而且由于使用升压转换器将各种电池电压转换为逆变器所用的固定直流电压,此电压在不久的将来可能会从现在的 300-500V 提高为 600-800V,较高的电压在提供相同的功率时可以降低电......
。因此,使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外,SiC 的导热系数大约是硅的3 倍,因此它能提供更高的散热能力。由于这些物理特性,SiC 功率器件非常适合用于对功率损耗、击穿电压......
品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计,UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。 UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是业......
和保健行业正在寻找替代方案,例如将电极集成到运动衫上。AD8232 单导联心率监护仪前端(如图1 所示)就是专为此类低功耗可穿戴应用而开发的。该器件内置增益为100 V/V 的仪表放大器和一个高通滤波器,能阻止皮肤上电极的半电池电位产生的失调电压......
理用于专业诊断系统,其中多达10个电极可以连接到胸部和四肢。心电图提供有关一个心跳的各种组成部分(P波、QRS 波和 T 波)的详细信息。 图1.AD8232单导联心电图前端。 单导联心电图在体育界更为常见,双电......

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;宁海县xxxxx;;本公司生产的感应垃圾桶控制板具有感应稳定(有30万片的生产经验),低功耗,开关盖轻柔等特点。它的具体参数如下: 工作电压:4.7V-----6.5V(工作电压)。 最低电
;桂林美泰电力电容器有限公司;;桂林美泰电力电容器有限公司是自愈式低电压并联电容器、自愈式低电压滤波电容器、自愈式防护电容器、自愈式均压电容器、自愈式直流电容器、自愈
;深圳市事比优科技有限公司;;镜面铝/铁基板/铝基板/铜基板/COB镀银沉金/高低导铝基板
;联益微电子(深圳)有限公司;;深圳市联益电子有限公司专业生产销售电源IC、DC/DC升压芯片5V、3V、3.3V、升压IC输出电压可调、LDO稳压6206系列、带使能端系列LDO,低电压
;深圳市蓝新灵电子科技有限公司;;深圳市蓝新灵(BNS)电子科技有限公司,位于深圳市高新技术产业开发园区,专门从事生产销售“低电压低电流开关”,耳机、电源插座。本公司从产品的研发、生产、销售
;深圳市恒景泰电子厂;;我厂专业生产振动电磁铁,振动控制器,变压器.振动电磁铁与控制器是振动盘的必要配件.变压器用于低电压产品上,范围广阔.
供应可替代JD1803 JD1801的草坪灯驱动IC *供应升压恒流驱动IC* 供应输出电流1000MA的升压恒流驱动IC 供应可替代PAM2803的升压恒流驱动IC *******供应低电压检测IC
;深圳市一维科技有限公司;;深圳市一维科技有限公司是美矽半导体华南区总代理,主要产品有:Hall Switch ,HALL SENSOR ,DC-DC电源转换IC,锂电池充电管理IC,大功率高/低电压
;指明电气有限公司;;指明电气有限公司位于乐清市金炉经济开发区,是一家专业生产自愈式低电压并联电容器的企业。 公司创建于1999年。厂房建筑面积6500平方米。主导产品有:单、三相862系列
;指明集团有限公司;;指明电气有限公司位于乐清市金炉经济开发区,是一家专业生产自愈式低电压并联电容器的企业。 公司创建于1999年。厂房建筑面积6500平方米。主导产品有:单、三相862系列