电子元件及存储装置株式会社(“”)今日宣布,推出150V ---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
本文引用地址:TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。
此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。
东芝将继续扩大自身的产品线,以降低功率损耗、提高电源效率,并助力改善设备效率。
■ 应用
- 工业设备电源,如用于数据中心和通信基站的电源
- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)
■ 特性
- 业界领先的[2]低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 高额定结温:Tch(最大值)=175℃
■ 主要规格
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 |
TPH9R00CQ5 |
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绝对最大 额定值 |
漏极-源极电压VDSS(V) |
150 |
|
漏极电流(DC)ID(A) |
TC=25℃ |
64 |
|
结温Tch(℃) |
175 |
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电气特性 |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
VGS=10V |
9.0 |
VGS=8V |
11.0 |
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总栅极电荷Qg典型值(nC) |
44 |
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栅极开关电荷QSW典型值(nC) |
11.7 |
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输出电荷Qoss典型值(nC) |
87 |
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输入电容Ciss典型值(pF) |
3500 |
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反向恢复时间trr典型值(ns) |
-dIDR/dt=100A/μs |
40 |
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反向恢复电荷Qrr典型值(nC) |
34 |
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封装 |
名称 |
SOP Advance(N) |
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尺寸典型值(mm) |
4.9×6.1×1.0 |
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库存查询与购买 |
在线购买 |
参考设计:“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”
参考设计:“采用MOSFET的3相多电平逆变器”
注:
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月,与其他150V产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺,并具有相同的电压和导通电阻。
[5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路,则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。