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MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect – SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
构示意图：
解释1：沟道
上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
机的两个电极加正向电压，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。
在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率;2020年3月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
PMOS防反
NMOS管将ds串到负极，PMOS管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入S极流......
飞兆半导体的100V BOOSTPAK解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本(2013-06-05)
极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。
该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench®工艺......
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET(2023-02-28)
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
为一种根本性的挑战。在图3b中，捕捉到了SiC-MOS和Si-IGBT的典型传输特性。读者会发现，SiC-MOS的沟道打开速度略微“缓慢”，在20V左右时，Rdson达到最小值。鉴于此，栅极......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
功耗限制条件下噪声最优化的低噪声放大器的设计(2024-07-18)
计的功耗要求小于15mW。下面以此为约束条件推导出如何选择M1的尺寸以获得最优噪声。
系统噪声系数的近似表达式为：
式中，γ、δ分别为MOS管沟道热噪声系数和感应栅噪声系数，c为这两种噪声之间的相关系数(它们......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。
......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
的范围为2v~4v之间，mos工作在放大区域。 即mos管的导通沟道没有完全形成，这时的mos管是极其脆弱的。如果此时我们在mos管DS间设计大的电压，就可能会导致mos管的损坏，具体的原因是mos管没......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。
碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。
平面碳化硅 MOS 结构......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。
公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
控制电路的通断。值得一提的的是，MOS管饱和导通后，漏源极（DS）之间的压降及损耗很小，保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路：
1. 以MOS管为受控开关
P沟道MOS管的......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-08-17)
与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”，两款产品于今日开始支持批量出货。
自动......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化(2023-08-17)
两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。
去年......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单......
MCS-51单片机的前缘后世(2022-12-15)
处理器Intel 8008。由于8008采用的是P沟道MOS微处理器，因此仍属第一代微处理器。
1973年intel公司研制出8位的微处理器8080；1973年8月，霍夫等人研制出8位微......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
质量就越高越清晰。CCD 上有许多排列整齐的电容，能感应光线、储存信号并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给相邻的图像处理器来形成图像。
MOS 电容器是构成 CCD 的最......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。
图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路LTC7003来开......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
电子开关可能采用MOSFET作为开关元件。除了采用MOSFET的纯分立式解决方案外，还可以使用多种半导体IC来轻松实现电子开关。
图1.使用N沟道MOSFET和独立驱动器电路来线路
首先，必须......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
沟道的MOS管背靠背连接，该图只是一部分示意图，真正的电路还有很多关键技术，比如采样交流电的极性、判断零点，实现过零开通、断开，以减少对设备的损耗。以及过流、短路保护，区分......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化(2023-08-17 15:05)
晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
合，成为 SiC 晶体管领域的基准。该设计的特殊功能包括通过自对准工艺将通道定向为单一晶体取向。这确保了的沟道迁移率和窄的阈值电压分布。另一个特点是深 p 沟槽在中心与实际 MOS 沟槽相交，以允......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
步改进了双沟槽结构，预计2025年和2028年推出的第五代和第六代产品的导通电阻会再降低30%；
英飞凌：采用不对称的半包沟槽结构，该结构中MOS沟道选择了最有利的方向。英飞......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
安世半导体新品发布 车规芯片持续供不应求(2022-07-28)
安世半导体新品发布 车规芯片持续供不应求;7月27日，据安世半导体官微消息，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。
据悉，该产......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同，本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延，再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比，总结......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET(2024-09-03)
户的产品提升性能。”
据李海生介绍，威兆半导体在汽车领域主要聚焦电力系统、电机系统和灯光系统，威兆半导体在充电桩方案中常用的超结MOS和IGBT都有布局，包括650V20mΩ、650V30mΩ......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
靠性验证体系等。
针对大家特别关心的化硅MOS管栅氧化层的问题，为了解决高电场的隧穿效应带来的漏电，蓉矽半导体把电场集中的区域分为两个区域，上图左图紫色圈是栅氧化层的电场，红色圈是沟道位置的集中，这两......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
;宜兴市芳桥第三化工厂广州天河经营部;;以下产品大部分为进口，达到国际标准，请放心使用。经营壬基酚聚氧乙烯醚（TX、OP）NP-10、NP-9、NP-8.6、NP-8、NP-7、NP-6、NP-4
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;新乡市金桥电子感应洁具厂;;本公司主要生产：感应淋浴器、感应开关、感应水龙头、小便感应冲水器、大便感应冲水器、沟道槽大小便感应冲水器、沟道槽水冲厕所微电脑节水计时器、活动公厕感应开关、一点