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生物燃料电池所具有的可以利用糖为燃料、生物相容性良好、所产生电流稳定且持久的特性，创新性地设计并制造了一种自供电的酶联MN贴片。该贴片由阳极和阴极MN阵列组成，其中分别包含了被ZIF-8纳米颗粒包裹的葡萄糖氧化酶（GOX......
离子类化合物以及普鲁士蓝类化合物三大类，而层状过渡金属氧化物因其优异的结构稳定性以及较高的体积功率密度，被业内看好，率先实现商业化应用。 钠离子层状过渡金属氧化物通常表示为NaxMO2，其中M是过渡金属元素，如Mn......
能正极材料的缺乏阻碍了它们的发展。与锂离子对应物一样，过渡金属氧化物是 MRB 中的主要阴极材料。然而，镁离子在氧化物内部的缓慢扩散造成了一个严重的问题。为了克服这个问题，一些研究人员探索了硫基材料。但是用于 MRB 的硫......
弯月面移过表面时，其上的金属氧化物会黏附在表面上并形成薄膜。同时裸露的液体不断形成新的氧化物，从而实现连续“打印”。 最终，研究人员利用这项技术打印了两层大约4纳米厚的金属氧化物薄膜。打印出来的薄膜是透明的，但具......
方面，优化了超薄非晶氧化物半导体沟道的ALD生长工艺，成功实现了10纳米的超薄沟道, 迁移率提升至43 cm2/Vs，并系统研究了器件在180oC高温下的工作特性。该工作实现了国际同类器件中最薄的ZnO沟道......
主要由 Li-镍 (Ni)-锰 (Mn)-钴 (Co) 氧化物(NMC 或 LiNi x Mn y Co z O 2)和 Li-Ni-Co-铝 (Al) 氧化物(NCA 或 LiNi x Co z Al z......
风华高科MLCC用纳米级稀土氧化物研发取得重大突破;据广晟集团公众号消息，近日，广晟集团控股上市公司广晟有色、风华高科联合启动的高端电子陶瓷（MLCC）纳米级稀土氧化物研发取得重大突破。 在先......
-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。 缩略语： BCDBipolar-CMOS-DMOS CMOS互补金属氧化物半导体 DTI深槽隔离 EDA电子设计自动化 SOI绝缘......
更容易地用“顽固”金属制造高质量的金属氧化物薄膜。这项研究为科学家开发用于量子计算、微电子、传感器和能源催化的下一代新材料铺平了道路。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。 “顽固”金属氧化物......
元素均匀分布、优化电解液/粘结剂体系。 王振波院士介绍，采用氧化锰模板法，可控合成多级微纳组装体、多孔双层中空结构，通过缩短离子扩散路径、增大电化学反应面积，提高锂离子扩散能力；Ni/Co/Mn三元......
显提高混动汽车超级电容器的性能。 （图片来源：东国大学） 这种复合电极由装饰在氧化石墨烯上（CCS@GO）的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成，具有前所未有的电化学性能。研究人员展示了一种环保、经济的制造方法，不仅......
半年启动。 缩略语： BCD       Bipolar-CMOS-DMOS CMOS    互补金属氧化物半导体 DTI         深槽隔离 EDA       电子设计自动化 SOI......
语：BCD     Bipolar-CMOS-DMOSCMOS    互补金属氧化物半导体DTI     深槽隔离EDA     电子设计自动化SOI     绝缘体上硅SONOS   硅-氧化物-氮化物......
为主成分的亚铁磁性氧化物，采用粉末冶金方法生产。有Mn-Zn、Cu-Zn、Ni-Zn等几类，其中Mn-Zn铁氧体的产量和用量最大。软磁铁氧体作为一种高频电气特性优良、成本相对低廉、易于......
个晶体管都必须通过施加电压来控制。其中，栅极氧化物是一层薄薄的材料，透过将施加的电压转化为电荷，然后开关晶体管以达到控制的目的。在此情况下，负电容效应可以藉由减少特定电荷所需的电压量，进而提高栅极氧化物......
司的首席执行官兼创始人Jawad Haidar博士表示：“以当前价格的一小部分生产高性能纳米线和C-Si纳米复合材料，对储能市场来说具有颠覆性意义。” 这项新专利技术基于Kinaltek的集成工艺，可以利用金属氧化物......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年，加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路（CMOS IC）整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
基础上开发了一种几乎永久性的超声波织物精加工技术，可将氧化锌纳米颗粒浸入纺织品中。此外，它使用成本较低的金属纳米氧化物，包括氧化锌和氧化铜，来提供抗菌保护功能。据该公司的首席技术官里亚特·斯特伯格称，"最近......
在已使用超过 40年，当闸极长度缩小到 20纳米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生「漏电（ Leakage......
是聚合物固态电池、氧化物固态电池、硫化物固态电池、卤化物固态电池。四种技术路线中，目前硫化物固态电池是全固态电池的主流技术路线，被认为是最有潜力的路线。 据介绍，硫化物电解质是硫化物......
有固态材料能在室温环境条件下达到这种状态。 “在室温环境下表现出超离子传导的氢负离子导体材料，将为构建全新的全固态氢化物电池、燃料电池和电化学转化池提供巨大的机遇。”陈萍介绍。 氢负离子具有强还原性和高氧化......
NMP材料在空气中容易被氧化成过氧化物，加热这种过氧化物将十分容易产生爆炸，而NMP作为电池正负级材料使用中的稀释剂，尽管要经过烘烤环节，但最后的残留是必然的。且在产线上使用PVDF的过程当中，也不......
计还优化了冷却和包装，提升了电池性能和耐久性。 Forge Battery 表示，其核心技术在于一种名为“Atomic Armor”的超薄纳米涂层，该涂层使电池能够实现更高的能量密度。结合镍锰钴氧化物......
柔性32比特微处理器问世;据英国《自然》杂志21日发表的一项电子学最新进展，英国一个科研团队报告称，他们结合金属氧化物薄膜晶体管和柔性聚酰亚胺，制成了一种柔性32比特微处理器，这一......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能;来自东京都立大学的科学家们成功地设计了过渡金属二硫化物的多层纳米结构，它们在平面内相遇形成结点。他们......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能;来自东京都立大学的科学家们成功地设计了过渡金属二硫化物的多层纳米结构，它们在平面内相遇形成结点。他们......
水电解存在的阴极沉淀问题提出了可靠的解决方案，并揭示了卓越抗沉淀性能的普遍原则（Nat. Commun., 2024, 15, 2950）。团队进一步探究了阴极抗沉淀的三种潜在策略，展示了从天然海水中共同电合成纳米级氢氧化......
晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
上。在该研究中，以色列理工学院的研究人员在独特的实验室系统中合成一种氧化物材料，这一新材料原子间的距离能以皮米即千分之一纳米的精度准确控制，而硅材料两个原子间的距离约为四分之一纳米。 通过这些发生在千分之一纳米......
要少量溶液就可以制造出高质量、大面积、排列整齐的薄膜，有望制造出各种成分和结构的纳米片，如氧化物、石墨烯和氮化硼等。 ......
-SOI可以实现对纳米节点工艺制程下晶体管电流的有效控制和阈值电压的灵活调控。FD-SOI通过构造实现了比传统bulk技术更好的晶体管静电特性。掩埋式氧化物层降低了源极和漏极之间的寄生电容，并且......
SB。 假设源极和漏极与纳米线接触，这适用于硅化物接触，并描述了沉积到纳米线和金属纳米线耦合的接触，这并不弱。对于该实验，假设了 d nw的纳米线，它足够薄以解释一维电子传输，可以......
锂离子电池的工作过程图示 锂离子电池正极材料一般采用嵌锂过渡金属氧化物，如Ni、Co、Mn的嵌锂氧化物。负极材料则要选择电位尽可能接近金属锂的嵌锂化合物，如各种碳材料、SnO、SnO2、硅合......
，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且有着成熟和稳定的特点。台积电称，2 纳米制程在良品率和元件效能进展良好，将如期于 2025 年量产。台积......
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去： • 过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特尔将展示高迁移率（high-mobility）的过渡金属二硫属化物晶体管原型，用于NMOS（n型金属氧化物半导体）和PMOS（p型金属氧化物......
其在未来继续按照摩尔定律的节奏微缩下去：●过渡金属二硫属化物（TMD, Transition metal dichalcogenide）2D通道材料让晶体管物理栅极长度有机会微缩到10纳米以下。在IEDM 2023上，英特......
将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
SK on成功研发新款固态电解质 提升车用电池性能;据外媒报道，韩国SK集团旗下电池制造商SK on成功研发出新款氧化物固态电解质（oxide-based solid-state......
，收入贡献较大的是哪些产品？ 答：2020年年度，单从同比增长率来看，氮氧化合物、光刻及其他混配类、以及气体辅助设备类增长较快，近40%的增长；收入贡献较大的产品主要有氟碳类、氢化物、光刻......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管; 二维(2D)半导体，如二硫化钼和黑磷，可以与硅技术竞争，因为它们的原子级厚度，优异的物理性能，并与经典的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术......
限值”指令，将输入IN的值限制在输入MN与MX的值范围之间。如果IN输入的值满足条件MN≤IN≤MX，则OUT以IN的值输出。如果不满足该条件且输入值IN低于下限MN，则OUT以MN的值输出。如果......
路线，该硫化物电解质以硫化锂为主要原材料，电芯能量密度可达420Wh/Kg以上。 固态电解质是固态锂离子电池的核心组成部分，根据材料属性来看，固态电池主要可以划分为聚合物电解质、氧化物......
电池主要包括聚合物、氧化物、硫化物三种技术路线。具体选择哪种路线来制造全固态电池?头部企业似乎已经有了答案。 　　 据电池中国了解，目前包括Solid Power、丰田、松下电池、三星 SDI等海外企业，均选择硫化物......
赢创扩大亚太地区过氧化物生产网络; •赢创收购原合资企业泰国Peroxide有限公司(TPL)所有股权，实现完全控股 •本次收购将增强赢创在亚太地区的过氧化......
继2020年晶盛机电创下750kg级晶体世界纪录后的再突破，并且在此之前已先后3次刷新自己创造的纪录。 资料显示，晶环电子主要业务为蓝宝石晶棒生产和加工，其生产的产品蓝宝石晶体（α-Al2O3）是一种简单配位型氧化物......
电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的......
Si 相比，SiC 具有更高的单位面积原子表面密度，从而导致悬空 Si- 和 C- 键的密度更高；位于界面附近的栅氧化层中的缺陷可能出现在能隙中，并充当电子的陷阱[1]。热生长氧化物......
研究将名为多层六方氮化硼的二维绝缘材料（约6纳米厚），集成到包含由互补金属—氧化物半导体技术制成的硅晶体管的微芯片内，实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究人员表示，研制出的器件宽度仅260纳米，能用于高级和计算。未来......
胺酸亚胺等漆包线漆中添加a型氧化铝和r氧化铝的混合物，使耐电晕能力提高3-4倍。美国的PhelpsDodge公司研制开发的耐电晕电磁线X8358采用三层绝缘结构，中间层为二氧化钦、氧化铝、氧化硅、氧化锌、氧化铁等无机氧化物......

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