【导读】近日，台积电在美国加州圣塔克拉拉市举办北美技术论坛，公布了其 3nm 工艺的最新进展和路线图。其中，最引人关注的是 N3X 工艺，将在 2025 年投入量产，为高性能计算（HPC）领域提供最强的芯片制造能力。

近日，台积电在美国加州圣塔克拉拉市举办北美技术论坛，公布了其 3nm 工艺的最新进展和路线图。其中，最引人关注的是 N3X 工艺，将在 2025 年投入量产，为高性能计算（HPC）领域提供最强的芯片制造能力。

台积电表示，N3E 将在 2023 年下半年开始量产，而 N3P 和 N3X 则分别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且有着成熟和稳定的特点。台积电称，2 纳米制程在良品率和元件效能进展良好，将如期于 2025 年量产。台积电介绍称，相较于 N3E 制程技术，2 纳米在相同功耗下，速度最快将可增加 15%；在相同速度下，功耗最多可降低 30%，同时晶片密度增加逾 15%。

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