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谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
显得尤其重要了。
二、MOS管驱动要求
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通......
产生尖峰电流的主要原因(2023-09-12)
，极性为左正右负。V关断期间，电流将迅速减小至零，导致产生很大的di/dt，LS上产生很高的ULS，极性变为左负右正，加在V的集电极和发射极上，致使V管两端产生很高的电流尖峰。由于LS的存在，在输入电流......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
. 过载时功率MOSFET的仿真波形
图12. 过载时潜在失效模式的简化波形
图10和图11给出了过载时功率MOSFET开关波形。电流尖峰发生在开通和关断的瞬间。可以被认作是一种“暂时直通”。图12给出......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
输入冲击电流抑制电路设计;在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输入冲击电流......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
出了Infineon 62mm模块的双脉冲测试结果。
图4 62mm IGBT模块内部寄生电感测试方法
图5 62mm IGBT模块的开通和关断测试波形
在开通瞬态和关断瞬态，上都会产生电压降，那么究竟是选择开通......
如何解决Buck电路SW过冲问题？(2024-10-28 22:37:57)
如何解决Buck电路SW过冲问题？;
本应用报告首先给出了降压式开关电路（buck）在上管开通瞬间的的一个等效谐振回路模型。根据该模型推导出使得开关振铃最小化的阻容缓冲电路（snubber......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
200 A 的连续电流，以实现 1kW 范围内的功率输出。
1. 开通状态
除了大电流之外，功率 MOSFET 还必须耐受 ECU 输入端的大容量电容器阵列的预充电阶段软点火所需的恒定电流，使ECU......
车规MOSFET技术确保功率开关管的可靠性和强电流处理能力(2023-02-09)
器 (RLIM)实时检测电源轨电流，eFuse电子保险调整 MOSFET的栅源电压(VGS)，将电流限制在目标值，保持电流恒定。如果发生强过流或短路，控制器就会断开负载，保护电源。
在负载开通......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大，缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
，拖尾电流是造成IGBT关断损耗的大的主要原因。SiC MOSFET是单极性器件，只有电子参与导电，关断时没有拖尾电流使得SiC MOSFET关断损耗大大低于IGBT。
开通损耗
IGBT开通瞬间电流......
PN8680M 12V1A超低功耗充电器芯片方案(2023-09-13)
检测和前沿消隐：PN8680M低功耗电源芯片提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流，CC模式设置点和输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
。
在一个冲击电流的上升沿，开始呈现较大的阻抗，随着电流的升高逐渐进入饱和，从而延缓和削弱了冲击电流尖峰，即实现软开通。
在电流达到一定程度后，饱和......
充电电阻和储能电容引发的变频器故障解析(2024-03-07)
电压要是很低(比200V大)，而a点电压是AC380V直接整流过来大概在DC540V左右，所以a、b二端压差很大。在触发、导通瞬间电流很大，就好比a、b之间是一个很小的电阻，瞬间几百伏电压加上去，这样整流桥流过的电流远远大于整流桥额定电流......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
门极驱动电阻和电容
通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整MOSFET的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小dv/dt (di/dt)从而减小门极电压尖峰......
一种电动汽车空调系统PTC加热器控制器设计(2024-07-19)
设计裕量，单路最大电流按10 A 设计，同时也有助于减小开关器件开通瞬间的峰值电流。
1 硬件设计
1.1 硬件框图
总体硬件方案原理框图如图1 所示。控制电路、驱动和信号采样处理电路在高压侧，辅助......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生电容中产生大的位移电流......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在......
反激式转换器 RCD 缓冲电路的设计指南(2024-11-10 12:40:37)
MOSFET 导通时，次级二 极管的反向恢复电流被添加至初级电流，因此在导通瞬 间初级电流上出现较大的电流浪涌。同时，由于在 DCM
模式下次级电流在一个开关周期结束前干涸， Lm 和 MOSFET 的......
LED矩阵管理器赋能高密度汽车智能安全前照灯系统(2024-09-24)
电容和一个滤波器(1 μH + 0.1 μF)。调光时的电流尖峰测量如图10所示。
图9.MAX25608的传导EMI
图10.调光期间电流尖峰
结论
随着......
车载电源系统开关电源的设计方案详解(2023-06-08)
馈绕组的整流二极管回路串一个电阻，它和电容C2组成RC滤波网络，对开关管开通瞬间时的尖峰电压起到了滤除的作用。这样，由于尖峰电压的减少，当短路现象发生时，反馈绕组输出的电压会有效的降低，UC3842会停......
LTC4258数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:58)
和功耗水平，并提供针对电压和电流尖峰以及 ESD 事件的保护。
LTC4258 采用 36 引脚 SSOP 封装。
另外，凌力尔特 (现隶属 ADI) 还利用 LTC4257、LTC4257-1 和......
隔离偏置变压器寄生电容如何影响 EMI 性能(2023-08-30)
/ns 压摆率时为 197mA 和 570mA）。大的共模电流尖峰是有害的，因为它们会将噪声从高压域传导到低压域，导致接地反弹；并可能导致转换器运行不良，包括跳过脉冲、失去调节或意外停机。共模电流......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
串扰和反向恢复。
开关波形包括栅源极电压VGS、漏源极电压VDS、漏源极电流IDS。基于得到的开通和关断波形，可以获得很多开关特性的参数，包括：开关延时、开关时间、开关能量、开关速度、开通电流尖峰......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
时间、开关能量、开关速度、开通电流尖峰、关断电压尖峰。根据陪测管类型和被测器件的位置，可以得到四种测试电路，根据需求和实际应用情况选择即可。
开关特性受到多方面因素的影响，包括器件参数、外围......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
出现时，将直接通过MOSFET流到地，不流过门极电阻，自然也就不会抬升门极电压，从而避免了寄生导通。
带米勒钳位的驱动芯片内部框图
典型应用电路
3 开通与关断电阻分开。寄生导通发生时，位移电流......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
中的应用场景多为高电压和高开关速率的场合，因而在开关时的dVds/dt比普通Si MOSFET显著增加。以桥式电路为例，在上管快速开通、下管关断时，下管的Vds会升高，此时电荷通过米勒电容Cgd转移至下管门极，会造成门级电压出现一个小的尖峰......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
电容C
在PMOS的GS之间并联一个电容C。当开启PMOS时，先给电容C充电，此时PMOS的VGS从0开始上升，PMOS经过可变电阻再到饱和区，可以防止开通瞬间后级电路中，各种因素，导致......
Vishay推出的新款小型商用电感器工作温度可达+155度(2019-12-04)
振动有很强的抵御能力，可无饱和处理高瞬变电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月4日—日前，Vishay Intertechnology......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
后可能更具优势。如果不使用额外的电路，当晶体管关断时，电流和漏-源电压将同时变化，会导致类似于硬开关在开通阶段的损耗。然而，快速关断除了减少关断开关损耗，也会在设备漏-源端引入高关断电压尖峰和振铃。控制......
还搞不懂缓冲电路？看这一文，工作原理+作用+电路设计+使用方法(2024-11-06 21:23:00)
电平来工作。
电容用作电荷储存，电阻提供放电路径。
例如下面这个电路RC 缓冲器 R1 和 C1 保护 MOSFET Q1 不受漏极电压尖峰的影响。当 MOSFET 关闭时，缓冲电容将通过 R1 充电......
搞不懂缓冲电路？看完就理解了~(2024-12-23 17:21:01)
器 R1 和 C1 保护 MOSFET Q1 不受漏极电压尖峰的影响。当 MOSFET 关闭时，缓冲电容将通过 R1 充电。
当 MOSFET 导通时，电容将通过 R1 放电......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
MOSFET零电压开通逻辑顺序是：
LC电路谐振-->COSS放电、VDS电压下降-->VDS电压下降到0、功率MOSFET体二极管导通箝位-->施加VGS驱动信号，MOSFET导通，电流......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。在极......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。在极......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。在极......
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用(2024-09-20)
状态下产生的功率小，发热少；
3.低热阻：正常工作时发热量小；
4.高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；
5.短路电流能力强：短路瞬间会产生较大电流，MOS......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
上升, 下半桥IGBT_L的集电极-门极之间的米勒电容会产生一个瞬间电流icg =Ccg x dVcg /dt ，电流给下桥IGBT门极充电，抬升门极电压，可能造成误导通，因此，需要......
ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统，开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”(2024-12-25 10:27)
和静电放电 （ESD：Electrostatic Discharge）影响的半导体器件。TVS二极管通过吸收突发的电压和电流尖峰（浪涌），来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，防止异常的电气波动非常重要。 *3......
简单电路轻松解决带电插拔过程的USB电流过冲问题(2023-02-06)
提升到标准的USB端口电压(5V，可提供500mA电流)。
带电插入外设时可能引发一些问题：瞬间在端口的5V引脚插入一个不是纯电阻的负载，由于存在容性元件，会产生快速、大幅度的电流，使得USB端口的电流......
利用升压转换器延长电池使用寿命(2023-10-10)
面临着降低待机模式功率损失、限制电流尖峰和减小导通时间脉冲期间占空比的诸多挑战。具有低 IQ 的升压转换器可帮助降低电池的总功率损失。
选择低 IQ 升压转换器来提升总效率
CGM 展示了为何最大程度降低 IQ 对于......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。当电源开启瞬间，要对C5充电，由于瞬间电流大，加RT1(热敏电阻)就能有效的防止浪涌电流......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
机驱动电路
。
电机在运转过程中可能会遇到堵转而导致过流，因此MOS驱动电路需要具有保护功能，以防止烧坏控制器或电机。
对于单个NMOS来说，在开通时，需要提供瞬间大电流向MOS内的......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。
开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。
当栅......
SpectrumView跨域分析加速EMI诊断(2024-06-13)
探头就可以定位噪声源并分析干扰源类型。频谱视图中还支持峰值标记、最大/小值保持、平均等功能，方便进行对比测试。
下图为使用高压差分探头、电流探头和近场探头测量MOSFET的导通瞬间。在频谱视图下可同步观察导通瞬间的频谱变化情况。
......
【测试案例分享】SpectrumView跨域分析加速EMI诊断(2024-06-13)
探头就可以定位噪声源并分析干扰源类型。频谱视图中还支持峰值标记、最大/小值保持、平均等功能，方便进行对比测试。
下图为使用高压差分探头、电流探头和近场探头测量MOSFET的导通瞬间。在频谱视图下可同步观察导通瞬间的频谱变化情况。
......
压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰（EMI）的重要来源。典型......
相关企业
流继电器灵敏度测试仪、继电器流水线快速校验仪、固体继电器测试仪、干簧管灵敏度检测仪、继电器触点抖动故障检测仪、接插件瞬断故障检测仪、电位器瞬断故障检测仪、电缆瞬通瞬断故障自动检测仪、低电平中等电流
离子电池的数十倍以上,适合大电流放电,（一枚4.7F电容能释放瞬间电流18A以上）。 b. 超长寿命,充放电大于50万次,是Li-Ion电池的500倍,是Ni-MH和Ni-Cd电池的1000倍,如果
电压、电流、信号继电器、仿ABB中间、时间、电流、信号电力保护继、电流、电压、中间电力保护继电器、中间电力保护继电器、中间、信号、时间、电力保护继电器、过电流继电器是上海一继电气有限公司的主营产品。上海
继电器、静态电压、电流、信号继电器、仿ABB中间、时间、电流、信号电力保护继、电流、电压、中间电力保护继电器、中间电力保护继电器、中间、信号、时间、电力保护继电器、过电流
;尖峰;;fgs 发生
高压MOSFET---建议做5W （建议输出电流1.1A内） CR6221完全兼容OB2353 CR6224--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做12W内（建议输出电流2.1A内
;杭州尖峰电子有限公司;;
半导体 通用线性IC ◆ FUJI（富士电机） 功率MOSFET 电源控制IC 功率半导体（IGBT） 整流二极管 ◆ TAMURA （田村） 霍尔电流传感器Current Sensors 电源
;深圳市尖峰电子科技有限公司;;专营 NXP、ON、Allegro、MPS、On-Bright；
;长间电子;;