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通速度。此外，TIMER输入可以用来作为一个逻辑使能输入。一旦外部MOSFET开启，控制器将会监视负载，为总线提供过压、欠压和反向电流故障保护。MAX8555具有40mV的反向电流门限，而......
率控制器用于控制电压的上升速率和软启动。稳压器采用独特的低功耗、跳脉冲智能控制算法，在整个负荷范围内保持最佳效率，该算法与传统的跳脉冲方案相比具有更好的瞬态响应特性。 器件具有多种故障保护：输出......
和经济有效的解决方案。 电源MOSFET设备出现故障 当使用WBG材料制造时，功率模块具有垂直结构，将源和排水管放置在晶片的相反两侧，从而实现更高的电流和电压偏置。这与使用并行结构的CMOS设备......
)，故障条件下触发报警。 对于反向电压保护，外部背靠背MOSFET的性能优于传统的电池反接二极管，能够降低正常工作期间的压降和功耗。 MAX16126/MAX16127采用......
端子。集成式诊断功能可提供对于多种内部故障、系统故障和电源桥故障的警示，并可配置为在多种短路条件下保护功率MOSFET。对于安全关键系统，可在......
器件在启动期间采用折返限流，以控制浪涌电流，减小di/dt并使MOSFET工作在安全区(SOA)。完成启动后，片上比较器提供VariableSpeed/BiLevelTM保护，避免短路和过流故障，以及......
器件在启动期间采用折返限流，以控制浪涌电流，减小di/dt并使MOSFET工作在安全区(SOA)。完成启动后，片上比较器提供VariableSpeed/BiLevel™保护，避免短路和过流故障，以及......
/MAX4883)或4.5V (MAX4882/MAX4884)的过压断路电平，外部n沟道MOSFET将被关断，以防元件损坏。欠压/过压指示(/OV)通知处理器出现了欠压/过压故障条件。 MAX4881......
MOSFET 实现电源轨的接通 / 断开 常见的电源总线也需要针对短路和过载故障提供保护，这类故障可能在任何板卡或模块中出现。为了实现电路断路器功能，可以比较图 1 中放大器的输出和一个过流门限，以断......
陷的设备会在很晚之后由于内在磨损而失效。通常，如果本体氧化物厚度足够，则在正常应用条件下，固有故障时间要少得多。因此，典型芯片寿命内的氧化物 FIT 率完全由外在缺陷决定。保证碳化硅MOSFET栅极......
低导通状态下的导通电阻（RDS）。SiC MOSFET工作在低VGS下可能会导致热应力或由于高RDS而可能导致故障。与低增益相关的其他影响会直接影响几个重要的动态开关特性，在设......
通 MOSFET 两端的压降通过一个专用电路进行监测。如果 MOSFET 没有完全导通，其两端将产生一个低压降，此时SCP 保护将被激活。 通常情况下，SCP 故障阈值由施加到 OCREF 引脚......
时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1EDL8011，这款高边栅极驱动器能够在发生故障......
和过电压是电子系统的一些基本电路保护需求。过流状态下，会有过量的电流流经导体。这可能会导致高水平发热、火灾或设备损坏的风险。短路、过载、设计故障、部件故障以及电弧或接地故障都可能造成过流故障。为了......
在其安全工作区 (SOA)。一个可调的软起动电路控制起动时流过 MOSFET 的浪涌电流。 LTC4252-1 / LTC4252A-1 在电路断路器故障定时结束后闭锁。LTC4252-2......
额定电流，使 MOSFET 可以处理大功率应用中的峰值过载和故障......
器可配置用于记录电压的上限和下限，根据要求设置定时和排序，也可以存储关键的故障数据，以便在发生故障后回读故障信息。 内部1%精度的10位ADC对每路输入进行测量，并将结果与上、下限......
电之前，器件执行Load Probe™测试，检测是否存在短路故障。如果不存在短路，器件通过逐渐打开外部MOSFET限制负载吸入的浪涌电流。一旦外部MOSFET完全打开，MAX5936/MAX5937通过......
现高边N沟道MOSFET的快速导通和关断。它由一个集成电荷泵和一个外部电容器组成，可提供强大的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵就会提供MOSFET栅极电压。该栅极驱动器IC可管理浪涌电流并提供故障......
器可配置用于记录电压的上限和下限，设置定时和排序需求以及存储故障回读时所需的关键故障信息。 内部一个1%精度的10位ADC对每一个输入进行测量，并将结果与一个高电平、一个低电平和一个可选的高电压或低电压门限进行比较。当检测的电压超出设定的限定值时会输出一个故障......
电源良好(PWRGD)故障，且过流和响应可通过输出电压(VOUT) LED状态和PWRGD引脚信号进行验证。如果MOSFET在过流条件下关闭，LT1641-1和LT4256-1会锁定且LT1641-2和LT4256......
配置输出。非易失EEPROM寄存器可配置存储上限和下限电压，根据要求设置定时和排序，也可以存储关键的故障数据，以便在发生故障后回读故障信息。 内部精度为1%的10位ADC用于测量每路输入，并将结果与上、下限......
内部放大器用于把电流检测电压限制为 50mV。不管在哪一种故障条件下，定时器的起动均与 MOSFET 应力成反比。如果定时器操作终止，则FLT 引脚将被拉至低电平，以发出 “即将断电” 的警告。如果该条件一直持续，MOSFET 将被......
被关断。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态，随后自动地尝试重新启动。如果故障仍然存在，则该循环将重复进行，直到故障被清除为止，从而起到保护 MOSFET 的作用。 LT1161 专为......
sharing）。为了避免电源反向馈电并使系统与故障电源相隔离，可以采取与每个电源串联的方式插入二极管。当然，这个增加的二极管电压降会对负载均分的平衡产生影响。本文引用地址： “只许成功，不许......
引脚驱动外部 N-MOSFET 可实现反向电流阻断功能；此外，BFET 引脚还可驱动外部 P-MOSFET 实现故障指示、输出......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515; 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515; 纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515;单通道式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
工作于自动重试模式，内部MOSFET打开以检测故障是否移除。自动重试间隔时间为15ms，如果故障已经移除，则MOSFET保持打开。 MAX4970/MAX4971/MAX4972具有使能输入(/EN)，用于......
其保护电路需要比硅基 MOSFET 中使用的传统短路和过流保护方法更快，可概括为： • 栅极驱动器电路中的集成去饱和故障检测器使用 IGBT 本身作为故障测量设备。在短路期间，集电极-发射......
电源和电荷泵的欠压及过压监控、针对外部MOSFET的VDS和VGS栅极故障监控、离线开路负载和短路检测，以及内部热警告和热关断保护。其中为了保护外部MOSFET，VGS检测和保护尤为重要：通过对外部MOSFET的VGS电压......
每节电池的电压并防止出现过压/欠压，有效延长了Li+电池的工作寿命。MAX1894/MAX1924还提供过充电流/过放电流和电池组短路等故障保护。 故障发生时，板上驱动器控制外部P沟道MOSFET，断开......
常操作期间 (SWITCH-ON 模式)，LTC7860 持续接通外部 MOSFET，从而将输入电压传递至输出。一个内部比较器负责限制电流检测电阻器两端的电压并调节最大输出电流，以提供针对过流故障的保护作用。 一个......
合适的栅极驱动电压。DRV8705-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线......
母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人，空调压缩机，新能源汽车主驱，光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等领域。 NSi68515输入......
适用于热插拔应用的具有导通电阻的高效 MOSFET;热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外......
储在次级端的 EEPROM 上。此外，可以对特定的电压偏移、温度感应报告频率和重要延迟进行编程。 如果不存在故障，可以通过 ADuM4137 次级端的 ASC 引脚从次级端开启该驱动器。 应用 MOSFET/IGBT......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性;　　意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境......
获得更出色的系统可靠性。 使用MOSFET作为高端输入开关 图1为一个应用电路，使用了高端输入开关保护下游电子系统不受掉电故障影响。MOSFET支持根据应用需要，轻松选择适当的电压和电流额定值，是系......
的智能汽车普遍搭载了高级驾驶辅助系统（ADAS）。ADAS应用是实现汽车主动安全的关键，必须具备高可用性。相比之下，自动驾驶技术的落地则更具挑战性，因为自动驾驶功能要求在发生故障......
的智能汽车普遍搭载了高级驾驶辅助系统（ADAS）。ADAS应用是实现汽车主动安全的关键，必须具备高可用性。相比之下，自动驾驶技术的落地则更具挑战性，因为自动驾驶功能要求在发生故障......
能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。 TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。 TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极......
个应用电路，使用了高端输入开关保护下游电子系统不受掉电故障影响。MOSFET支持根据应用需要，轻松选择适当的电压和电流额定值，是系统高端开关设计的理想器件。  图1.高端输入开关实现示例，可保护系统不受掉电故障......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器; 【导读】纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广......
ST高集成度通用型车门锁控制器，让设计更简单;意法半导体L99UDL01通用型车门锁IC集成6个MOSFET半桥输出和两个半桥栅极驱动器，以及电路保护和诊断功能，可提升方案安全性，简化设计，节省......
电桥的安全性和能效。 其他保护功能包括过热预警关断、模拟数字电源输入过压和欠压保护，以及断态诊断模式开路负载和输出短路检测。 故障安全输入可以立即关闭所有 MOSFET功率管，专用诊断引脚可提供紧急故障......
考虑到如何在紧急情况下确保功能安全*2。传统上，通常采用机械继电器或MOSFET来执行电子电路的ON/OFF控制，但它们在系统故障时不具备相应的保护功能。从功能安全的角度来看，IPD具有保护功能，而且......
宽的输入电压范围内提供电流检测。器件提供两级过流断路器保护：快速触发门限用于快速关断；低速触发门限提供延时关断。 电流超过任何一个断路器过流门限时都将强制器件进入故障模式，断开外部n沟道MOSFET。MAX5977提供......

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