资讯
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施;在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流最大，电阻最大，根据P=I*I*R，此时管子消耗的功率最大，发热最严重，所以尽可能让平台电压工作的时间很短。
一般来说，耐压等级越高，MOS管的输入电容越大，反向传输电容Crss越小，米勒效应也相应减小。
......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策;搞电力电子的同学想必经常被“”这个词困扰。增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么是如何产生的，我们又该如何应对呢？本文引用地址：
我们......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
我们和大家一起来谈谈MOSFET在驱动电路中的误开通以及其应对方法。
我们来讲下误开通的两种情况：米勒效应引起的误开通和寄生电感引起的误开通。
米勒效应......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
从关到开都会经过线性区，所以总会产生开关损耗。为了减少开关损耗进而提高效率，我们希望器件的开关过程时间越短越好，也就是器件开与关之间的切换越快越好。然而如果开关的太快，dV/dt越大，又有可能面临EMI的问题，这个......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
开启，就会存在击穿情况，即使不是立即发生，也可以肯定 mos 管 故障。
米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化，该驱动器在关闭状态时将栅极电压钳位到 0 伏，这减......
功率器件双脉冲测试(2024-12-13 11:24:34)
功率器件双脉冲测试;
双脉冲的意义
首先是对比不同开关管参数及性能，同时可以获取开关管开关过程中的参数，评估......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
开关过程中栅极驱动电压的变化过程......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
过下管驱动电阻，直接将栅极短路到GND，以此消除米勒电流造成的压差，从而避免米勒效应导致下管误导通的风险。
纳芯微的隔离类产品
纳芯微的隔离产品品类非常齐全，包括数字隔离器、隔离驱动、隔离电压/电流采样、隔离......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
车辆在长时间使用中能够更加节能环保。相较于传统的继电器开关，MOS管的低内阻和低导通损耗意味着在开关过程中产生的热量大大减少。这不仅提高了系统的整体效率，同时降低了电动车窗开关组件的温升，延长了元件寿命。
应 用 案 例
在电......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
0.1欧姆或者更低)。若不加R509电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R509电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
一组高频宽通用放大器，可用于电流检测；
内置电荷泵功能可增加上臂驱动级弹性控制；
驱动级OFF时自带最大抑制电流设定，可有效防止米勒效应引起的自开启行为；
VDD掉电压时连动内部闸极下拉至GND以避......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。
第4阶段：栅极......
如何解决Buck电路SW过冲问题？(2024-10-28 22:37:57)
通瞬间的振铃，而
该振铃正是绝大多数过压问题和 EMI 问题的源泉
。
首先由于开关过程在极短时间（从数个纳秒至数十个纳秒）完成，在此过程中电感 L 的电......
适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案(2023-12-19)
固定为4档，分别是100Ω，330Ω，620Ω以及1000Ω。R10的取值大小决定了负载大小变化时，MOS管开关过程中的第一个固定跳变CTRL脚的电压大小，R10取值越大，第一......
适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案(2023-12-19)
中，还需要注意CS脚外部电阻（R10）的取值：R10阻值固定为4档，分别是100Ω，330Ω，620Ω以及1000Ω。R10的取值大小决定了负载大小变化时，MOS管开关过程中的第一个固定跳变CTRL脚的......
智能栅极驱动器实现高效三相电机控制(2023-10-13)
电流驱动电流，并具有可编程的驱动强度控制。可调节和自适应的死区时间被实现，以确保稳健性和灵活性。主动栅极保持机制防止了米勒效应引起的交叉传导，进一步增强了稳健性。
RJK0659DPA是一款适用于开关（电机......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
驱动电路能提升电流供给能力并能快速完成栅极输入电容充电。如图所示，推挽驱动电路包含一个PNP三极管及一个NPN三极管，采用互补输出。输入高电平时，上管NPN开启，下管PNP关闭，驱动MOS管开启；输入低电平时，上管NPN关闭......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
）
@Ta＝25℃
5000
库存查询与购买
在线购买
注：
[1] 适用于功率MOSFET
[2] 适用于IGBT
[3] 某些功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
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注：
[1] 适用于功率MOSFET
[2] 适用于IGBT
[3] 某些功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
显得尤其重要了。
二、MOS管驱动要求
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关......
LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式(2023-12-21)
判定输入电压范围以及设置BO功能保护。在设计过程中，还需要注意CS脚外部电阻（R10）的取值：R10阻值固定为4档，分别是150Ω，330Ω，620Ω以及1000Ω。R10的取值大小决定了负载大小变化时，MOS管开关过程......
LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式(2023-12-21)
部电阻（R10）的取值：R10阻值固定为4档，分别是150Ω，330Ω，620Ω以及1000Ω。R10的取值大小决定了负载大小变化时，MOS管开关过程中的第一个固定跳变CTRL脚的电压大小，R10取值越大，第一......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
Eoss远小于同规格SJ MOS器件，使得电源在硬开关过程中的容性损耗大大减小，能够显著减少器件发热；与此同时，在电源软开关过程中达到ZVS所抽取的结电容电荷更少，使得系统拥有更高的开关......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
生因素：
1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
图1 功率开通过程
2）功率输出电容COSS储存能量在开通过程......
提高硬件设计能力的学习路线(2024-10-12 12:37:20)
电路，都是要重点掌握的
。其中MOS管相关文章推荐：
认识MOS管：米勒效应、开关......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
射能力强等优点，适用于做电压放大电路的输入级。
2.2 MOS管开关电路
MOS管也常用来开关电源，其原理是利用MOS管栅极(g......
双控自动门插座电路图(2024-07-29)
双控自动门插座电路图;如图所示是多普勒效应和光照双控自动门插座电路(RD627) .由多普勒效应传感头、光控开关、单稳态触发器、可控硅控制电路、乐曲发声电路和交流降压整流电路等组成。当车......
春风极核AE8电机控制器拆解分析(2024-03-25)
性能及竞争力进一步提升。
配合先进的封装技术，Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。
......
发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET(2024-09-03)
MOSFET，HCF2030MR70KH0采用了第三代半导体SiC技术，实现极低的开关损耗和低导通电阻，RDS达到25mΩ，最大值是30 mΩ，耐压700V，ID为65A，反向恢复性能（Qrr极低）。产品的主要优势能够大幅度降低开关过程......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性(2024-07-24)
中因寄生电感而产生的过压。为抑制导通期间的压差，静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小，开关损耗才能降至最低，从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数，有助于防止米勒效应......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
打线造成的共源极电感Lcs。
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
管是市面上最常见之一，在实际使用的过程中，MOS管既可用于放大电流，又可以作为电子开关。
SVGP069R5NSA 贴片mos 60v特点
■ 14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ @Vcs=10V......
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算(2023-07-20)
和电压变化是需要一定的时间，当电流和电压存在交叠过程，就产生了损耗。如图1 所示。
图1.开关过程损耗示意图
可视为所有6个IGBT和二极管的损耗相，同现计算如下。
开关损耗：
导通损耗：
其中：
由公式（2-1）和......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
我们认为串扰特性应该算作碳化硅器件动态特性的一部分，这既能体现开关过程的影响，又能体现现阶段碳化硅器件相对于硅器件的特殊性。
最后，在整流输出和MOS-Diode桥式电路中往往都会出现SiC Diode或......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
速度的主要障碍之一。所以我们认为串扰特性应该算作碳化硅器件动态特性的一部分，这既能体现开关过程的影响，又能体现现阶段碳化硅器件相对于硅器件的特殊性。
最后，在整流输出和MOS-Diode桥式......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
化层的击穿电压一般是10MV/cm，但4MV/cm以上的场强就会提高器件长期潜在失效率)。如果器件的阈值电压Vth太低，在实际开关过程中，容易发生寄生导通。更严重的是，阈值电压Vth会随......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
在开通后为负，关断前为正。MOSFET开关在零电压处开通。因此，不会出现米勒效应从而使开通损耗最小化。
MOSFET的输入电容不会因米勒效应而增加。而且体二极管的反向恢复电流是正弦波形的一部分，并且当开关......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
成为这些应用的绝佳选择。”
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而最大限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其......
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率(2024-06-11)
的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的绝佳选择。”
ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断......
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，FFA30U60DN 三、新一代 QFET：更少的Qg 四、智能电源开关管 5W~200W 更小的Rds(on)，更大的Pd, 更低的米勒效应 五、PWM电路：多功能电流型FAN7554，低启
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：SOP-8 四 DIP、SMD、 〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管〉、 封装： SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6
;深圳市科盛美电子有限公司;;深圳市科盛美电子有限公司专业经营半导体分立器件。 产品已经涵盖 MOS场效应管、可控硅、肖特基二极管、达林顿、三极管等半导体分立器件。 产品应用于开关电源，电源
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系列 （IGBT GTR MOS PIM .IPM .可控硅 快恢复 整流桥.等）． 二．三极管系列 （场效应管、高频管、音频管、射频管、达林顿管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压
管、场效应管、达林顿管,MOS、FET场效应管、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、集成IC,高压电容,电容,电感,光藕,发光管,瓷珠,电阻等贴片电子元器件