C18 RAM是具有18个时钟周期的列地址选通延迟的同步DRAM。这意味着在存储器请求和RAM执行操作之间需要18个时钟周期。C18的执行速度比C16慢，因为RAM执行内存请求所需的时钟周期增加。C16 RAM执行功能的速度比C18 RAM Kingston Fury RAM快两个时钟周期。C16和C18的区别在于它们的CAS延迟。CAS延迟是内存控制器告诉内存模块访问RAM模块上的特定内存列与实际开始从该列返回数据之间的时间延迟。在讨论C16或C18时，我们的意思是说RAM模块的CAS延迟分别为16或18，也称为CAS16或CAS18计时或CL16或CL18计时。
延伸阅读
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资讯
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测(2022-07-15)
性能更上一层楼！朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测;一、前言：超越三星B-Die的国产长鑫A-Die颗粒
4266MHz频率的DDR4内存并不少，但是能在能做到4266MHz C18......
创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证(2023-09-13)
供应商制定了积极的路线图，将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是，基本DRAM时序参数没有改变，并且HBM控制器变得越来越复杂，以提高总线利用率。
创意电子的HBM3控制......
存储器测试如何助力国产企业提升行业竞争力？(2024-11-07)
DIMMs并行测试/cell, 1280 DUTs（可灵活配置）
·测试项目：AC_DC test/Logic test/Application test
·编程用户脚本以创建自定义测试模式
·时序参数......
MCU如何在扩展的SDRAM上运行程序？(2023-03-13)
行程序的方法和SDRAM执行程序的性能基准。
SDRAM初始化
SDRAM必须在使用前进行配置，SDRAM初始化分为6个步骤。
配置EMC寄存器的SDRAM时钟频率、字节顺序和时序参数......
ok6410的LCD裸机范例(2024-07-19)
、HFPD、
CLKVAL（在LCD芯片手册中找到初始化时序图，然后找到对应的时序参数）
（2）找到初始化这些时序信号相应的寄存器（在芯片手册中找到相应的寄存器，并对其初始化）
（3......
又一存储标准发布(2024-04-30)
统之间的密切协调来解决数据完整性挑战。
JESD79-5C DDR5提供的其他功能包括将定时参数定义从6800 Mbps扩展至8800 Mbps；与仅支持最多6400个时序参数和最多7200个DRAM核心时序......
Rambus推出6400MT/s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能(2023-02-22)
第三代6400 MT/s DDR5 RCD的数据传输速率和带宽提高了33%，使数据中心服务器的主内存性能达到了一个新的水平。该产品的延迟和功耗均达到业内领先水平，其经过优化的时序参数将提高RDIMM......
STM32系列微控制器新型存储器扩展技术--FSMC有什么优点？(2024-06-07)
的特性说明（WAITEN、WAITCFG、WAITPOL）；
⑥对于该存储芯片的读／写操作，是否采用相同的时序参数来确定时序关系（EXTMOD）。
（3）配置存储器时序参数
FSMC通过使用可编程的存储器时序参数......
STM32与FPGA通信中FSMC操作实例(2024-08-08)
采用同步突发访问方式(BURSTEN)；
⑤对于NORFlash(PSRAM)，NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL)；
⑥对于该存储芯片的读／写操作，是否采用相同的时序参数来确定时序......
【STM32H7教程】第49章 STM32H7的FMC总线应用之SDRAM(2023-04-07)
定的延迟。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数，广义的tRCD以时钟周期数为单位，比如tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期。具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于STM32H7驱动......
Rambus推出6400MT／s DDR5寄存时钟驱动器，进一步提升服务器内存性能(2023-02-23 15:22)
性能达到了一个新的水平。该产品的延迟和功耗均达到业内领先水平，其经过优化的时序参数将提高RDIMM的裕量。
Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCDRambus......
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）(2023-08-02)
= max(tCLS,tALS) - tWP;TWRPH0 = tWP;TWRPH0 = max(tCLH,tALH);
我们知道2440 nand控制器把命令、地址锁存时序复用成了一个时序图，其实命令和地址锁存时序参数......
STM32入门学习笔记之TFTLCD显示实验1(2024-04-07)
:0]对应FSMC_A[25:0]
对于NOR FLASH控制器，主要通过3个寄存器来设置FSMC的时序参数，NORFLASH控制器支持同步和异步突发两种访问方式。
选用......
FIDO1100数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:09)
FIDO1100数据手册和产品信息;fido1100是fido™系列实时通信控制器中的一款产品。fido通信控制器架构专门针对解决存储器瓶颈进行了独特优化，并采用全新的确定性处理设计。上下文切换和中断延迟等关键的时序参数......
车载网络：CAN和FlexRay 网络的时序分析(2023-06-09)
部信号则在它们之间传递。一旦定义了连接，设计中每个对象的时序参数（如果是已知的）都可以被定义。时序信息有多个外部来源；被广泛使用的汽车标准是 FIBEX -- 由自动化及测量系统标准化协会 （ASAM） 定义......
CAN总线学习笔记|STM32的CAN环回测试(2024-08-30)
化配置工具，来实现CAN通讯的环回测试
1. STM32CubeMX配置
CAN是挂载在APB1总线上，设置PCLK1时钟频率到最大45MHz
激活CAN1，配置位时序参数，其他基本参数以及工作模式（此处......
提高功率密度，除了宽禁带半导体之外，还可以换个控制方法(2024-03-26)
的组件数量、低延迟以及可靠的 ZVS 事件检测。
除了 ZVD 之外，您还需要一种能够计算开关时序参数的算法，以便同时实现 ZVS 和低 THD。 图 8 是实现该算法所需的硬件框图。
图 8 基于......
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置(2023-08-17)
模式取决于系统配置并由 STM32CubeMX 设置，用户只需在 DDR 配置面板中输入几个必填项。
• 时序参数，根据 DDR 时钟频率和 SDRAM 数据手册确定。该组包括以下参数：
– 基础时序
– JEDEC 内核时序......
嵌入式学习之Nand Flash(2024-08-30)
FLASH控制器的3个寄存器，选择适合的地址、时序参数与所用的FLASH芯片吻合；
(3)分别在r8～r11中放入程序需要的备用值；
(4)将需要在SDRAM中运行的4条指令搬入SDRAM......
S3C2440 LCD驱动(FrameBuffer)实例开发<一>(2024-07-17)
图上的VSYNC
LCD控制器时序参数可以用下图形象的表示出来：
帧缓冲
帧缓冲是Linux为显示设备提供的一个接口，它把一些显示设备描述成一个缓冲区，允许......
CAN总线学习笔记|CAN盒测试STM32的CAN中断接收(2023-08-01)
STM32CubeMX图形化配置工具，并配合CAN盒，来实现CAN通讯的中断收发测试
1. STM32CubeMX配置
CAN是挂载在APB1总线上，设置PCLK1时钟频率到最大45MHz
激活CAN1，配置位时序参数......
CAN总线学习笔记 | STM32CubeMX配置CAN环回测试(2023-03-20)
STM32CubeMX图形化配置工具，来实现CAN通讯的环回测试
一、STM32CubeMX配置
CAN是挂载在APB1总线上，设置PCLK1时钟频率到最大45MHz
激活CAN1，配置位时序参数，其他基本参数......
奥托尼克斯推出 2D 270°激光扫描仪LSC系列(2022-11-21)
专用软件
• ROS，API支持
• 另售
- 以太网线缆(C18-2R-A，C18-5R-A，C18-10R-A，C48......
上，设置PCLK1时钟频率到最大45MHz
⏩ 激活CAN1，配置位时序参数，其他基本参数以及工作模式（此处设置为Normal普通模式）
CAN波特率的计算公式：只需要知道BS1和BS2的设......
VGA接口原理与Verilog实现编程案例解析(2023-08-04)
工业标准显示模式要求：行同步，场同步都为负极性，即同步脉冲要求是负脉冲。
3、VGA 行时序对行同步时间、 消隐时间、 行视频有效时间和行前肩时间有特定的规范， 场时序也是如此。常用VGA 分辨率时序参数......
的NFCONF寄存器是用来设置NAND Flash的时序参数TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的[3:0]是只读位，用来指示外部所接的Nand Flash的配置信息，它们......
TI毫米波芯片普通帧波形配置介绍(2023-10-18)
引用地址：一． 普通帧波形配置
图1 典型的chirp
表1 chirp时序参数
图2 典型的帧（frame）
TI毫米波芯片的波形配置是以Profile和Chirp配置为基础的。AWR1843......
FPGA实现串口升级及MultiBoot(二)FPGA启动流程(2024-12-13)
：几个重要时序参数-来源：UG470
图4中Tpor的值和具体器件有关，大概的范围是10~50ms，若是从模式配置，建议按照60ms设计，主模式配置，建议按照5ms来考......
国家存储器基地C18项目封顶(2022-07-23)
国家存储器基地C18项目封顶;据极目新闻消息，7月21日，由中建五局湖北公司承建的国家存储器基地项目（一期）综合配套区一标段二期C18芯苑项目封顶。
据了解，国家......
内存科普：深入浅出，带你深入了解内存各项参数，附科赋CJR颗粒内存超频实战(2020-12-25)
条正面。
比如下面这张图，通过CPU-Z就可以读取到这款内存的SPD信息，也能看到这款内存的一些参数。包括频率、颗粒制造商、型号、生产日期、时序、频率等。
4.2内存马甲
对了，内存......
艾迈斯欧司朗发布业界领先的50万像素全局快门CMOS图像传感器,为可穿戴和移动设(2023-01-12)
程寄存器使用户能够控制窗口坐标、时序参数和曝光时间，以及镜像、翻转和裁剪功能。MIPI CSI-2接口可以方便地与处理器或FPGA连接。还可通过摄像头控制接口（CCI）访问片上寄存器，轻松......
超大容量存储器K9F2G08U0M及其在管道通径仪中的应用(2024-01-26)
使采用EMI0TC最小的时序参数也不需要在程序中额外加入延时指令。
3 软件设计本系统采用C语言编程，提高了开发速度并降低了维护难度。下面分别介绍存储器的主要操作。
3.1 按页读K9F2G08U0M中有......
s3c2440裸机-内存控制器(三-2、norflash编程之适配访问时序)(2023-08-09)
控制器适配norflash
如图是S3C2440的内存控制器的可编程访问周期读写时序，里面的时间参数要根据外部norflash的性能进行配置，这里先列出时间参数的含义：
Tacs: Address set......
数字温湿度计设计(2023-12-15)
校验和有助于提高通信的可靠性。
SHT-20模块驱动设计
智能接近系统设计实验中我们已经讲述学习过I2C总线驱动的设计，本实验可以上原来的基础上调整，首先来了解SHT-20时序中的参数要点。
通过SHT-20时序参数......
艾迈斯欧司朗发布业界领先的50万像素全局快门CMOS图像传感器(2023-01-11)
。传感器的光学格式为1/7”。
可编程寄存器使用户能够控制窗口坐标、时序参数和曝光时间，以及镜像、翻转和裁剪功能。MIPI CSI-2接口可以方便地与处理器或FPGA连接。还可......
s3c2440裸机-Norflash2-适配访问时序(2024-07-08)
是S3C2440的内存控制器的可编程访问周期读写时序，里面的时间参数要根据外部norflash的性能进行配置，这里先列出时间参数的含义：
Tacs: Address set-up time......
见证历史！首款国产DDR5内存终于来了(2024-12-20 16:50:59)
。这一举动标志着国产存储芯片技术取得了突破性进展。
金百达银爵系列DDR5内存
性能参数......
浅析STM32 FSMC操作LCD的过程(2023-08-10)
的DATAST（WR）的值为15ns（3个HCLK）。
有了以上的时序参数，就可以配置FSMC相关寄存器了。
下面对寄存器进行简要说明：
SRAM/NOR-Flash片选控制寄存器1..4......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数......
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和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数......
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和DC／DC变换器和DC／AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数......
AUTOSAR CP的复杂驱动是什么(2024-02-03)
CDD的功能操作，包括初始化、正常运行、关闭、故障操作等。
描述与其他BSW模块、SchM和Rte的关系和需求，例如从NvM获取的内存块、配置的临界区等。
描述接口，包括服务的名称、描述、可重入性、参数......
中国科学家合成碳同素异形体C10和C14 有望成新型半导体材料(2023-12-01)
然界中并不存在，而人工合成又极具挑战性。
2019年，IBM实验室与牛津大学研究团队制备出单个的环型碳C18，但对于更小的环型碳，由于尺寸太小其合成变得更具挑战性。
环型碳C10和C14的表......
艾迈斯欧司朗发布业界领先的50万像素全局快门CMOS图像传感器(2023-01-11)
程寄存器使用户能够控制窗口坐标、时序参数和曝光时间，以及镜像、翻转和裁剪功能。MIPI CSI-2接口可以方便地与处理器或FPGA连接。还可通过摄像头控制接口（CCI）访问片上寄存器，轻松......
艾迈斯欧司朗发布业界领先的50万像素全局快门CMOS图像传感器(2023-01-11 14:23)
程寄存器使用户能够控制窗口坐标、时序参数和曝光时间，以及镜像、翻转和裁剪功能。MIPI CSI-2接口可以方便地与处理器或FPGA连接。还可通过摄像头控制接口（CCI）访问片上寄存器，轻松......
STM32CubeMX系列 | TFTLCD显示(2023-03-23)
HADDR[27:26]是不需要我们干预的。
FSMC的NOR Flash控制器支持同步和异步突发两种访问方式，选用不同的时序模型时，需要设置不同的时序参数：
同步突发访问方式：需要设置CLKDIV......
基于STM32F103系统的FreeRTOS程序移植(2024-09-03)
，port.c中主要包含一些与中断有关的函数，heap_4.c上一篇文章有详细介绍，与内存分配释放有关。
在FreeRTOSConfig.h文件中，对FreeRTOS的很多参数进行了配置，用户可以修改其中的文件对程序参......
I2C—读写EEPROM 实验(2023-02-15)
EEPROM 发送了两个数据，但为何第一个数据被解释为EEPROM 的内存地址？这是由EEPROM 的自己定义的单字节写入时序，见图 24-14。
图 24-14 EEPROM 单字节写入时序(摘自......
LCD实验学习笔记（六）：存储控制器(2023-06-15)
控制BANK0到BANK5 的时序，用默认值0x0700即可。
BANKCON6和BANKCON7：两个BANK接到内存上，除[14:0]控制时序外，[16:15]用于设置内存类型。根据内存......
)/SEC TFT信号； LCD_LPCOE：SEC TFT OE信号； LCD_LPCREV：SEC TFT REV信号； LCD_LPCREVB：SEC TFT REVB信号；
上面时序图中上各时钟延时参数......
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;深圳祥和丰电子有限公司;;18002509360，QQ1980406220，MSN/邮箱：1980406220@qq.com深圳中华海电子有限公司专业高价收购内存芯片收购内存
;百灵电子有限公司;;本公司主要代理:华邦（内存）.EON.（内存）.毅力（液晶驱动）