创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证

发布时间:2023-09-13  

9月6日,先进专用集成电路(ASIC)厂商创意电子公司(GUC)宣布,其基于台积电(TSMC)5nm制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4 Gbps流片验证。该平台包含全功能HBM3控制器和物理层IP(PHY IP),以及采用台积电先进CoWoS®技术的厂商HBM3内存。


创意电子推出5nm HBM3 IP 已通过8.4 Gbps流片验证


目前,HBM内存供应商制定了积极的路线图,将传输率和内存大小从HBM3提高到HBM3E/P,并在HBM4上进一步将信号总线宽度加倍。但是,基本DRAM时序参数没有改变,并且HBM控制器变得越来越复杂,以提高总线利用率。


创意电子的HBM3控制器可在随机存取时实现90%以上的总线利用率,同时保持低延迟性。创意电子采用台积电5nm技术的HBM3 IP已通过流片验证,并于今年年初推出采用台积电3nm技术的HBM3 IP,该IP支持台积电CoWoS-S和CoWoS-R,可达到下一代HBM3E/P内存(尚在规划中)的速度。自2020年起,创意电子的HBM控制器和物理层IP已用于客户生产的HPC ASIC。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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