I2C—读写EEPROM 实验

2023-02-15  

EEPROM 是一种掉电后数据不丢失的存储器,常用来存储一些配置信息,以便系统重新上电的时候加载之。EEPOM 芯片最常用的通讯方式就是I2C 协议,本小节以EEPROM的读写实验为大家讲解STM32 的I2C 使用方法。实验中STM32 的I2C 外设采用主模式,分别用作主发送器和主接收器,通过查询事件的方式来确保正常通讯。


硬件设计

EEPROM 硬件连接图


本实验板中的EEPROM芯片(型号:AT24C02)的SCL 及SDA 引脚连接到了STM32 对应的I2C 引脚中,结合上拉电阻,构成了I2C 通讯总线,它们通过I2C 总线交互。EEPROM芯片的设备地址一共有7 位,其中高4 位固定为:1010 b,低3 位则由A0/A1/A2信号线的电平决定,见图 24-13,图中的R/W 是读写方向位,与地址无关。

EEPROM 设备地址(摘自《AT24C02》规格书)

按照我们此处的连接,A0/A1/A2 均为0,所以EEPROM 的7 位设备地址是:1010000b ,即0x50。由于I2C 通讯时常常是地址跟读写方向连在一起构成一个8 位数,且当R/W 位为0 时,表示写方向,所以加上7 位地址,其值为“0xA0”,常称该值为I2C 设备的“写地址”;当R/W位为1 时,表示读方向,加上7 位地址,其值为“0xA1”,常称该值为“读地址”。

EEPROM 芯片中还有一个WP 引脚,具有写保护功能,当该引脚电平为高时,禁止写入数据,当引脚为低电平时,可写入数据,我们直接接地,不使用写保护功能。关于EEPROM的更多信息,可参考其数据手册《AT24C02》来了解。若您使用的实验板EEPROM的型号、设备地址或控制引脚不一样,只需根据我们的工程修改即可,程序的控制原理相同。


软件设计

为了使工程更加有条理,我们把读写EEPROM相关的代码独立分开存储,方便以后移植。在“工程模板”之上新建“bsp_i2c_ee.c”及“bsp_i2c_ee.h”文件,这些文件也可根据您的喜好命名,它们不属于STM32 标准库的内容,是由我们自己根据应用需要编写的。


编程要点

(1) 配置通讯使用的目标引脚为开漏模式;

(2) 使能I2C 外设的时钟;

(3) 配置I2C 外设的模式、地址、速率等参数并使能I2C 外设;

(4) 编写基本I2C 按字节收发的函数;

(5) 编写读写EEPROM存储内容的函数;

(6) 编写测试程序,对读写数据进行校验。


代码分析

I2C 硬件相关宏定义

我们把I2C 硬件相关的配置都以宏的形式定义到 “bsp_i2c_ee.h”文件中,见代码清单24-2。

I2C硬件配置相关的宏

以上代码根据硬件连接,把与EEPROM 通讯使用的I2C 号 、引脚号都以宏封装起来,并且定义了自身的I2C 地址及通讯速率,以便配置模式的时候使用。


初始化I2C 的 GPIO

利用上面的宏,编写I2C GPIO引脚的初始化函数。

I2C GPIO初始化函数

开启相关的时钟并初始化GPIO引脚,函数执行流程如下:

(1) 使用GPIO_InitTypeDef 定义GPIO 初始化结构体变量,以便下面用于存储GPIO 配置;

(2) 调用库函数RCC_APB1PeriphClockCmd(代码中为宏EEPROM_I2C_APBxClock_FUN)使能I2C 外设时钟, 调用RCC_APB2PeriphClockCmd ( 代码中为宏EEPROM_I2C_GPIO_APBxClock_FUN)来使能I2C 引脚使用的GPIO端口时钟,调用时我们使用“|”操作同时配置两个引脚。

(3) 向GPIO 初始化结构体赋值,把引脚初始化成复用开漏模式,要注意I2C 的引脚必须使用这种模式。

(4) 使用以上初始化结构体的配置,调用GPIO_Init 函数向寄存器写入参数,完成GPIO的初始化。


配置I2C 的模式

以上只是配置了I2C 使用的引脚,还不算对I2C 模式的配置。

熟悉STM32 I2C 结构的话,这段初始化程序就十分好理解,它把I2C 外设通讯时钟SCL 的低/高电平比设置为2,使能响应功能,使用7 位地址I2C_OWN_ADDRESS7 以及速率配置为I2C_Speed(前面在bsp_i2c_ee.h 定义的宏)。最后调用库函数I2C_Init 把这些配置写入寄存器,并调用I2C_Cmd 函数使能外设。

为方便调用,我们把I2C 的GPIO及模式配置都用I2C_EE_Init 函数封装起来。


向EEPROM 写入一个字节的数据

初始化好I2C 外设后,就可以使用I2C 通讯,我们看看如何向EEPROM写入一个字节的数据,见代码清单 24-5。

先来分析I2C_TIMEOUT_UserCallback 函数, 它的函数体里只调用了宏EEPROM_ERROR,这个宏封装了printf 函数,方便使用串口向上位机打印调试信息,阅读代码时把它当成printf 函数即可。在I2C 通讯的很多过程,都需要检测事件,当检测到某事件后才能继续下一步的操作,但有时通讯错误或者I2C 总线被占用,我们不能无休止地等待下去,所以我们设定每个事件检测都有等待的时间上限,若超过这个时间,我们就

调用I2C_TIMEOUT_UserCallback 函数输出调试信息(或可以自己加其它操作),并终止I2C通讯。

了解了这个机制,再来分析I2C_EE_ByteWrite 函数,这个函数实现了前面讲的I2C 主发送器通讯流程:

(1) 使用库函数I2C_GenerateSTART 产生I2C 起始信号,其中的EEPROM_I2C 宏是前面硬件定义相关的I2C 编号;

(2) 对I2CTimeout 变量赋值为宏I2CT_FLAG_TIMEOUT,这个I2CTimeout 变量在下面的while 循环中每次循环减1,该循环通过调用库函数I2C_CheckEvent 检测事件,若检测到事件,则进入通讯的下一阶段,若未检测到事件则停留在此处一直检测,当检测I2CT_FLAG_TIMEOUT 次都还没等待到事件则认为通讯失败,调用前面的I2C_TIMEOUT_UserCallback 输出调试信息,并退出通讯;

(3) 调用库函数I2C_Send7bitAddress 发送EEPROM 的设备地址,并把数据传输方向设置为I2C_Direction_Transmitter(即发送方向),这个数据传输方向就是通过设置I2C 通讯中紧跟地址后面的R/W位实现的。发送地址后以同样的方式检测EV6 标志;

(4) 调用库函数I2C_SendData 向EEPROM 发送要写入的内部地址,该地址是I2C_EE_ByteWrite 函数的输入参数,发送完毕后等待EV8 事件。要注意这个内部地址跟上面的EEPROM地址不一样,上面的是指I2C 总线设备的独立地址,而此处的内部地址是指EEPROM 内数据组织的地址,也可理解为EEPROM 内存的地址或I2C 设备的寄存器地址;

(5) 调用库函数I2C_SendData 向EEPROM 发送要写入的数据, 该数据是I2C_EE_ByteWrite 函数的输入参数,发送完毕后等待EV8 事件;

(6) 一个I2C 通讯过程完毕,调用I2C_GenerateSTOP 发送停止信号。


在这个通讯过程中,STM32 实际上通过I2C 向EEPROM 发送了两个数据,但为何第一个数据被解释为EEPROM 的内存地址?这是由EEPROM 的自己定义的单字节写入时序,见图 24-14。

图 24-14 EEPROM 单字节写入时序(摘自《AT24C02》规格书)

EEPROM 的单字节时序规定,向它写入数据的时候,第一个字节为内存地址,第二个字节是要写入的数据内容。所以我们需要理解:命令、地址的本质都是数据,对数据的解释不同,它就有了不同的功能。


多字节写入及状态等待

单字节写入通讯结束后,EEPROM 芯片会根据这个通讯结果擦写该内存地址的内容,这需要一段时间,所以我们在多次写入数据时,要先等待EEPROM内部擦写完毕。多个数据写入过程见代码清单 24-6。



这段代码比较简单,直接使用for 循环调用前面定义的I2C_EE_ByteWrite 函数一个字节一个字节地向EEPROM 发送要写入的数据。在每次数据写入通讯前调用了I2C_EE_WaitEepromStandbyState 函数等待EEPROM 内部擦写完毕,该函数的定义见代码清单 24-7。


这个函数主要实现是向EEPROM 发送它设备地址,检测EEPROM 的响应,若EEPROM 接收到地址后返回应答信号,则表示EEPROM 已经准备好,可以开始下一次通讯。函数中检测响应是通过读取STM32 的SR1 寄存器的ADDR 位及AF 位来实现的,当I2C 设备响应了地址的时候,ADDR 会置1,若应答失败,AF 位会置1。


EEPROM 的页写入

在以上的数据通讯中,每写入一个数据都需要向EEPROM发送写入的地址,我们希望向连续地址写入多个数据的时候,只要告诉EEPROM 第一个内存地址address1,后面的数据按次序写入到address2、address3… 这样可以节省通讯的时间,加快速度。为应对这种需求,EEPROM定义了一种页写入时序,见图 24-15。

图 24-15 EEPROM 页写入时序(摘自《AT24C02》规格书)



根据页写入时序,第一个数据被解释为要写入的内存地址address1,后续可连续发送n个数据,这些数据会依次写入到内存中。其中AT24C02 型号的芯片页写入时序最多可以一次发送8 个数据(即n = 8 ),该值也称为页大小,某些型号的芯片每个页写入时序最多可传输16 个数据。EEPROM的页写入代码实现见代码清单 24-8。



这段页写入函数主体跟单字节写入函数是一样的,只是它在发送数据的时候,使用for循环控制发送多个数据,发送完多个数据后才产生I2C 停止信号,只要每次传输的数据小于等于EEPROM时序规定的页大小,就能正常传输。


快速写入多字节

利用EEPROM的页写入方式,可以改进前面的“多字节写入”函数,加快传输速度,见代码清单 24-9。



除了基本的分页传输,还要考虑首地址的问题,见表 24-3。若首地址不是刚好对齐到页的首地址,会需要一个count 值,用于存储从该首地址开始写满该地址所在的页,还能写多少个数据。实际传输时,先把这部分count 个数据先写入,填满该页,然后把剩余的数据(NumByteToWrite-count),再重复上述求出NumOPage 及NumOfSingle 的过程,按页传输到EEPROM。

1. 若writeAddress=16,计算得Addr=16%8= 0 ,count=8-0= 8;

2. 同时,若NumOfPage=22,计算得NumOfPage=22/8= 2,NumOfSingle=22%8= 6。

3. 数据传输情况如表 24-2

4. 若writeAddress=17,计算得Addr=17%8= 1,count=8-1= 7;

5. 同时,若NumByteToWrite=22,

6. 先把count 去掉,特殊处理,计算得新的NumByteToWrite=22-7= 15

7. 计算得NumOfPage=15/8= 1,NumOfSingle=15%8= 7。

8. 数据传输情况如表 24-3


最后,强调一下,EEPROM 支持的页写入只是一种加速的I2C 的传输时序,实际上并不要求每次都以页为单位进行读写,EEPROM 是支持随机访问的(直接读写任意一个地址),如前面的单个字节写入。在某些存储器,如NAND FLASH,它是必须按照Block 写入的,例如每个Block 为512 或4096 字节,数据写入的最小单位是Block,写入前都需要擦除整个Block;NOR FLASH 则是写入前必须以Sector/Block 为单位擦除,然后才可以按字节写入。而我们的EEPROM数据写入和擦除的最小单位是“字节”而不是“页”,数据写入前不需要擦除整页。


从EEPROM 读取数据

从EEPROM读取数据是一个复合的I2C 时序,它实际上包含一个写过程和一个读过程,见图 24-16。

图 24-16 EEPROM 数据读取时序

读时序的第一个通讯过程中,使用I2C 发送设备地址寻址(写方向),接着发送要读取的“内存地址”;第二个通讯过程中,再次使用I2C 发送设备地址寻址,但这个时候的数据方向是读方向;在这个过程之后,EEPROM 会向主机返回从“内存地址”开始的数据,一个字节一个字节地传输,只要主机的响应为“应答信号”,它就会一直传输下去,主机想结束传输时,就发送“非应答信号”,并以“停止信号”结束通讯,作为从机的EEPROM也会停止传输。实现代码见代码清单 24-10。


这段中的写过程跟前面的写字节函数类似,而读过程中接收数据时,需要使用库函数I2C_ReceiveData 来读取。响应信号则通过库函数I2C_AcknowledgeConfig 来发送,DISABLE 时为非响应信号,ENABLE 为响应信号。


main 文件

EEPROM 读写测试函数

完成基本的读写函数后,接下来我们编写一个读写测试函数来检验驱动程序,见代码清单 24-11。


代码中先填充一个数组,数组的内容为1,2,3 至N,接着把这个数组的内容写入到EEPROM 中,写入时可以采用单字节写入的方式或页写入的方式。写入完毕后再从EEPROM 的地址中读取数据,把读取得到的与写入的数据进行校验,若一致说明读写正常,否则读写过程有问题或者EEPROM 芯片不正常。其中代码用到的EEPROM_INFO 跟EEPROM_ERROR 宏类似,都是对printf 函数的封装,使用和阅读代码时把它直接当成printf 函数就好。具体的宏定义在“bsp_i2c_ee.h 文件中”,在以后的代码我们常常会用类似的宏来输出调试信息。


ain 函数

最后编写main 函数,函数中初始化串口、I2C 外设,然后调用上面的I2C_Test 函数进行读写测试,见代码清单 24-12。


下载验证

用USB 线连接开发板“USB TO UART”接口跟电脑,在电脑端打开串口调试助手,把编译好的程序下载到开发板。在串口调试助手可看到EEPROM测试的调试信息。

图 24-17 EEPROM 测试成功


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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