资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半导体......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
新方法可以扩展、简化弹性半导体的制造(2023-01-04)
有望同时实现高效的电荷传输和机械拉伸性，”Yu 说。
研究人员使用 LPSM 方法创建了p 型和 n 型半导体，其主要载流子分别是空穴和电子。Yu
表示，使用这两种半导体类型，研究人员创造了晶体管、逆变......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
可以看到导通电阻与单极元件的击穿电场成反比。
较薄的半导体层涉及较低密度的少数载流子，这是定义反向恢复电流的重要参数。事实上，在其他特性相同的情况下，设计用于支持更高电流的更大裸片的组件将具有更大的电荷，这些电荷会经历导通和阻断之间的瞬变，因此......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
）：在 CCD 中，电荷注入的方式可分为光注入和电注入两类。当光照射到 CCD 硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，多数载流子被栅极电压排斥，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。
背照......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。
目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
也是如此操作，只是掺杂的杂质让电子（带负电的粒子）数量增多。空穴和电子被称为载流子。如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片（硅或锗）上，一方面由于浓度差，P型区多子（空穴）会向N型区扩散，而N型区......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
、MOS管的构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏......
清华大学材料学院李千课题组合作在半导体中子探测晶体研发领域取得进展(2023-05-12)
探测器能够在单一材料层中实现中子俘获、能量沉积、载流子产生和收集，具有接近100%的理论本征探测效率和器件结构简单的特点。然而，在设计和开发具有适用于直接中子探测的材料时仍然面临诸多困难。适合于直接探测中子的半导体......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
模式：在图 2(b) 中，将 1 V 的正驱动偏压施加到顶部喷油器 B1-E1。这种偏压注入导致少数载流子的载流子密度增加，然后注入漂移区。结果，由于 N 漂移区中载流子密度的增加，顶部 E1 和底部 E2......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
靠负电荷在推挤移动时产生的相对移动现象。
P、N组成二极体
好不容易让硅导电之后，水电工们把填入三价杂质的P型半导体和加入五价杂质的N型半导体连起来发现，它又不导电了！超营养大鸡排⋯⋯呃，不对，当电流换一个方向由P流至N时它......
中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转(2021-09-27)
器件受限于传统p-n结的工作机理，其工作特征须遵照以下原则：(1)入射光子能量大于半导体的带隙；(2)在固定偏压下，产生的光电流朝固定方向单向流动（单向光电流），这大大限制了其在特殊应用场景（例如......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
。碳化硅MOSFET属于这一类。与Si IGBT相比，SiC MOSFET中的多数载流子导通机制可显著降低开关损耗。碳化硅MOSFET在结构上可分为两种类型：规划器和沟槽。双植......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池(2022-12-22)
材料与器件的研究取得了丰硕的成果。随着有机半导体材料与器件研究和开发的深入,
研究人员越发清楚地认识到,
有机半导体中载流子的传输能力是影响有机半导体......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，在更高的频率环境中工作，且在相同工作频率下具有更高的效率。
在光......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
一. MOSFET工作......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于没有少数载流子......
想要单片机顺手，搞懂这些三极管知识！(2023-01-13)
的微观运动情况加以分析说明.
1、发射区向基区发射电子
由于发射结处于正向偏置，多说载流子的扩散运动加强，发射区的多说载流子（电子）向基区扩散（称为发射），同样基区的多数载流子（空穴）也向......
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破(2022-06-07)
延续摩尔定律，新型半导体研发实现新突破;此前，有媒体报道称，二维半导体从水平和垂直两个维度，为延续摩尔定律提供了可能的技术方向。而近日，中国和韩国研发团队均在二维半导体的......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能：利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控，所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm......
探秘1956年出版的半导体科普书(2023-01-03)
和它们的迁移率的研究开辟了人们对N型和P型半导体的研究方向。他从开发新能源着眼，研究半导体的光电转换以及半导体致冷，在当时都是开创性的工作。
约飞......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
的差异。N沟道MOSFET需要栅极和源极（Vgs）间施加正电压才能导通，而P沟道MOSFET则需要负Vgs电压。两者的主要区别在于反向掺杂物质：P沟道MOSFETs依赖空穴为主要电荷载流子......
P通道功率MOSFET及其应用(2024-04-21)
功率MOSFET之间的差异。N通道MOSFET需要栅极和源极（Vgs）间施加正电压才能导通，而P通道MOSFET则需要负Vgs电压。两者的主要区别在于反向掺杂物质：P通道MOSFET依赖电洞为主要电荷载流子......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
注入效应。随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，热载流子注入效应变得越来越严重，为了改善热载流子注入效应，半导体业界通过利用LDD （Lightly Doped Drain – LDD）结构改善漏端耗尽区的峰值电场来改善热载流子......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
需要更强的电场。
b）隧道效应
隧道效应又称为齐纳击穿、隧道穿通，（一般发生在击穿电压VB<4V时，）其原理如下：
图[9] P+N+结电压反偏示意图
将两块重掺杂的P+、N+半导体材料结合在一起，由于......
芯片交期逐渐缩短，但仍存在短缺问题(2023-03-27)
芯片交期逐渐缩短，但仍存在短缺问题;
【导读】根据贝恩公司对 LevaData 数据的分析，大多数类型半导体的交货时间在过去一年有所缩短，但仍比大流行引发的短缺前高出近三倍。平均而言，在所......
研究人员已经开发出新方法制造用于高级电路的柔性半导体(2023-01-09)
使用我们的方法，准备 n 沟道和 p 沟道晶体管并将其集成到一个基于柔性半导体的设备中应该很简单。”
这项工作成功地以一种廉价且易于复制的方式制备了基于聚合物的一维半导体薄膜。NAIST
研究......
热增强型半导体封装及案例(2024-03-06)
一个或多个热扩展器的阳离子。在实施例中，热扩展器被合并在半导体模具与其支撑之间的半导体封装中，在此也可以称为载流子、基板或模垫。在实施例中，可以适当地减小模具厚度，使相对于相应的常规包装整体厚度保持不变。通过......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
芯片图如果在200um的芯片上做一个垂直切割，可以得到如图8所示的内部结构，它是由不同掺杂的P型或N型半导体组合而成。图 8 是众所周知的 IGBT 等效电路，通常将其理解为 MOS 控制的 PNP......
【STM32】光敏传感器示例(2022-12-09)
线照射 PN 结时，可以使 PN 结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
利用这个电流变化，我们......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
高阈值电压与高开态电流不可兼得，从而需要负保持电压来实现高数据保持时间，并且写入速度仍然远低于主流DRAM的水平。针对上述问题，团队针对性开展了沟道优化与欧姆接触优化研究，通过原位氧离子处理的方式实现了兼具低载流子浓度与高迁移率的非晶氧化物半导体......
解析韩国半导体产业辉煌至极的背后(2016-09-26)
在辉煌背后隐藏着无限的恐慌。以存储型半导体为支柱，非存储领域除去面板显示技术，都处于中低端水平。这与美、日的发展格局完全不同，虽然现在辉煌一时，但半导体的小船说翻就翻。400多家半导体厂商，大多数是名不见经传。
韩国半导体......
Intel4较Intel7提升20%效能，将导入High-NA EUV系统(2022-07-05)
单一元件尺寸。透过FinFET材料与结构改良提升效能，Intel4单一N型半导体或P型半导体，鳍片数从Intel7高效能元件库4片降至3片。综合上述技术，使Intel4大幅增加逻辑组件密度，并缩......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料;近日，被称为“”、使用的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用制成的功率半导体......
基础知识之LED（发光二极管)(2024-03-27)
制造出白色LED，该白色LED作为第4照明光源备受注目。本文引用地址：
LED为什么会发光？
LED是由电子（带负电）多的N (-：negative) 型半导体和空穴（带正电）多的P (+： positive......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
原子代替本身就为深能级复合中心的本征汞空位，有助于降低碲镉汞材料中深能级缺陷，提升P型碲镉汞材料少子寿命，降低器件暗电流，从而达到提升n-on-p型器件性能的目的。
昆明物理研究所采用Au掺杂技术制备的载流子......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。
3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
电极的边缘场调制两个电极之间未覆盖的硅沟道(p 型，10 15 cm
-3)的电荷载流子浓度栅电极，因此允许设备的正常运行。单击此处访问原始文章。
模拟分析肖特基势垒二极管的次线性行为
为研究 SB FET 的次......
稳压、TVS二极管和压敏电阻的区别(2024-04-29)
结构
贴片是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。主要采用下图所示的积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。而是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。在二......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
加电场的作用下，电子源源不断的通过电源负极，注入到N+层，N层，使得轻掺杂的N层载流子浓度以非线性的形式快速提高，大大提高了通流能力；空穴同理。
2.N+、P+、N掺杂层形成NPN BJT结构，变化......
佳能将于2023年上半年发售3D半导体光刻机(2022-04-01)
持AI使用的大型半导体的生产。
据悉，3D技术是通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。在放置芯片的板状零部件上，以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线，佳能......
两家国产企业半导体设备有新进展(2023-11-29)
浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。该方法可直接在半导体上形成肖特基势垒测得外延层的载流子浓度，也可以形成MOS电容结构对CVD工艺等进行监控，从而有效评估各类半导体材料制造工艺中外延层的载流子......
如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试?(2023-10-24)
是一个相当重要的可靠性问题。电荷载流子在MOSFET通道上被大电场加速时获得动能。虽然大多数载流子到达了漏极，但热载流子（具有非常高动能）由于撞击电离可以在漏极附近产生电子——空穴对，这是......
【泰克应用分享】如何用4200A-SCS进行晶圆级可靠性测试？(2023-10-24)
是一个相当重要的可靠性问题。电荷载流子在MOSFET通道上被大电场加速时获得动能。虽然大多数载流子到达了漏极，但热载流子（具有非常高动能）由于撞击电离可以在漏极附近产生电子——空穴对，这是原子级别的碰撞。另一......
相关企业
magnachip;;;MagnaChip是一家模拟及混合信号非半导体存储器专业企业
非半导体存储器是指除半导体存储器(D-RAM, Nand flash等)以外的所有半导体的统称。其中模拟半导体
致冷领域为众多的客户提供了相应合适的产品和服务。 半导体致冷片是公司的核心部分，2005年初成功开发的微型半导体致冷片，已经成功地应用到微芯片和玩具的芯片散热上；随着我们制造工艺的改进，我们已经将半导体的
;珠海市矽格电子科技有限公司;;珠海市矽格电子科技有限公司座落于美丽的海滨城市珠海，公司由一群资深半导体器件工程师和应用工程师组成，立志于新型半导体器件的研发和应用推广，为客
在国内外建有自主研发的团队，研发产品在国内和国外的大型半导体工厂投片生产。我们与国内的多家知名封装工厂有很好的合作，从而保证产品的优质品质。 我们竭诚欢迎与大家合作，以优质的产品和服务取得共赢。
;东莞市锦源光电科技有限公司;;东莞市锦源光电科技有限公司是以LED应用光源、LED光源灯具一体化等的研发、生产、销售为一体的大型半导体照明企业，目前已拥有LED球泡灯，面板灯，射灯，日光
;贵州煜立电子科技有限公司;;贵州煜立电子科技有限公司主要进行新型半导体器件、模拟集成电路、工业生产信息化系统方面产品的研发、生产、销售的企业。 公司拥有一支由微电子领域的教授、博士生导师、博士
;成都恒大创新科技有限公司;;成立于公元2004年的恒大科技企业开始为一家小型半导体技术支持提供商,从高压非标电源技术开始,我们逐步发展融入到锂电池技术、 RFID 、AVR 、工控技术、光纤
;深圳市义博电子有限公司;;深圳市义博电子有限公司是一家专业技术型半导体分销商,拥有精锐、专业的经营团队,在电子工业界拥有近十年年资，其所累积的对代理产品熟悉度及经营企划经验，加上
;深圳市广睿哲电子有限公司;;成立于公元2004年的深圳市广睿哲电子有限公司开始为一家小型半导体技术支持提供商,从高压非标电源技术开始,我们逐步发展融入到锂电池技术、 RFID 、AVR 、工控
法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此