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两家国产企业半导体设备有新进展;瑶光半导体激光退火设备顺利验收 据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。 source:瑶光半导体 该设备......
瑶光半导体宣布自研的SiC激光退火设备交付;9月26日，瑶光半导体公司（下文简称“瑶光半导体”）公众号发文称，公司自研的首批SiC激光退火设备ES500-2量产下线，并举行了交付仪式。 SiC......
精科成立于2012年5月，主营业务为集成电路制造装备及关键零部件的研发和产业化。目前产品包括光刻机双工件台及其衍生产品超精密运动平台、激光退火设备、晶圆键合设备、晶圆传输系统、主被动隔振器、静电......
省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前......
中国科研团队研制成功“量子芯片激光手术刀”; 3日从安徽省量子计算工程研究中心获悉，中国首个专用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功，该设备可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术......
比特位数越高，其计算能力越强。 “为了解决更高位数量子计算机中的多比特量子芯片生产问题，我们自主研发了该设备。”贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以......
指标满足产品规范，项目成功通线...详情请点击 5 国内半导体设备再突破 据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（简称“激光退火仪”）已研......
现量子比特电阻快速精准测量，它的应用，可以缩短量子芯片的研发周期，提高量子芯片良品率，目前安徽省量子计算工程研究中心已研发出了NDPT-100无损探针仪。 而“刻蚀机”叫做“激光退火仪”，它是与“无损......
8英寸SiC领域现强强联合！;据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm......
深圳分公司和江苏子公司，同时在苏州、深圳、武汉、北京、西安等地建有服务办公室。 莱普科技致力于先进激光技术在专业化细分领域的创新应用，在半导体晶圆制造、封装测试、精密电子制造等领域推出了三十余种激光应用专业设备......
及应用方案，其中干法去胶、快速热处理、毫秒级快速退火设备在各自细分领域的市场份额均处于世界前列，主要客户涵盖全球主要芯片制造厂商。 信息显示，屹唐半导体北京工厂2018年4月开工建设，2018年9月建......
飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN等材料的加工工艺，并一......
全切机，并首次公开展出工业级多波段脉冲激光器、100W飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN......
金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。 封面图片来源：拍信网......
需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备在近几年得到较快发展。 在碳......
从 50-100 µOhm-cm2 降低至 5 µOhm-cm2。 Soitec 声称的降低背面接触电阻率的值源自 2022 年向 ICSCRM 的演示。他们发现，未经激光退火的SmartSiC 衬底的接触电阻率比经过激光退火......
A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极......
（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。其在第三代、第四代半导体......
晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产;据平湖新埭消息，11月26日，位于新埭镇高端装备智造产业园的晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产。该项目达产后，预计可形成年产120台半导体长晶和外延专用设备......
2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5......
结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保......
成功过会。 公开资料显示，拉普拉斯是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。公司热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备......
的超导24比特 据介绍，位于安徽合肥的这条生产线于2022年1月投入运营，在这一年的时间里，陆续导入24台生产相关的工艺设备，孵化出了3套自研的量子芯片专用设备（见此前报道我国首台用于量子芯片生产的激光退火......
国产半导体设备，又“爆单”;9月5日，集成电路装备企业盛美半导体宣布，公司已收到四台晶圆级封装设备的采购订单。其中两台来自一家美国客户，另外两台来自一家美国研发(R&D) 中心。 这四款设备......
热蒸发系统（VTE）等TFT薄膜沉积设备，涂胶机、曝光机、干湿法刻蚀机等TFT图形制作设备，退火炉、退火气体管道、激光退火设备等TFT退火设备，TFT电学测试设备、OLED光学测试设备等检测设备，激光修补机等缺陷检测修补设备......
一提的是，去年5月，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单。 明年7月将投产，长飞先进200亿元......
（包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、立式炉设备、 清洗设备、退火设备及外延设备等）、新兴半导体设备、半导体照明(LED)设备和光伏设备。主要应用于集成电路、新兴半导体、半导体照明（LED）、新能源 光伏......
栅型场效应管）组成的复合型功率半导体器件，由于其能够提高用电效率和质量，应用潜力很大，在新能源汽车、轨道交通、电力传输中不可或缺。 华虹宏力拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火......
及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。 拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温退火......
2023年最新国产半导体设备厂商名录; 贞光科技从车规微处理器MCU、功率器件、电源管理芯片、信号处理芯片、存储芯片、二、三极管、光耦、晶振、阻容......
片中试线，进行小批量生产；预计完成中试并启动香港的GaN外延量产产线建设，带动创造超过250个微电子相关的就业职位，包括外延片及设备设计、生产流程发展等，创造实质经济价值。 氮化镓(GaN)是第三代半导体......
方式的灵感来源于硅工艺的成功秘诀之一——半导体硅的氧气氛围退火。类似于硅在氧气氛围退火可形成高阻表面层，氧化镓采用该手段制备电流阻挡层（相比于离子注入）具有缺陷少、无扩散、成本低等特点。 N离子......
脉冲，适用于半导体、晶片加工和电子显示行业中的激光材料加工应用。 这款低释气UV镜头采用独特的紫外线结构，包括高级熔融石英透镜材料和不锈钢外壳，并结合高端宽带透镜涂层，以实现优异的光学性能。此外......
首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪研制成功。2022年底，华为公布的超导量子芯片专利，此项技术可有效降低量子比特之间的串扰难题，大幅提升量子芯片的良率，这是......
键合机•  激光打标机•  划片机•  注塑机•  切筋/成型设备•  退火炉•  烤炉•  激光打标机•  电镀设备•  半导体封装载板02 论坛议题•  系统级封装技术的现状及挑战•  Mini......
等功率器 件工艺平台的背面加工工艺(如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背 面金属、背面光刻等)方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。 　　与国际龙头企业存在差距的风险 　　在招......
更好地提高晶圆的性能，满足先进半导体的制造需求。 晟鼎RTP快速退火炉 全自动双腔RTP快速退火炉 全自动双腔RTP快速退火炉适用于4-12英寸硅片，双腔......
与临港集团下属临港产业区公司在活动现场正式签署租赁协议。 根据协议，新上联半导体将租赁临港产业区厂房，推进落地半导体制造快速热氧化/快速热退火/等离子氮化 (ISSG RTO/RTA/DPN) 设备项目。消息称，项目......
热处理、毫秒级快速退火等设备及应用方案，主要客户涵盖全球主要芯片制造厂商。 此外，据了解，2016年5月，屹唐半导体成功收购了总部位于美国硅谷的半导体设备公司Mattson Technology, Inc......
等多家厂商都抓到员工窃资售予中国的具体事证而告上法院，也让台湾如何留才、留下拥有好技术的厂商议题不断被提出来。 虽然中国大举并厂、找人才，但能否一举在半导体产业中有所斩获，各方看法不一，全球管理咨询公司贝恩（Bain &......
材料供应商，主要生产高附加价值的磊晶晶圆、抛光晶圆、扩散晶圆、退火晶圆、SOI晶圆、FZ硅晶圆、化合物半导体材料等利基产品。 目前，其产品应用已跨越电源管理元件、车用功率元件、信息通讯元件、MEMS元件......
的招标信息也显示，晋华预5月采购了1台CVD设备，2台前道检测设备，3台前道计量设备，两台退火设备和1台离子注入设备。 4. 3nm台积电的一道小坎 2023年9月13日，苹果的秋季新品发布会上，与......
高的价格将覆盖这部分成本。因此，为了获得更多的行业利润，各厂商的中高端车也将陆续配备碳化硅设备。 由于碳化硅（SiC ）材料等特点，Sic MOSFET作为属于第三代宽禁带功率半导体，相比于以Si材料为主的第二代功率半导体......
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展;立体化学是从三维空间揭示分子的结构、性质、反应行为及功能，手性分子和同分异构体是立体化学的重要研究内容。有机半导体......
为来自消费电子、半导体、新能源、智能检测等终端应用买家讲解或演示光源和先进激光器件、激光加工控制及配套系统、检测仪器和设备等、应用于激光加工制造的AOI缺陷检测、产品表面及外观检测、零件......
成电路后道先进封装领域产品收入稳步增长的同时，集成电路前道晶圆加工领域产品收入也实现快速放量，利润持续增长。 北方华创最新市值达1547亿元，资料显示该公司提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化......
总投资10亿元 思普尔科技项目落户扬州高新区;据扬州高新区消息，3月15日，总投资10亿元的扬州思普尔科技有限公司半导体设备研发制造及6英寸......
原因初步认定为建筑工地焊接引发，具体损失仍在调查中。 据悉，当地时间周四下午03:37分左右，三星SDI位于京畿道龙仁市基兴区公石洞的基兴工厂发生火灾。下午04:03，消防部门出动18台灭火设备和45名灭......
方英寸增长了10%。 国际电子商情了解到，半导体硅晶圆是制造芯片的不可或缺的材料，主要由抛光片、退火片、外延片、节隔离片和绝缘体上硅片五大类产品构成，其中抛光片是用量最大的产品，其他......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓; 2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏......

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