资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极之间没有导电沟道，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
信号必须能够作用于放大管的输入回路。对于晶体管，输入信号必须能够改变基极与发射极之间的电压，产生
。对于场效应管，输入信号必须能够改变栅-源之间的电压，产生
。这样，才能改变放大管输出回路的电流......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
变化多少。
3. 场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流，而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC，因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4. 场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
的分析是静态的，下面讨论开关转换的动态过程：三极管导通电阻远小于2千欧，因此三极管由截止转换到导通时场效应管栅极电容上的电荷可以迅速释放，场效应管迅速截止。但是三极管由导通转换到截止时场效应管栅极通过2......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
用于增加对分析物的灵敏度，因此更容易测量漏极电流。SMU2连接到漏极端并施加漏极电压（VD）并测量漏极电流（ID）。
扩展栅FET（EGFET）
图6显示了一个扩展栅FET，它包括一个传感结构和一个MOSFET。在这种生物场效应管......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
2）防止栅源极间过电压:
由于栅极......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
特性参数
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，封装、参数和PKC26BB基本......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。两个......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
; span="">，栅极电压增加，栅极G和衬底p间的绝缘层中产生电场，使得少量电子聚集在栅氧下表面，但由于数量有限，沟道电阻仍然很大，无法形成有效沟道，漏极电流ID仍然约为0。
当VGS≥VGS......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
平时关闭。 补充阅读：MOS管驱动电路设计细节。正转 场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。 正因为这个特点，在连接好上图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
：
MOS管驱动电路设计细节
。
正转
场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路;摘要： 在场效应管关断后让LED的负极电压升高，使得LED关闭。当场效应管导通时，LED的负极电压被拉低，使得LED发光。PWM调节......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
均为常闭型 N 沟道场效应管。GAN063-650WSAQ 处理的额定最大漏源电压为 650 伏，可承受 800 伏的瞬态（脉冲宽度小于一微秒）。其额定漏电流为 34.5 安培 (A)，在 25℃ 时的......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
方面控制电子开关，让电子开关与锁存器的 Q’ 端接通，此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器，并从Q和 Q’ 端输出，如果D端输入1，则 Q’ 端输出0，该0使场效应管V2......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门；另一方面控制电子开关，让电子开关与锁存器的 端接通，此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器，并从Q和非Q端输出，如果D端输入1，则非Q端输出0，该0使场效应管......
为什么单片机的I/O口需要驱动(2023-02-01)
”，截止场效应管。
内部上拉电阻阻值很大，经过测量大致在330KΩ左右，而内部电源Vcc仅仅+5V，这样以P1.X高电平驱动发光二极管为例，场效应管截止，相当于Vcc通过330KΩ的电阻向二极管提供电流......
直流无刷直流电机结构及数学模型简析(2024-08-12)
序进行通电换相。若让电机反转，则可以按倒过来的次序通电。如图11所示，为无刷直流电机逆变电路。
图11中，Q1到Q6均为功率场效应管。打开Q1与Q4并使得其他场效应管为截止态，此时电流流过POWER......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流......
51单片机CPU结构各部件的原理详细分析(2023-08-09)
信号电平由“地址/数据”线信号决定；多路开关与反相器的输出端相连，地址信号经“地址/数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出。
例如：控制信号为1，地址信号为“0”时，与门输出低电平，V1管截......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
是两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
直流电机的三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式，采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动，使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-10-30)
沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流......
pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案(2023-11-13)
和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
反相器的输出，同时使“与门”开启。
①当输出的地址/数据信息=1，“与门”输出为1，上方场效应管导通，下方场效应管截止，P0.x引脚输出为1。
②当输出的地址/数据信息=0，上方场效应管截止，下方场效应管......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
反相器的输出，同时使“与门”开启。
①当输出的地址/数据信息=1，“与门”输出为1，上方场效应管导通，下方场效应管截止，P0.x引脚输出为1。
②当输出的地址/数据信息=0，上方场效应管截止，下方场效应管......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启。
①当输出的地址/数据信息=1，“与门”输出为1，上方场效应管导通，下方场效应管截止，P0.x引脚输出为1。
②当输出的地址/数据信息=0，上方场效应管......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
①当输出的地址/数据信息=1，“与门”输出为1，上方场效应管导通，下方场效应管截止，P0.x引脚输出为1。②当输出的地址/数据信息=0，上方场效应管截止，下方场效应管导通，P0.x引脚输出为0。P0......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
、主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对于主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝缘栅极......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电流......
220V 开关电源接线电路图、接线方法(2024-11-27 18:53:31)
款是以KA3842驱动场效应管的单管开关电源，配合LM358双运放来实现三阶段允电方式。原理如F：
220v交流电经TO双向滤波抑制干扰，D1整流为脉动直流，再经......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。
小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
一个高速体二极管，与TPH9R00CQH等现有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。
XPQR3004PB功率场效应管：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
长出一个多层TMDC结构。资料来源：东京都立大学
场效应晶体管（FET）是几乎所有数字电路的一个重要组成部分。它们根据跨接的电压来控制电流的通过。虽然金属氧化物半导体场效应晶体管（或称MOSFET）构成了当今使用的大多数场效应......
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粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
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;杭州友善电子科技;;分销ST、IR、FSC、PHI、TI、HIT、NS、KEC、台湾威森 等知名品牌二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等，尤其在三极管、场效应管和可控硅
.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR
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;深圳市福田区新亚洲电子市场诚信沅电子商行;;本公司主要经营三极管等。公司秉承"顾客至上，锐意进取"的经营理念，坚持"客户第一"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！ MOS、FET场效应管
;场效应管;;
硅系列、FSC三极管系列、IR场效应管系列、NEC系统、二极管、各种电流电压表、电动工具