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Microchip全新EERAM存储器解决方案，可降低存储器成本并在断电时提供数据保护(2019-12-05)
Microchip全新EERAM存储器解决方案，可降低存储器成本并在断电时提供数据保护;全新系列产品首次推出SPI接口 EERAM产品，最高密度可达1 Mb从智能电表到生产线，需要......
存储器和高能激光芯片设备有新突破！(2024-07-31)
备同时解决了体积大、价格高等挑战，而且在规模效率方面也具有优势。
目前传统激光器成本高达10万美元。但科学家认为，采用杂志上提及的最新方法，每台激光器的成本可能会降至100美元。他们还声称，未来......
米尔创新设计RK3568全LGA国产核心板，更紧凑可靠省连接器成本(2024-06-28)
、E2PROM、PMIC电源等电路。核心板根据存储器件参数的不同，细分为6种型号，eMMC可选8GB/16GB/32GB,内存可选1GB/2GB/4GB。
瑞芯微RK3568系列......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-09-11)
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用;
【导读】Teledyne e2v今天宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用......
米尔创新设计RK3568全LGA国产核心板，更紧凑可靠省连接器成本(2024-06-28 15:23)
、E2PROM、PMIC电源等电路。核心板根据存储器件参数的不同，细分为6种型号，eMMC可选8GB/16GB/32GB,内存可选1GB/2GB/4GB。瑞芯微RK3568系列处理器是一款国产工业级/宽温......
米尔创新设计RK3568全LGA国产核心板，更紧凑可靠省连接器成本(2024-07-02)
、LPDDR4、eMMC、E2PROM、PMIC电源等电路。核心板根据存储器件参数的不同，细分为6种型号，eMMC可选8GB/16GB/32GB,内存可选1GB/2GB/4GB......
米尔创新设计RK3568全LGA国产核心板，更紧凑可靠省连接器成本(2024-06-28 15:23)
、E2PROM、PMIC电源等电路。核心板根据存储器件参数的不同，细分为6种型号，eMMC可选8GB/16GB/32GB,内存可选1GB/2GB/4GB。瑞芯微RK3568系列处理器是一款国产工业级/宽温......
下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动(2024-02-21)
有更多的企业和机构也加入了MRAM技术棋局。
据了解，MRAM耗电力可压低至主流存储器（DRAM、NAND Flash）的百分之一，且写入速度快、即便切断电源资料也不会消失，不过，除了制造成本高之外，和现行存储器......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-08-06)
DDR4的工程样片(EM)现可提供。飞行正片(FM)正在研发中，计划2025年初发布。
2024年7月16日，Teledyne e2v宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-08-07 11:55)
DDR4的工程样片(EM)现可提供。飞行正片(FM)正在研发中，计划2025年初发布。
Teledyne e2v宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
据中心）分级存储体系中的上佳选择。不过，如果要将STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存储器，还需在存储器成本和密度方面有进一步提升。
阻变存储器（RRAM/ReRAM）
ReRAM......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
一文了解新型存储技术;在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。
为了......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-09-06)
发布。
格勒诺布尔，2024年7月16日，Teledyne e2v今天宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用作其空间边缘计算解决方案的一部分。这标志着Teledyne e2v的DDR4初始......
米尔创新设计RK3568全LGA国产核心板，更紧凑可靠省连接器成本(2024-06-28)
、eMMC、E2PROM、PMIC电源等电路。核心板根据存储器件参数的不同，细分为6种型号，eMMC可选8GB/16GB/32GB,内存可选1GB/2GB/4GB。
瑞芯......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
，不需要定期刷新电路就能保存它内部存储的数据。其优点：存取速度快; 但是缺点是：功耗大，成本高。常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如steppingstone.
在嵌......
AI新星Groq横空出世，带动SRAM概念爆火(2024-02-25)
界专业人士给出的答案是：No！
据了解，内存主要分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。目前，HBM是AI芯片领域广泛使用的一种高性能DRAM......
随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?(2022-12-30)
是吗?很明显不是，一个属于储存器，一个是寄存器。那么寄存器和存储器有什么区别呢?
1、从范围来看
寄存器在CPU的内部，它的访问速度快，但容量小(8086微处理器只有14个16位寄存器)、成本高......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-09-06 13:11)
DDR4的工程样片(EM)现可提供。飞行正片(FM)正在研发中，计划2025年初发布。Teledyne e2v今天宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用......
Teledyne e2v的双倍容量宇航级8GB DDR4存储芯片，针对高可靠性的空间应用(2024-09-06 13:11)
DDR4的工程样片(EM)现可提供。飞行正片(FM)正在研发中，计划2025年初发布。Teledyne e2v今天宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证，可用......
从碧桂园也准备进入芯片领域说起(2022-12-28)
，在成品率相同的情况下，90nm工艺的DRAM比70nm工艺的DRAM成本高40%左右。
储器价格只看供需，不看成本，层层成本叠加上去的台系存储器厂商怎么和韩国人玩？2007年至......
巨头们低调发力，3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
或可以从中读取的数据量，而延迟是对内存的请求与其执行之间的时间间隔。受限于传统计算机体系的冯-诺依曼架构，存储器带宽与计算需求之间的存储墙问题日益突出，成为......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-22)
手机等应用的爆发式增长，使DRAM在半导体存储器市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长，DRAM早已成为半导体主流存储器之一，并成为了目前最常见的内存产品，还形......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
电脑、智能手机等应用的爆发式增长，使DRAM在半导体存储器市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长，DRAM早已成为半导体主流存储器之一，并成为了目前最常见的内存产品，还形成了由三星、SK海力......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-28 08:50)
领域的独角兽企业，已获得多家创投机构投资。嵌入式RRAM显示驱动芯片，突破了内置SRAM（静态随机存取存储器）+外置NOR Flash（NOR型闪存）的传统方案，显著提高补偿参数读取速度[2]，降低成本和功耗，并优......
性能翻倍，AMD推出首款大规模数据处理市场的加速卡产品Alveo V80(2024-06-06)
大规模数据处理，最佳性能不仅取决于原始计算能力，还取决于高存储器带宽。
传统的处理架构中，无论是存储器还是网络访问都非常容易形成瓶颈，简单理解就是网络接口和DDR内存的带宽跟不上计算CPU或FPGA的带......
平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？(2023-03-20)
导体市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长，DRAM早已成为半导体主流存储器之一，并成为了目前最常见的内存产品，还形成了由三星、SK海力士、美光等三大巨头为主导的市场格局。
从本质上讲，DRAM是一种易失性的、基于......
存储下跌，但汽车存储器没有(2022-12-10)
车产生了大量的高速数据交互类应用，也让高速和高容量的存储器成为了必需品。
2017年，每辆汽车存储设备硬件成本仅在20美元左右（不包括集成在MCU中的存储单元）。当智能驾驶到L4/L5时，存储设备硬件成本在300-500美元左右。有人......
AI计算时代,25年工龄的RRAM渐入佳境(2023-02-14)
之地”
当我们回顾存储器的发展时发现，目前主流的存储介质NOR FLASH，同样经历了不被看好阶段：
2000年前后的功能机时代，手机对内存的要求不高，NOR Flash凭借着NOR+PSRAM的XIP架构......
北方华创携手睿科微赋能全球首颗嵌入式RRAM显示驱动芯片(2024-08-27)
领域的独角兽企业，已获得多家创投机构投资。
嵌入式RRAM显示驱动芯片，突破了内置SRAM（静态随机存取存储器）+外置NOR Flash（NOR型闪存）的传统方案，显著提高补偿参数读取速度[2]，降低成本......
攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖(2022-06-28)
攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖;近日，在加快推进武汉具有全国影响力的科技创新中心建设暨湖北省科技创新大会上，2021年度湖北省科学技术奖励正式揭晓。其中，湖北大学叶葱教授团队存储器成......
HBM：SK海力士、三星、美光三分天下(2023-06-13)
时代下，为满足海量数据存储以及日益增长的繁重计算要求，半导体存储器领域也迎来新的变革，HBM技术从幕后走向台前，未来前景可期。
突破“内存墙”瓶颈，HBM应运而生
HBM（High......
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
速度较慢。
SRAM：它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快，但是体积较大，功耗大，成本高，常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如CPU的L1......
潜力无限的汽车存储芯片，正在迎来新机遇(2023-03-29)
性层面也将提出更高要求。而DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NOR Flash和NAND Flash读写速度低，存储密度受限于工艺制程。市场亟待能够满足汽车等新场景的存储器......
英伟达联手 SK 海力士，尝试将 HBM 内存 3D 堆叠到 GPU 核心上(2023-11-20)
困扰业界的主要因素之一在于 HBM4 需要采用 2048bit 接口，因此 HBM4 的中介层非常复杂且成本高昂。因此，如果能够将内存和逻辑芯片堆叠到一起，这对于经济效益来说是可行的，但这同时又提出了另一个问题：散热。
现代......
HBM：SK海力士、三星、美光三分天下(2023-06-14)
前景可期。
突破“内存墙”瓶颈，HBM应运而生
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器......
智能而简单的解决方案：使用NFC而不是电缆和适配器盒作为配置接口(2023-05-31 09:10)
传输的安全性也得到了保证。只有使用正确的密码才能配置编码器。编码器的通信是加密的，不同级别的访问权限由用户的PIN码保护。在编码器中有几个存储器。当前配置存储在微控制器的内部存储器和NFC存储器中。如果这些值有效，则NFC内存......
当前全球DRAM厂商数量不到10家，三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立(2022-11-26)
中最快，因制造成本高昂，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如CPU的一级、二级缓存等。DRAM利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比SRAM慢，但快于所有的只读存储器......
HBM走俏，暗战打响(2024-04-08)
HBM走俏，暗战打响;
【导读】当存储三巨头（SK海力士、三星、美光科技）围绕HBM进行升级、扩产的那一刻，意味着蛰伏十年之久、发展至第六代的HBM终于甩去“成本高昂”的束缚，以强悍性能步入存储......
ExaGrid与艾睿电子达成协议(2023-02-02)
随着数据量的增加简单地添加设备。每台设备都包括处理器、内存和网络端口，因此随着数据量的增加，所需的所有资源都可用来保持定长的备份窗口。这种横向扩展存储方法可以消除成本高昂的叉车式升级，同时......
ExaGrid与艾睿电子达成协议(2023-02-03)
随着数据量的增加简单地添加设备。每台设备都包括处理器、内存和网络端口，因此随着数据量的增加，所需的所有资源都可用来保持定长的备份窗口。这种横向扩展存储方法可以消除成本高昂的叉车式升级，同时......
一文读懂HBM：高带宽内存吸引各大科技巨头抢购的“魔力”到底是什么？(2023-07-27)
据说有1.76万亿参数量，要想支撑如此庞大的数据处理和传输，对就提出了更高的带宽需求。
然而，存储器和处理器并没有同步发展，处理器的性能按照摩尔定律规划的路线不断飙升，对比内存所使用的DRAM从工......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
s3c2440 SDRAM; SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)，也就是通常所说的内存。内存......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
S3C2440存储系统-SDRAM驱动;SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器）也就是通常所说的内存。内存的工作原理、控制......
全球三大存储原厂公布财报，最新市况如何？(2024-07-31)
%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本......
国外一企业正加速进攻HBM市场？(2023-06-27)
模型。高端AI服务器需采用的高端AI芯片，将推升2023-2024年高带宽存储器（HBM）的需求，并将驱动先进封装产能2024年成长3~4成。
此前5月30日TrendForce集邦......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
SRAM：它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快，但是体积较大，功耗大，成本高，常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如CPU的L1......
全球DRAM投片仅成长4%，明年三巨头仍无大规模新增产能(2019-11-28)
带宽是受限的。在一些存储器存取频繁的应用中，处理器往往会因带宽受限，无法获得充分数据进行有效运算，这就是所谓“内存墙”或 “memory wall”问题。
力晶积成电子身为专业晶圆代工厂，除了......
车载MCU，又要变天了(2024-03-05)
化设计；
针对跨域融合的大容量存储器；
针对新电子电气架构的高性能大算力的CPU。
相信未来，随着AI需求的扩大，下游智能设备的改变，新型存储成本和技术成熟度不断向前推进，未来新型存储......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
大大提高使用寿命；部分RRAM材料具备多种电阻状态，可进一步提高存储密度；• MRAM：一共三代MRAM/STT-MRAM/SOT-MRAM；制造成本高于RRAM，不过......
减产行动逐渐奏效？存储器厂商继续削减产能(2023-07-28)
工智能场景的服务器市场规模大幅增长，正推动高容量存储器市场需求同步提升。而随着生成式AI应用带动AI服务器成长热潮，以微软、谷歌、AWS、百度等为代表的大型云端厂商陆续采购高端AI服务器。
在高端AI服务......
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;香港万利通电子公司;;WEDC/EDI/WHITE怀特电子产品（存储器）―香港万利通电子公司0755-82968201 香港万利通电子公司成立于一九九七年,是美国怀特电子设计公司（White
、HYNIX等,为打造成国内存储器代理最具影响力的企业而迈进.
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
Samsung三星 Hynix现代 MTK联发科 等系列手机套片 EMMC存储器 MCP存储器 NAND闪存 DDR内存
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;深圳市新亚达电子有限公司;;深圳市亚达电子经营各种电子元器件。长期高价收购IC、二极管、三极管、单片机、FLASH、内存、SDRAM、存储器、继电器、钽电容、电解电容、晶振、电感、电位器、喇叭
;深圳市新亚达电子有 限公司;;深圳市新亚达电子经营各种电子元器件。长期高价收购IC、二极管、三极管、单片机、FLASH、内存、SDRAM、存储器、继电器、钽电容、电解电容、晶振、电感、电位器、喇叭
;深圳市腾跃信电子有限公司;;深圳市腾跃信电子有限公司,有十几年的半导体销售经验。主要经营,内存,存储器,SAMSUNG，MICRON 牌子的INTEL,AMD和HYNIX,TOSH，并为
;磊蕊源电子;;公司长期诚信高价收购库存电子呆料《集成电路/手机内配/MTK手机套片/GPS模块/FLASH字库/闪存/内存/存储器/中频/电源/功放/液晶屏/手机IC/内存IC/摄像IC/通讯IC