HANMI Semiconductor将发布下一代高带宽内存(HBM)设备,旨在应对随着AI需求增强而快速增长的HBM市场。
据韩媒《Etnews》引述业内人士透露称,HANMI Semiconductor正在开发一种名为“New Dual TC Bonder”的新设备,最快将于下半年发布。与目前供应市场的第一代设备相比,新款设备明显提高了生产率和精度。
HANMI Semiconductor预计将通过下一代设备加速进入HBM市场。资料显示,HANMI Semiconductor是一家主要从事半导体设备制造的韩国公司。
HBM(全名为High Bandwidth Memory),是将很多DRAM通过3D技术集成在一个封装内,满足各种计算对高带宽的需求。
近期出现的ChatGPT等AI服务,由于需要处理海量数据,对高性能、大容量的半导体产品需求大幅增强,具备更高速、更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小外形等优势的HBM因此被推上行业热榜。
据TrendForce集邦咨询6月21日表示,2023年ChatBOT等生成式AI应用带动AI服务器成长热潮,又以大型云端业者最积极投入,包含Microsoft、Google、AWS或其他中系业者如Baidu、ByteDance等陆续采购高端AI服务器,以持续训练及优化其AI分析模型。高端AI服务器需采用的高端AI芯片,将推升2023-2024年高带宽存储器(HBM)的需求,并将驱动先进封装产能2024年成长3~4成。
此前5月30日TrendForce集邦咨询研究指出,随着高端GPU如NVIDIA的A100、H100;AMD的MI200、MI300,以及Google自研的TPU等需求皆逐步提升,预估2023年HBM需求量将年增58%,2024年有望再成长约30%。
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