绝缘栅双极晶体管(IGBT)是主要形成电子开关的三端功率半导体器件。它是为了将高效率与快速切换相结合而开发的。IGBT结合了功率MOSFET的简单栅极驱动特性和双极晶体管的高电流和低饱和电压能力。IGBT用于消费电子、工业技术、能源部门、航空航天电子设备和运输。IGBT由四个交替层(P–N–P–N)组成,由金属氧化物半导体(MOS)控制。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管组合在单个器件中。Discretes IGBT的优点是高电流密度和低功耗,从而实现更高的效率和更小的散热,从而降低整个系统的成本。晶体管IGBT本质上是一种电压控制的电力电子器件,它取代了传统的功率BJT(双极结型晶体管)和MOSFET作为开关器件。它是专门为满足高功率要求而设计的。晶体管IGBT由一个驱动pnp BJT的FET组成,形成了一个三端器件,将双极晶体管的巨大载流能力与FET的高输入阻抗和大双极载流能力相结合。

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