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的产能，已经全部被客户包走了，显示半导体景气的成长趋势，主要是汽车电子的需求量非常的大。 此前黄崇仁曾指出，力积电有三大策略方向，首先是第四代氧化物半导体IGZO（氧化铟镓锌），第二是逻辑、内存......
)”领域上，砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)等非硅系芯片需求将加速，另一方面，随著高性能需求，车用芯片也将进一步无晶圆厂(Fabless)化、对晶......
在有一些设备的工作频率约为这些频率的十亿倍。韩国和日本的工程师报告称发明了一种最高频率可达 738 GHz 的砷化铟镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。Northrop Grumman 的工......
辐射热仪/热式/未冷却 InGaAs –砷化铟镓 QWIP –量子阱红外探测器 预期销售增长 Teledyne预计，收购将立即增加收益，不包括交易成本和无形资产摊销，并在......
究院围绕核心的半导体激光器领域所做的一个重要的横向业务扩展，将目前长光华芯公司核心的半导体激光器从短波红外和近红外领域拓展到可见光领域。 苏州半导体激光创新研究院院长王俊表示，目前公司拥有砷化镓、磷化铟和氮化......
了一款功能齐全的塑胶芯片，并设计4位元和8位元处理器，但仍有许多细节未公开。 芯片制造方面，研究团队采用柔性薄膜半导体氧化铟镓锌（IGZO）技术，过去被用在显示器面板制造，为一项可靠的成熟技术，薄膜......
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化，可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片，可以......
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化，可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片，可以......
层品质、芯片制程及电极设计最佳化等对产品的信赖度显得更加重要。联胜光电在 UV 产品已耕耘多年，新版本 46mil 365nm UV 加入高温低掺杂氮化铟镓高速电子扩散结构，并搭配 n-AlGaN 的新......
层品质、芯片制程及电极设计最佳化等对产品的信赖度显得更加重要。联胜光电在 UV 产品已耕耘多年，新版本 46mil 365nm UV 加入高温低掺杂氮化铟镓高速电子扩散结构，并搭配 n-AlGaN 的新......
化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器......
的半导体需求和价值量也随之水涨船高。 IDTechEx 指出，在激光雷达（LiDAR）领域上，砷化铟镓（InGaAs）、氮化镓（GaN）等非硅系芯片需求将加速，另一方面，随着高性能需求，车用芯片也将进一步无晶圆厂（Fabless）化、对晶......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产;近日，云南锗业发布公告称，公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“鑫耀半导体”）实施的“磷化铟单晶片建设项目”已经......
展半导体集成电路及分立器件用电子化学品领域，珠海将重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料；匀胶......
国内还有多个化合物半导体项目刷新进度。 ·芯辰半导体 12月16日，芯辰半导体外延设备已投产，覆盖砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。此外，相关外延片已获客户长期合作订单，其中......
中国镓、锗出口限制令生效 韩国稀有金属储备告急;根据商务部、海关总署此前发布的《关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告》，8月1日起，对镓、锗相关物项实施出口管制。公告中指出，镓相关物项包含氮化......
成果发表于《Nature Communications》上。   （三）基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术 南京大学、厦门大学、合肥工业大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学联合攻关氮化......
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。 此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。 与铜......
)或氧化铟镓(IGZO)等材料，这项技术也常用于高端显示器，像Apple的iPad和Macbook系列等中尺寸产品。Oxide的漏电流较低，将有利未来在透明显示器的应用。 大世代AMOLED......
咨询表示，目前普遍用于智能手机屏幕的氧化物(Oxide)半导体背板技术，主要采用氧化锌（ZnO）或氧化铟镓（IGZO）等材料，这项技术也常用于高端显示器，像Apple的iPad和Macbook系列......
信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟......
开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电......
与敏感度均低于量子探测器。 量子探测器由锑化铟(insb)、铟镓砷(ingaas)、硅化铂(ptsi)、碲镉汞(hgcdte或mct)和量子阱红外探测器(qwip)上分层的砷化镓/砷化铝镓等材料制成。量子......
证券一份研报分析，三五族化合物泛指由元素周期表的三族与五族元素构成的合金化合物，如砷化镓（GaAs）、砷化铟镓（InGaAs）等。三五族化合物具有直接带隙，进而电子在高低能级间跃迁时效率更高，进而......
硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展，为信息社会的发展提供有力支撑。 半导......
Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化......
显示，苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目位于苏州科技城普陀山路北侧、漓江路东侧地块，预计2025年正式投入使用。作为省重点项目，该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台，进行氮化镓、砷化......
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
了她对宽禁带半导体市场发展的分析以及对特定新兴市场的预测。 Power Electronics News（PEN）: 您是YoleDéveloppement半导体和新兴材料部门的成员，研究范围涉及碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟以及新兴材料趋势。您认为，宽禁......
半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸......
正式落户宜兴经济技术开发区。 据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
显示，特思迪半导体是一家成立于2020年3月的半导体产业初创公司，专注于半导体领域高质量表面加工设备的研发、生产和销售。主要产品包括减薄、抛光、CMP、贴腊、刷洗等专用设备，重点应用于碳化硅、氮化......
事高端显示技术产品研发。 鸿海集团董事长郭台铭（右）介绍堺显示器的功能 SDP表示，新的十点五代产线还将导入氧化铟镓锌（IGZO）技术，预计2019年开始量产，生产大尺寸8K超高......
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类......
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓和磷化铟......
建设国内一流的半导体激光芯片研发及生产平台。 作为省重点项目，该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台，进行氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等激光器和探测器用2-3英寸......
镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)、氮化镓（GaN）等。下面来谈谈化合物半导体在半导体激光器中的关键应用点： 光通信——InP是新一代40Gb/s光通信系统中必不可少的核心材料。在光......
（氮化镓铟）或磷化铟（InP）转移到另一种衬底上，以产生高质量、成本有效的晶圆，”他说。 与独立的氮化镓相比，氧化镓基氮化镓（GaNoX）提供......
8月1日生效！中国对镓、锗相关物项实施出口管制;据商务部网站公告，7月3日，中国商务部、海关总署发布《关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告》，表示对镓、锗相关物项实施出口管制，其中包含金属镓、氮化......
电阻的变化来反映出温度的变化。此类红外热像仪不需要制冷，且成本比量子探测器红外热像仪低。 制冷型量子探测器采用锑化铟（InSb）、铟镓砷（InGaAs）或应变超晶格制成。这类探测器为光电探测器，即光......
团队借助“混合技术”，将磷化铟制成的激光器、滤波器和氮化硅制成的空腔结合在一起，并将它们集成到了一块芯片上。在芯片上，在一个自发的非线性过程中，激光场产生了两个光子。每个光子同时“跨越”一系列颜色，这被......
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
芯片上安装滤波器。以前，在同一芯片上集成激光器、滤波器和空腔是一项重大挑战。 库斯团队借助“混合技术”，将磷化铟制成的激光器、滤波器和氮化硅制成的空腔结合在一起，并将它们集成到了一块芯片上。在芯片上，在一......
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录;瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关......
电二极管寄生电阻。该寄生电阻代表零偏置p-n光电二极管结。光电二极管的材料（及其光学范围）是硅（190nm - 1100nm），锗（400nm -1700nm），砷化铟镓（800nm - 2600nm），硫化......
场预计将稳步增长。 　　LED和集成电路为业务核心 　　三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、 磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片......
第四代半导体技术迎新进展; 第四代半导体是指以氧化镓、氮化......
补贴将支持英飞朗在加利福尼亚州的圣何塞新建一个面积超3700平方米的晶圆制造厂，将使该企业制造基于磷化铟的光子集成电路（InP PIC）上的产能提升10倍；并在......
颠覆市场”。 光谷实验室表示，在食品检测、半导体检测等工业应用中，基于短波的机器视觉如同机器的“眼睛”，具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件，对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。 传统铟镓......
颠覆市场”。 光谷实验室表示，在食品检测、半导体检测等工业应用中，基于短波红外成像的机器视觉如同机器的“眼睛”，具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件，对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。 传统铟镓......

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