资讯
主要讨论PWM比较器的Simulink模型(2024-08-23)
的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较器输出“1”控制IGBT......
永磁同步电机控制系统仿真—PWM比较器的Simulink模型(2024-08-30)
相两电平逆变器的波形。
输入的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
组成部分
根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：
①开通和关断采用不同栅电阻Rg,ON和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断;
②栅源间加电容c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放;
③关断......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
出了Infineon 62mm模块的双脉冲测试结果。
图4 62mm IGBT模块内部寄生电感测试方法
图5 62mm IGBT模块的开通和关断测试波形
在开通瞬态和关断瞬态，上都会产生电压降，那么究竟是选择开通还是关断......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29)
到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高(2023-08-29)
值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%[4]。这些......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
七、功率MOSFET的开通和关断过程原理
(1)开通和关断......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
如何手动计算IGBT的损耗(2023-02-07)
耗可以分为开关损耗和导通损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。
开关损耗-开通部分
我们先来看一下理想的IGBT开通波形：
我们......
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29 15:34)
产品。MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
下测得。所使用的RG值是根据上述VCE,peak和dv/dtmax限值推导得出。
图3.当VDC=750V和Inom=400A时，IGBT（左侧）和二极管（右侧）的开关损耗。对于T7，开通和关断......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块(2023-08-29)
东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
Module中的FS820R08A6P2B的Datasheet为例，理解IGBT（MOSFET类似）的哪些特性是可以实时仿真的，哪些是很难实时模拟的。
客户经常会问，我希望仿真器件开通和关断......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：
的开通过程
IGBT 在开通过程中，分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程，也是......
详解电机控制中的电压重构(2024-07-26)
空比发生变化；
2、IGBT导通和关断延迟影响：
IGBT硬件本身的开通延迟和关断延迟造成了PWM波占空比发生变化；
3、管压降影响：
IGBT导通管压降和续流二极管管压降造成了PWM波幅......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
关和软开关之间的主要区别在于，软开关减少或消除了功率晶体管在开通和关断阶段默认电压及电流条件下的损耗。图1展示了一个零电压开通（ZVS）技术的典型示例；其用于消除开通时的开关损耗。在电源开关中，其余的主要损耗包括传导损耗和关断时的开......
测试系统数字稳压电源的实现(2023-01-11)
的输入阻抗很高，其导通和关断就相当于输入电容充放电过程。根据所选器件的参数，计算出满足的条件，保证驱动电路提供足够大的过充电流，实现MOSFET 快速、可靠的开关。
3 软件设计
采用......
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-22)
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
美国伊利诺伊州芝加哥，2024年5......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
启电压，将会使已关闭的功率器件出现误开通现象，从而造成直流母线短路。为减少误开通的风险，传统的硅MOSFET和硅IGBT通常在驱动电路中采取构建负电压关断的方法，负压绝对值越高，抑制误开通......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
可提供量身定制的导通和关断时序，将开......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
损耗Pon和关断损耗Poff 三者之和。
通过器件手册可知，IGBT 模块中二极管的开关损耗主要为反向恢复损耗Prec ，而SiC 模块中的二极管损耗非常小，可以忽略不计。
为了......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
实验帮助理解和观察寄生导通。在双脉冲测试平台中，让上管在0V和-5V的关断电压条件下，分别作两次测试，观察下管的开通波形。当Vgs=-5V时，下管开通电流的包裹面积，明显小于当Vge=0V时的......
车载OBC的发展趋势(2023-05-04)
设计方案
为什么选择SIC器件？
可以改善电路的性能，提升LLC电路的工作效率，增强可靠性，减少开通和关断时间，增强电路抗扰性能；
在户口使用时，OBC已经有所应用，直接便携式可以携带，如下所示
其中有采用的参考方案
......
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计(2022-02-23)
链路。InnoSwitch4-CZ IC包括两个专门用于ClampZero有源钳位非互补控制的引脚：用于开通和关断ClampZero开关的上管驱动(HSD)引脚，以及用于测量直流母线电压的V引脚。
图......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
功耗额定值范围内，同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看，栅极电阻影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。因此，当设计人员选择 IGBT 或......
安森美引领行业的 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具的技术优势(2023-06-21)
Eon 损耗几乎翻倍。
图 6.开关电感寄生电容对导通和关断损耗的影响
在“降压”型电路上也会有一样的结果或效应。考虑到输入和输出端有一个大的去耦电容器，电容（CIN、COUT 和......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
的动态性能对比
同样马达驱动的应用中对开关损耗尤为关注，我们选取了在市场上广泛应用的不同厂商 ABCD 产品作为对照，对比Nexperia IGBT 产品 NP100T12P2T3 在不同电流下的开通损耗和关断......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
的各种特性，其中有些参数是互相矛盾的。例如：降低导通损耗、降低开通和关断损耗、优化器件开关的特性、提高电流密度、提升耐压等级、减少半导体材料（同等电压和电流能力下，减少芯片厚度和面积）、提升......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
的设计需要格外优化尽可能减小长换流回路的杂散电感以增加功率模组的电流输出能力。图15所示为FF1800R12IE5在I-NPC电路里的双脉冲实测波形，在室温及额定电流条件下，为了降低长换流回路IGBT的关断电压尖峰，使用了更大的门级关断......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-25 14:36)
驱动器的损耗为了跟上超过 1 MHz 的快速开关频率，如上所述，LT8418 泵出 4 A 的峰值拉电流和 8 A 的灌电流，以实现 GaN 功率场效应管的快速开通和关断。Analog Devices 表示，该栅......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-22)
历的功率损耗以及产生的热量。
LT8418 是一款具有独立导通和关断路径的分离栅极驱动器。 Wu 表示，这样做可以调整 GaN 功率 FET 的开启和关闭压摆率，以限制振铃并减少电磁干扰 (EMI)，EMI会在......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。
开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。
当栅......
碳化硅模块提高电机驱动器的功率密度(2023-10-07)
道栅极驱动器拥有过流和极性反接保护特性以及板载的 2 W 隔离型电源，能够支持 80 kHz 开关频率。用户可配置的开通和关断栅极电阻可减少开关损耗。
该驱动器还具备可调过流检测特性，拥有软关断、欠压锁闭以及 PWM 输入......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
门极驱动电阻和电容
通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整MOSFET的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小dv/dt (di/dt)从而......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
以采用桥式驱动电路：
桥式驱动每路只需要单电源供电，无需提供负偏反压，关断期间H桥本身在IGBT的GE之间产生了一个15V的负偏。主要缺点是该电路元件较多，焊接比较麻烦，这对可靠性有一定影响，而且关断期间负偏和开通期间的开通......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
保护时间快，提高了管子的鲁棒性当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在饱和区进行工作的；但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24 14:14)
保护时间快，提高了管子的鲁棒性当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在饱和区进行工作的；但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
；而同样的测试条件下，普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。
NSi68515 短路保护时间快，提高了管子的鲁棒性
当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。目前该器件已达到4.5kV /1kA的水平。
11.MOS门控晶闸管
MOS门极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515(2023-02-24)
IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会退出饱和区，VCE也随之增大，如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET，则会......
变频器输出电压的波形？如何通过脉冲调制技术来实对电机的控制？(2024-01-18)
栅双极晶体管）的交替开通和关断。IGBT是变频器中的关键元件，它们在脉冲波的产生和电机的控制中发挥着至关重要的作用。
变频器通过将正弦波转换为脉冲波，再通过SPWM技术实现对电机的精确控制，展示......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
. 过载时功率MOSFET的仿真波形
图12. 过载时潜在失效模式的简化波形
图10和图11给出了过载时功率MOSFET开关波形。电流尖峰发生在开通和关断的瞬间。可以被认作是一种“暂时直通”。图12给出......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
/dt，以期达到满足相应EMI要求下整体开关损耗降低的目的。
米勒钳位
处在上下桥结构中的两个IGBT，一般总是交错导通，如果同时导通会发生桥臂直通的短路，引起炸机。当其中一个管子工作在关断状态下，而另一个由于经过开通......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
的过程相当于一个对门极电容充电的过程，初始电压越大，充电越快，一般来说开通损耗越小。而关断损耗则受门极负压影响，几乎不受门极正电压影响。我们利用了双脉冲平台进行开关波形的测试。图4是SiC MOSFET的开......
纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器(2023-02-23)
了管子的鲁棒性
当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时，是在饱和区进行工作的；但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中，发生过流或者上下管短路的时候，电流便会急剧增大，就会......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
压达10V时，开关管能完全开通。为了使开关管的开通和关断损耗最小，则应使：
取Rdrv=33.3Ω，其损耗为
P=fCiVCC²=41*0.99*15²/10³=9.1mW
其中
Rdrv——开关......
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指的是使用IGBT作为逆变器开关器件的弧焊机。由于IGBT的开关频率较低，电流大，焊机使用的主变压器、滤波、储能电容、电抗器等电子器件都较场效应管焊机有很大不同，不但体积增大，各类技术参数也改变了。 IGBT
、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源，更促进了开关电源技术的迅速发展。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关
;洛阳星利达A;;液压关断门安装在渣井下部，其主要功能是在炉底除渣设备出现故障时，关闭关断门，通过渣井的有效储渣容积来临时储存炉底渣，避免因炉底设备故障出现不得不停机的事故。在有限时间内，对除渣设备进行临时抢修。
;四川凯库电气设备有限公司;;四川凯库电气有限公司致于力有源滤波器，逆变器，IGBT，气体检测仪的开发及销售。
;砀山县通和量具有限公司;;安徽通和量具有限公司，专业从事通和系列量具的生产、销售与维修。公司技术力量雄厚、设备精良、工艺先进、厂宽宽畅，我国量具生产量最大的企业之一，产品畅销全国。通和
达长江三角洲各大城市的高速公司,现在泰州宁启铁路的开通,更加方便了与全国的联系
;通和科技公司;;